《天津大學(xué)模電課件 三極管特性曲線參數(shù)及場(chǎng)效應(yīng)》由會(huì)員分享，可在線閱讀，更多相關(guān)《天津大學(xué)模電課件 三極管特性曲線參數(shù)及場(chǎng)效應(yīng)（38頁(yè)珍藏版）》請(qǐng)?jiān)谘b配圖網(wǎng)上搜索。

1、 共 發(fā) 射 極 接 法 的 供 電 電 路 和 電 壓 -電 流關(guān) 系 如 圖 所 示 。圖 共 發(fā) 射 極 接 法 的 電 壓 -電 流 關(guān) 系雙 極 型 半 導(dǎo) 體 三 極 管 的 特 性 曲 線 iB是 輸 入 電 流 ， vBE是 輸 入 電 壓 ， 加 在 B、E兩 電 極 之 間 。 iC是 輸 出 電 流 ， vCE是 輸 出 電 壓 ， 從 C、 E 兩 電 極 取 出 。 輸 入 特 性 曲 線 iB=f(vBE) vCE=const 輸 出 特 性 曲 線 iC=f(vCE) iB=const共 發(fā) 射 極 接 法 三 極 管 的 特 性 曲 線 ， 即 (1) 輸 入

2、特 性 曲 線 (2)輸 出 特 性 曲 線 共 發(fā) 射 極 接 法 的 輸 出 特 性 曲 線 如 圖 02.06所 示 ， 它 是 以iB為 參 變 量 的 一 族 特 性 曲 線 。 現(xiàn) 以 其 中 任 何 一 條 加 以 說 明 ，當(dāng) vCE=0 V時(shí) ， 因 集 電 極 無 收 集 作 用 ， iC=0。 當(dāng) vCE稍 增 大 時(shí) ，發(fā) 射 結(jié) 雖 處 于 正 向 電 壓之 下 ， 但 集 電 結(jié) 反 偏 電壓 很 小 ， 如 vCE 1 V v BE=0.7 V vCB= vCE- vBE= 0， VGS=0， ID不 等 于 零 。（ 2） VGS 0時(shí) ， ID 。（ 3） V

3、GS 0時(shí) ， ID 。圖 N溝 道 耗 盡 型 MOSFET的 結(jié) 構(gòu) (a) 結(jié) 構(gòu) 示 意 圖 (b) 轉(zhuǎn) 移 特性 曲 線 圖 02.17 N溝 道 耗 盡 型 MOSFET的 結(jié) 構(gòu) 和 轉(zhuǎn) 移 特 性 曲 線 (2)N溝 道 耗 盡 型 MOSFET (3)P溝 道 耗 盡 型 MOSFET P溝 道 MOSFET的 工 作 原 理 與 N溝 道MOSFET完 全 相 同 ， 只 不 過 導(dǎo) 電 的 載 流子 不 同 ， 供 電 電 壓 極 性 不 同 而 已 。 這 如同 雙 極 型 三 極 管 有 NPN型 和 PNP型 一 樣 。 圖 02.18 各 類 場(chǎng) 效 應(yīng) 三 極

4、管 的 特 性 曲 線絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管 N溝道增強(qiáng)型P溝道增強(qiáng)型 伏 安 特 性 曲 線 絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管 N溝道耗盡型P 溝道耗盡型 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管 N溝道耗盡型P溝道耗盡型 2.2.4 場(chǎng) 效 應(yīng) 三 極 管 的 參 數(shù) 和 型 號(hào)(1) 場(chǎng) 效 應(yīng) 三 極 管 的 參 數(shù) 開 啟 電 壓 VGS(th) (或 VT) 開 啟 電 壓 是 MOS增 強(qiáng) 型 管 的 參 數(shù) ， 柵 源 電 壓 小 于開 啟 電 壓 的 絕 對(duì) 值 , 場(chǎng) 效 應(yīng) 管 不 能 導(dǎo) 通 。 夾 斷 電 壓 VGS(off) (或 VP) 夾 斷 電 壓 是 耗 盡 型 FET的 參 數(shù) ， 當(dāng) VGS=VGS(off

5、) 時(shí) ,漏 極 電 流 為 零 。 飽 和 漏 極 電 流 I DSS 耗 盡 型 場(chǎng) 效 應(yīng) 三 極 管 , 當(dāng) VGS=0時(shí) 所 對(duì) 應(yīng) 的 漏 極 電流 。 輸 入 電 阻 RGS 場(chǎng) 效 應(yīng) 三 極 管 的 柵 源 輸 入 電 阻 的 典 型 值 ， 對(duì) 于結(jié) 型 場(chǎng) 效 應(yīng) 三 極 管 ， 反 偏 時(shí) RGS約 大 于 107， 對(duì) 于絕 緣 柵 型 場(chǎng) 效 應(yīng) 三 極 管 , RGS約 是 109 1015。 低 頻 跨 導(dǎo) gm 低 頻 跨 導(dǎo) 反 映 了 柵 壓 對(duì) 漏 極 電 流 的 控 制 作 用 ，這 一 點(diǎn) 與 電 子 管 的 控 制 作 用 相 似 。 gm可 以 在 轉(zhuǎn) 移 特性 曲 線 上 求 取 ， 單 位 是 mS(毫 西 門 子 )。 最 大 漏 極 功 耗 PDM 最 大 漏 極 功 耗 可 由 P DM= VDS ID決 定 ， 與 雙 極 型三 極 管 的 PCM相 當(dāng) 。