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1、2022高中化學 第四章 材料家族中的元素 第1節(jié) 硅 無機非金屬材料 第一課時學案魯科版必修1
學習目標:
1、掌握硅、二氧化硅的物理化學性質(zhì),粗硅的制法。
2、認識硅、二氧化硅作為無機非金屬材料的特性及其用途。
學習過程:
一、半導體材料與單質(zhì)硅
1、半導體材料
(1)半導體材料的特點:特指導電能力 的一類材料。
(2)常見的半導體材料:最早使用的半導體材料是 ,現(xiàn)在最廣泛使用的半導體材料是 。
(3)為什么現(xiàn)在廣泛使用的半導體材料是硅而不是鍺?
2、非金屬單質(zhì)的一般性
2、質(zhì)有哪些?
3、硅的性質(zhì)
(1)硅的存在
在地殼里,硅的含量僅次于 ,全部以 存在,主要存在形式為
和 。
(2)物理性質(zhì):
①單質(zhì)硅有 和 兩種;
②晶體硅是 色、有 、 的固體;
③單質(zhì)硅的導電性 。
(3)硅的化學性質(zhì):
①在常溫下,硅的化學性質(zhì)
3、;在加熱條件下,硅能與 發(fā)
生反應(yīng)。完成下列化學反應(yīng)的方程式:
硅在氧氣中燃燒:
硅與氟氣反應(yīng):
硅與氯氣反應(yīng):
②粗硅的制備:
③硅與酸反
4、應(yīng):
硅很穩(wěn)定,不與濃硫酸、濃硝酸等強酸反應(yīng),但硅能和氫氟酸反應(yīng)。方程式為:
④硅與堿反應(yīng):
硅與氫氧化鈉溶液反應(yīng):
4、硅的用途用途有哪些?
二、二氧化硅和光導纖維
1、二氧化硅廣泛存在于 ,是 和 的主要成分。
2.二氧化硅的物理性質(zhì):
當你吃飯時不小心咬到一粒砂子,感覺如何?你能從中體會出
5、二氧化硅的哪些物理性質(zhì)?
3、二氧化硅的化學性質(zhì)
(1) 氧化物,能與堿溶液緩慢反應(yīng)生成鹽,在高溫條件下,能與堿性氧化物反應(yīng)生成鹽。
①二氧化硅和氫氧化鈉溶液反應(yīng):
;在化學實驗室中,盛裝強堿的玻璃瓶不能用玻璃塞。
②二氧化硅和生石灰反應(yīng):
6、。
(2)與氫氟酸反應(yīng)
思考:該反應(yīng)為什么可以發(fā)生?它滿足復(fù)分解反應(yīng)的哪個條件?
盛放氫氟酸,可以用玻璃試劑瓶嗎?
(3)二氧化硅和鹽發(fā)生反應(yīng)
①二氧化硅和純堿反應(yīng) 。
②二氧化硅和石灰石反應(yīng) 。
(4)二氧化硅和木炭粉反應(yīng): 。
4.二氧化硅的用途:
7、 。
反饋練習:
1、下列說法正確的是( )
A.半導體材料是指在某一溫度下,電阻為零的導體
B.半導體材料是指在某某一溫度下,電阻為無窮大的導體
C.半導體材料是指導電能力介于導體與絕緣體之間的一類材料
D.使用最早、最廣泛的半導體材料是硅
2、下列關(guān)于硅和二氧化硅說法正確的是( )
A.硅是一種親氧元素,在自然界中總是與氧相互化合,沒有游離態(tài)
B.硅用途廣泛,常被用來制造光導纖維
C.二氧化硅常被用來制造石英表中的壓電
8、材料和太陽能電池
D.硅是構(gòu)成礦物巖石的主要原料,其化合態(tài)硅幾乎全部是二氧化硅
3、下列說法正確的是( )
A.氫氟酸能用于刻蝕玻璃,所以氫氟酸是強酸
B.氫氟酸與二氧化硅反應(yīng)生成硅酸
C.非金屬氧化物的熔沸點一般較低, SiO2的卻很高
D.二氧化硅既能與氫氟酸反應(yīng)又能和氫氧化鈉反應(yīng),所以二氧化硅是兩性氧化物
4、下列化學反應(yīng)方程式書寫不正確的是( )
A. SiO2 + 2NaOH Na2SiO3 +H2O
B. SiO2 + CaO 高溫 CaSiO3
C. SiO2 + C 高溫 Si + CO2↑
D. SiO2 + 4HF
9、 SiF4↑ + 2H2O
課時作業(yè):
1、下面有關(guān)硅的敘述中正確的是( )
A.硅原子既不易失去電子又不易得到電子,主要形成4價的化合物,自然界中存在游離態(tài)的硅
B.硅是構(gòu)成礦物和巖石的主要元素,硅在地殼中的含量在所有的元素中居第一位
C.硅的化學性質(zhì)不活潑,常溫下不與任何物質(zhì)反應(yīng),當加熱到一定溫度時,能與O2、Cl2等非金屬單質(zhì)反應(yīng)
