《第四章 單元檢測(cè)題(3)》由會(huì)員分享，可在線閱讀，更多相關(guān)《第四章 單元檢測(cè)題(3)（5頁(yè)珍藏版）》請(qǐng)?jiān)谘b配圖網(wǎng)上搜索。
1、第四章 單元檢測(cè)題（3）
班別 姓名 學(xué)號(hào) 考分
考試時(shí)間 45分鐘 總分 100分
一、選擇題（每小題只有一個(gè)選項(xiàng)符合題意，每小題2分，共10分）
1．在實(shí)驗(yàn)室中用純堿和石英粉制取硅酸鈉要在熔化狀態(tài)時(shí)反應(yīng)．現(xiàn)有儀器：①酒精噴燈?、谡舭l(fā)皿?、坫y坩堝 ④鐵坩堝?、萑羌芎湍嗳恰、薮邵釄?，在實(shí)驗(yàn)時(shí)能用的是 （ ）
A．①②③
2、 B．②③④ C．①④⑤ D．④⑤⑥
2．下列敘述中錯(cuò)誤的是 （ ）
A．SiO2是硅酸和原硅酸的酸酐，但不能由SiO2直接制兩種酸
B．二氧化硅是通訊材料光導(dǎo)纖維的主要原料
C．氧化鋁陶瓷、碳化硅陶瓷都是重要的高溫結(jié)構(gòu)陶瓷
D．二氧化硅熔點(diǎn)與干冰相差不大。它們都是酸性氧化物
3．下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是 （ ）
A．材料可按化學(xué)組成或狀態(tài)
3、、性質(zhì)、效應(yīng)、用途進(jìn)行分類
B．橡膠、化纖屬于有機(jī)高分子材料
C．信息材料主要包括液晶材料、光導(dǎo)材料和半導(dǎo)體材料
D．景德鎮(zhèn)生產(chǎn)的陶瓷屬于金屬材料
4．假設(shè)原子晶體SiO2中Si 原子被Al原子取代，不足的價(jià)數(shù)有K原子補(bǔ)充，、當(dāng)有25％的硅原子被鋁原子取代時(shí)?？尚纬烧L(zhǎng)石。則正長(zhǎng)石的化學(xué)組成是 （ ）
A．KAlSiO4 B．KAlSi2O6 C．KAlSi3O8 D．KAlSi4O10
5．三峽工程是目前世界上最大的水利樞紐，它所提供的清潔、廉價(jià)且再生的水電，相當(dāng)于每年5000萬(wàn)噸原煤的火力發(fā)電廠產(chǎn)生的電能，因此三峽
4、工程的建成和使用有助于控制：①氮氧化物的排放 ②酸雨的形成 ③臭氧空洞擴(kuò)大 ④溫室效應(yīng) ⑤白色污染 （ ）
A．①②④ B．②④ C．③④ D．①②⑤
二、選擇題（每小題可能有1～2個(gè)選項(xiàng)符合題意，每小題3分，共30分）
6．某種氣體可能是由CO、CO2、H2、NH3、HCl和H2O（g）中的一種或幾種組成，現(xiàn)使其依次通過(guò)下列藥品：①澄清石灰水 ②Ba(OH)2溶液 ③濃H2SO4
5、 ④灼熱的CuO ⑤無(wú)水CuSO4粉末，結(jié)果觀察到的實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象是：①中未見渾濁，②中變渾濁，③中無(wú)明顯現(xiàn)象，④中有紅色物質(zhì)產(chǎn)生，⑤中固體變藍(lán)。若以上實(shí)驗(yàn)中，每一步反應(yīng)都充分進(jìn)行，則原混合氣體中 （ ）
A．一定有H2、CO2和HCl，可能有CO和H2O(g)，肯定無(wú)NH3
B．一定有CO2和HCl，可能有H2
C．一定有H2、CO2和CO，可能有HCl
D．一定有H2、一定沒有CO
7．Fe與硝酸反應(yīng)隨溫度和硝酸的濃度不同而產(chǎn)物不同。已知0.2mol HNO3
6、做氧化劑時(shí)，恰好將0.4mol Fe氧化為Fe2＋，則HNO3將被還原成 （ ）
A．NH4＋ B．N2O C．NO D．NO2
8．在一倒置于水槽且裝滿水的容器中，依次通入一定體積的NO2、NO和O2，充分反應(yīng)后，若容器中仍充滿水，則通入的NO2、NO和O2體積比可能是 （ ）
A．1:1:1 B．4:3:2 C．4:16:13 D．4:3:4
9．一定質(zhì)量的銅與足量的濃硝酸或稀硝酸完全反應(yīng)，在相同條
7、件下用排水集氣法收集產(chǎn)生的氣體。下列敘述正確的是 （ ）
A．硝酸濃度越大，消耗的硝酸越少
B．硝酸濃度不同，生成Cu(NO3)2物質(zhì)的量相同
C．硝酸濃度越大，產(chǎn)生的氣體越少
D．用排水集氣法收集到的氣體在相同狀況下體積相同
10．某溫度下將Cl2通入KOH溶液里，反應(yīng)后得到KCl、KClO、KClO3的混合溶液，經(jīng)測(cè)定ClO―與ClO3―的物質(zhì)的量濃度之比為11:1，則Cl2與KOH反應(yīng)時(shí)，被還原的氯元素和被氧化的氯元素的物質(zhì)的量之比為
8、 （ ）與測(cè)定O3體積相同的氣體在水利樞紐溫結(jié)構(gòu)陶瓷
第四章 單元檢測(cè)題(3)
