《2022年高中化學(xué) 第3章 物質(zhì)的聚集狀態(tài)與物質(zhì)性質(zhì) 第2節(jié) 金屬晶體與離子晶體練習(xí) 魯科版選修3》由會(huì)員分享,可在線(xiàn)閱讀,更多相關(guān)《2022年高中化學(xué) 第3章 物質(zhì)的聚集狀態(tài)與物質(zhì)性質(zhì) 第2節(jié) 金屬晶體與離子晶體練習(xí) 魯科版選修3(6頁(yè)珍藏版)》請(qǐng)?jiān)谘b配圖網(wǎng)上搜索。
1、2022年高中化學(xué) 第3章 物質(zhì)的聚集狀態(tài)與物質(zhì)性質(zhì) 第2節(jié) 金屬晶體與離子晶體練習(xí) 魯科版選修3
夯基達(dá)標(biāo)
1離子晶體不可能具有的性質(zhì)是( )
A.較高的熔、沸點(diǎn) B.良好的導(dǎo)電性
C.溶于極性溶劑 D.堅(jiān)硬而易粉碎
2在氯化鈉晶體中,與每個(gè)Na+等距離且最近的幾個(gè)Cl-所圍成的空間幾何構(gòu)型為( )
A.十二面體 B.正八面體
C.正六面體 D.正四面體
3NaF、NaI、MgO晶體均為離子晶體,根據(jù)下列數(shù)據(jù),這三種晶體的熔點(diǎn)高低順序是( )
物質(zhì)
①
2、NaF
②NaI
③MgO
離子電荷數(shù)
1
1
2
離子間距離/10-10m
2.31
3.18
2.10
A.①>②>③ B.③>①>②
C.③>②>① D.②>①>③
4下列性質(zhì)中,可以證明某化合物形成的晶體一定是離子晶體的是( )
A.可溶于水 B.具有較高的熔點(diǎn)
C.水溶液能導(dǎo)電 D.熔融狀態(tài)能導(dǎo)電
5離子晶體通常具有的性質(zhì)是( )
A.熔點(diǎn)、沸點(diǎn)都較高,難于揮發(fā)
B.硬度很小,容易變形
C.都能溶于有機(jī)溶劑而難溶于水
3、
D.密度很小
6下列指定微粒的個(gè)數(shù)比為2∶1的是( )
A.Be2+離子中的質(zhì)子和電子
B.H原子中的中子和質(zhì)子
C.NaHCO3晶體中的陽(yáng)離子和陰離子
D.BaO2(過(guò)氧化鋇)固體中的陰離子和陽(yáng)離子
7下面的圖像是從NaCl或CsCl晶體結(jié)構(gòu)圖中分割出來(lái)的部分結(jié)構(gòu)圖,試判斷屬于NaCl晶體結(jié)構(gòu)的是 … ( )
A.圖1和圖3 B.圖2和圖3
C.圖1和圖4 D.只有圖1
8如圖是CsCl晶體的晶胞(晶體中最小重復(fù)單元),已知晶體中兩個(gè)最近的Cs+核間距為a cm,氯化銫的式量為M,NA為阿伏加德羅常數(shù),
4、則氯化銫晶體的密度為( )
A. g·cm-3 B. g·cm-3
C. g·cm-3 D. g·cm-3
9下面列出的是一些離子晶體空間結(jié)構(gòu)示意圖(○陰離子,●陽(yáng)離子):用M和N分別代表陽(yáng)離子和陰離子,分別寫(xiě)出各離子晶體的化學(xué)式:
A:__________ B:__________ C:__________ D:__________
10.鎂、銅等金屬離子是人體內(nèi)多種酶的輔因子。工業(yè)上從海水中提取鎂時(shí),先制備無(wú)水氯化鎂,然后將其熔融電解,得到金屬鎂。
(1)以MgCl2為原料用熔融鹽電解法制備鎂時(shí),常加入NaC
5、l、KCl或CaCl2等金屬氯化物,其主要作用除了降低熔點(diǎn)之外還有__________。
(2)已知MgO的晶體結(jié)構(gòu)屬于NaCl型。某同學(xué)畫(huà)出的MgO晶胞結(jié)構(gòu)示意圖如上圖所示,請(qǐng)改正圖中錯(cuò)誤:____________________。
(3)Mg是第三周期元素,該周期部分元素氟化物的熔點(diǎn)見(jiàn)下表:
氟化物
NaF
MgF2
SiF4
熔點(diǎn)/K
1 266
1 534
183
解釋表中氟化物熔點(diǎn)差異的原因:________________________________________。
能力提升
11某離子化合物DxEC6,晶體結(jié)構(gòu)如下圖所示,陽(yáng)離子D+位于正方
6、體的棱的中點(diǎn)和正方體內(nèi)部,陰離子EC位于該正方體的頂點(diǎn)和面心。該化合物中x 值為( )
A.1 B.2
C.3 D.4
12已知:硅酸鹽和石英的晶格能如下表:
硅酸鹽礦物和石英