D.硅在電子工業(yè)中,是最重要的半導體材料
2、有科學家提出硅是“21世紀的能源”“未來的石油”的觀點。假如硅作為一種普遍使用的新型能源被開發(fā)利用,下列關(guān)于其有利因素的說法中,你認為錯誤的是( )
A.硅便于運輸、貯存,從安全角度考慮,硅是最佳
10、的燃料
B.自然界中存在大量單質(zhì)硅
C.硅燃燒放出的熱量大,且燃燒產(chǎn)物對環(huán)境污染程度低,容易有效控制
D.地殼中硅的儲量豐富
3、下列有關(guān)Si及SiO2的用途說法不正確的是( )
A.SiO2用于制造光導纖維 B.水晶、瑪瑙和石英的主要成分都是SiO2
C.在自然界中不存在單質(zhì)硅 D.因為Si是導體,所以可以用于制造集成電路
4、下列敘述錯誤的是( )
A.氦氣可用于填充飛艇 B.氯化鐵可用于硬水的軟化
C.石英砂可用于生產(chǎn)單晶硅 D.聚四乙烯可用于廚具表面涂層
5、下列有關(guān)試劑
11、的保存方法中錯誤的是( )
A.氫氧化鈉溶液盛裝在用橡膠塞的試劑瓶中 B.氫氟酸盛裝在細口玻璃瓶中
C.硫酸亞鐵溶液存放在加有少量鐵粉的試劑瓶中 D.金屬鈉保存在石蠟油或煤油中
6、要除去SiO2中混有的少量CaO雜質(zhì),最適宜的試劑是( )
A.純堿溶液 B.鹽酸 C.硫酸 D.氫氧化鈉溶液
7、有一粗硅中僅混有鐵這一種雜質(zhì),取等質(zhì)量的兩份樣品分別投入足量的稀鹽酸和足量的稀氫氧化鈉溶液中,放出等量的氫氣,則該粗硅中鐵和硅的關(guān)系正確的是()
A.物質(zhì)的量之比為1∶1 B
12、.物質(zhì)的量之比為2∶1
C.質(zhì)量之比為3∶2 D.質(zhì)量之比為2∶1
8、 在給定的條件下,下列選項所示的物質(zhì)間轉(zhuǎn)化均能實現(xiàn)的是( )
A.
B.
C.
D.
9、在高溫下,碳與硅可形成SiC。對于化學反應(yīng)SiO2 + 3C 高溫 SiC + 2CO2↑,有關(guān)敘述正確的是()
A.反應(yīng)中SiO2是氧化劑,C是還原劑 B.硅元素被還原了,碳元素被氧化了
C.在反應(yīng)中C既是氧化劑又是還原劑 D.在反應(yīng)中氧化劑與還原劑的物質(zhì)的量之比為2∶1
10、如圖所示,A是有金屬光澤的非金屬固體單質(zhì),A、B、D、E的變化關(guān)系如下,
13、回答下列問題:(1)寫出A、D的名稱
A: D: ?
(2)寫出B→A的化學方程式:
D→B的化學方程式:
(3)寫出下列反應(yīng)的離子方程式
E→D:
B→E:
14、
11、制備硅半導體材料必須先得到高純硅。三氯甲硅烷(SiHCl3)還原法是當前制備高純硅的主要方法,生產(chǎn)過程示意圖如下:
(1)寫出由純SiHCl3制備高純硅的化學反應(yīng)方程式:
(2)整個制備過程過程必須嚴格控制無水無氧。SiHCl3與水劇烈反應(yīng)生成H2SiO3、HCl和另一種物質(zhì),寫出配平的化學反應(yīng)方程式:
氫氣還原SiH
15、Cl3過程中若混入O2,可能引起的后果是:
。
12、晶體硅是一種重要的非金屬材料,制備純硅的主要步驟如下:
①高溫條件下碳還原二氧化硅制備粗硅;②粗硅與干燥的HCl氣體反應(yīng)制得SiHCl3;
③SiHCl3與過量的H2在1000℃-1100℃下反應(yīng)的到純硅。已知SiHCl3能與H2O強烈反應(yīng),在空氣中自燃。請回答下列問題:
(1)第①步制備粗硅的化學反應(yīng)方程式為
(2)粗硅與HCl反應(yīng)完全后,經(jīng)冷凝得到S
16、iHCl3(沸點33℃)中含有少量的SiCl4(沸點57.6℃)和HCl(沸點84.7℃),提純SiHCl3采用的方法為 。
(3)用SiHCl3與過量的H2反應(yīng)制備純硅的裝置圖如下(熱源和加持裝置略去):
①裝置A中進行的是實驗室制備氫氣的反應(yīng),
請寫出化學反應(yīng)方程式:
。
②裝置B的作用是 ,其中盛裝的試
劑是 。 A B C D
③裝置C為SiHCl3液體的汽化裝置,裝置D為制備純硅的反應(yīng)裝置,請寫出裝置D中所發(fā)生化學反應(yīng)的方程式 。
① 為保證實驗的成功,操作的關(guān)鍵是檢查裝置的氣密性和 。