晶格能(kJ·mol-1)
橄欖石
4 400
輝石
4 100
角閃石
3 800
云母
3 800
長(zhǎng)石
2 400
石英
2 600
回答下列問(wèn)題:
(1)橄欖石和云母晶出的順序是__________。
(2)石英總是在各種硅酸鹽析出后才晶出的原因是__________。
(3)推測(cè)云母和橄欖石的熔點(diǎn)順序?yàn)?/p>
7、__________,硬度大小為_(kāi)_________。
13(1)中學(xué)化學(xué)教材中圖示了NaCl晶體結(jié)構(gòu),它向三維空間延伸得到完美晶體。NiO(氧化鎳)晶體的結(jié)構(gòu)與NaCl 相同,Ni2+與最臨近O2-的核間距離為a×10-8cm,計(jì)算NiO晶體的密度(已知NiO的摩爾質(zhì)量為74.7 g·mol-1)。
(2)天然和絕大部分人工制備的晶體都存在各種缺陷,例如在某氧化鎳晶體中就存在如圖所示的缺陷:一個(gè)Ni2+空缺,另有兩個(gè)Ni2+被兩個(gè)Ni3+所取代。其結(jié)果晶體仍呈電中性,但化合物中Ni和O的比值卻發(fā)生了變化。某氧化鎳樣品組成Ni0.97O,試計(jì)算該晶體中Ni3+ 與Ni2+的離子個(gè)數(shù)之
8、比。
參考答案
1解析:離子晶體是陰、陽(yáng)離子通過(guò)離子鍵結(jié)合而成的,在固態(tài)時(shí),陰、陽(yáng)離子受到彼此的束縛不能自由移動(dòng),因而不導(dǎo)電。只有在離子晶體溶于水或熔融后,電離成可以自由移動(dòng)的陰、陽(yáng)離子,才可以導(dǎo)電。
答案:B
2解析:認(rèn)真觀察NaCl晶體的一個(gè)晶胞,并且發(fā)揮空間想象能力,不難得出所得空間構(gòu)型為正八面體。
答案:B
3解析:離子晶體的熔點(diǎn)與離子鍵的強(qiáng)弱有關(guān),而離子鍵的強(qiáng)弱可用晶格能來(lái)衡量。晶格能∝,即離子所帶電荷數(shù)越多,離子間距離越小,晶格能越大,離子鍵越強(qiáng),熔點(diǎn)越高。故答案為B項(xiàng)。
答案:B
4解析:熔融狀態(tài)能導(dǎo)電的化合物形成的晶體一定是離子晶體。分子晶體和原子晶體熔融狀態(tài)成
9、為分子和原子,不導(dǎo)電。金屬晶體在固態(tài)和熔融狀態(tài)均能導(dǎo)電,但金屬晶體是單質(zhì)。
答案:D
5解析:離子晶體中的陰、陽(yáng)離子通過(guò)一種強(qiáng)烈的相互作用——離子鍵結(jié)合在一起,離子鍵的鍵能較大,且極性很強(qiáng),除了有些在極性溶劑中容易斷裂外,其他的必須在高溫下才能斷裂,所以其熔點(diǎn)、沸點(diǎn)都較高,不揮發(fā),硬度很大,不易變形,難溶于有機(jī)溶劑;又因?yàn)樵陔x子晶體中,較大的離子采取密堆積型式,較小離子填隙,所以密度一般都較大。
答案:A
6解析:A項(xiàng)中Be中質(zhì)子數(shù)為4,電子數(shù)為2,所以質(zhì)子數(shù)與電子數(shù)的個(gè)數(shù)比為2∶1,符合題意;B項(xiàng)中H中中子數(shù)為1,質(zhì)子數(shù)為1,質(zhì)量數(shù)為2,中子數(shù)與質(zhì)子數(shù)之比為1∶1,不符合題意;C項(xiàng)中
10、,NaHCO3晶體中陽(yáng)離子與陰離子之比為1∶1;D項(xiàng)中,BaO2(過(guò)氧化鋇)中陽(yáng)離子與陰離子(O)之比為1∶1,不符合題意。所以選擇A項(xiàng)。離子晶體中不存在單個(gè)的分子,它的化學(xué)式是晶體中的陰陽(yáng)離子的最簡(jiǎn)個(gè)數(shù)比。本題易錯(cuò)的地方主要有兩個(gè),其一是NaHCO3中陰離子和陽(yáng)離子分別是HCO、Na+而不是CO、H+和Na+;其二是,BaO2(過(guò)氧化鋇)固體中的陰離子是過(guò)氧根離子(O)而不是氧離子(O2-)。
答案:A
7解析:理解離子晶體結(jié)構(gòu)是從分析晶體中陰、陽(yáng)離子間的空間位置關(guān)系入手的。若平時(shí)對(duì)CsCl晶體結(jié)構(gòu)模型作過(guò)仔細(xì)觀察,很容易辨認(rèn)出題中圖3就是CsCl晶體結(jié)構(gòu)模型示意圖,把圖3向上或向下延伸
11、后,再進(jìn)行分割后就可得到圖2。若平時(shí)對(duì)氯化鈉晶體結(jié)構(gòu)模型圖作過(guò)觀察研究,就可發(fā)現(xiàn):圖1可看成是氯化鈉晶胞中以體心的鈉離子為中心和跟這個(gè)鈉離子直接相連的6個(gè)氯離子構(gòu)成的正八面體;圖4恰好是氯化鈉晶胞分割成八個(gè)小立方體所得到的一個(gè)單元。所以答案應(yīng)選C。
答案:C
8解析:晶體的密度等于晶體的質(zhì)量與晶體在該質(zhì)量下的體積的比值(即晶體的密度=),據(jù)式量可知,1 mol CsCl的質(zhì)量為M克,故需求出1 mol CsCl的體積。因晶體是由晶胞構(gòu)成的,而1個(gè)CsCl晶胞的體積為a3 cm3,因此,此題解題的關(guān)鍵是找出1 mol CsCl晶體中的晶胞數(shù)目。由晶胞的示意圖可知,1個(gè)晶胞中含1個(gè)Cs+和1個(gè)
12、Clˉ,所以,在1 mol CsCl晶體中含NA個(gè)晶胞。由此可得,晶體的密度為= g·cm-3。
答案:C
9解析:A中M與N的個(gè)數(shù)比為=;B中M與N的個(gè)數(shù)比為=;C中M與N的個(gè)數(shù)比為==;D中M與N的個(gè)數(shù)比為=。
答案:MN M2N3 MN2 MN
10解析: (1)以MgCl2為原料用熔融鹽電解法制備Mg時(shí),常加入NaCl、KCl或CaCl2等金屬氯化物,其主要作用除了降低熔點(diǎn)之外還有:增大離子濃度,從而增大熔融鹽的導(dǎo)電性。
(2)⑧應(yīng)為黑色。
(3)表中氟化物熔點(diǎn)差異的原因:NaF與MgF2為離子晶體,SiF4為分子晶體,所以NaF與MgF2熔點(diǎn)遠(yuǎn)比SiF4熔點(diǎn)要高。又因?yàn)?/p>
13、Mg2+的半徑小于Na+的半徑,其電荷數(shù)又是Na+的兩倍,所以MgF2的離子鍵強(qiáng)度大于NaF的離子鍵強(qiáng)度,故MaF2的熔點(diǎn)大于NaF。
答案:見(jiàn)解析。
11解析:n(D+)=12×+9=12,n(EC)=8×+6×=4,可得該物質(zhì)的化學(xué)式為D3EC6, D為+1價(jià),故x=3,所以選C。其他選項(xiàng)均不正確。
答案:C
12解析:解此類(lèi)題目要求我們:通過(guò)認(rèn)真分析科學(xué)數(shù)據(jù),從中找出科學(xué)規(guī)律。晶格能高的晶體,熔點(diǎn)較高,更容易在巖漿冷卻過(guò)程中先結(jié)晶析出;先晶出橄欖石后晶出云母。晶格能越大,形成的離子晶體越穩(wěn)定,熔點(diǎn)越高,硬度越大。此題使我們從定量的角度加深了對(duì)晶格能的認(rèn)識(shí),并更加深刻地體會(huì)到晶格能
14、影響離子晶體的性質(zhì)。
答案:(1)先橄欖石后云母
(2)石英的晶格能較小,所以石英總是在各種硅酸鹽析出后才晶出
(3)橄欖石高于云母 橄欖石高于云母
13解析:(1)要確定NiO的密度,就應(yīng)確定單位體積中NiO分子的個(gè)數(shù),再結(jié)合NiO的摩爾質(zhì)量求算出該晶體中NiO的質(zhì)量,最后求出密度。如圖所示,以立方體作為計(jì)算單元,此結(jié)構(gòu)中含有Ni2+——O2-離子數(shù)為:4×= (個(gè)),所以1 mol NiO晶體中應(yīng)含有此結(jié)構(gòu)的數(shù)目為6.02×1023÷=12.04×1023(個(gè)),又因一個(gè)此結(jié)構(gòu)的體積為(a×10-8cm)3,所以1 mol NiO的體積為12.04×1023×(a×10-8cm)3
15、,NiO的摩爾質(zhì)量為74.7 g·mol-1,所以NiO晶體的密度為
=(g·cm-3)
(2)解法一(列方程法):設(shè)1 mol Ni0.97O中含Ni3+為x mol,Ni2+為y mol,則得
x+y=0.97(Ni原子個(gè)數(shù)守恒)
3x+2y=2(電荷守恒)
解得x=0.06 , y=0.91 故n(Ni3+)∶n(Ni2+) = 6∶91
解法二(直接分析法):依題意,一個(gè)Ni2+空缺,另有兩個(gè)Ni2+被兩個(gè)Ni3+取代。由Ni0.97O可知,每100個(gè)氧離子,就有97個(gè)鎳離子,有3個(gè)Ni2+空缺,也就有6個(gè)Ni2+被Ni3+所取代,所以Ni3+有6個(gè),Ni2+為97-6=91個(gè),即Ni3+與Ni2+之比為6∶91。
答案:見(jiàn)解析。