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1、精選優(yōu)質(zhì)文檔-----傾情為你奉上 學(xué)院： 年級/班級： 姓名： 學(xué)號： 裝 訂 線 內(nèi) 不 要 答 題 化學(xué)本科《結(jié)構(gòu)化學(xué)》期末考試試卷（B）（時間120分鐘） 題號 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 得分 得分 得分 評卷人 復(fù)核人 一、填空題（每小題2分，共20分） 1、一維無限深勢阱中的粒子，已知處于基態(tài)時，在——————處幾率密

2、度最大。 2、原子軌道是原子中單電子波函數(shù)，每個軌道最多只能容納——————個電子。 3、O2的鍵能比O2+的鍵能——————。 4、在極性分子AB中的一個分子軌道上運動的電子，在A原子的原子軌道上出現(xiàn)幾率為36%，在B原子的原子軌道上出現(xiàn)幾率為64%, 寫出該分子軌道波函數(shù)———————————————。 5、分裂能：—————————————————————————————。 6、晶體按對稱性分共有—————晶系。晶體的空間點陣型式有多少種：———。 7、從CsCl晶體中能抽出—————點陣。結(jié)構(gòu)基元是：———。 8、對氫原子 1s 態(tài)： 在 r 為________

3、_______處有最高值； 9、諧振子模型下，雙原子分子振動光譜選律為：_____________________________。 10、晶體場穩(wěn)定化能：__________________________________________________。 二、選擇題（每小題2分，共30分） 得分 評卷人 復(fù)核人 1、微觀粒子的不確定關(guān)系，如下哪種表述正確？ （ ） （A）坐標(biāo)和能量無確定值 （B）坐標(biāo)和能量不可能同時有確定值 （C）若坐標(biāo)準(zhǔn)確量很小，則動量有確定值， （D）動量值越不準(zhǔn)確，坐標(biāo)值也越不準(zhǔn)確。

4、 2、決定多電子原子軌道的能量的因素是： （ ） （A）n (B)n,l,Z (C)n+0.7l (D)n,m 3、氫原子3d狀態(tài)軌道角動量沿磁場方向的分量最大值是 （A） （B） （C） （D） 4、雜化軌道是： （ ） （A）兩個原子的原子軌道線性組合形成的一組新的原子軌道。 （B）兩個分子的分子軌道線性組合形成的一組新的分子軌道。 （A）一個原子的

5、不同類型的原子軌道線性組合形成的一組新的原子軌道。 （A）兩個原子的原子軌道線性組合形成的一組新的分子軌道。 5、八面體配合物中哪能個電子結(jié)構(gòu)不發(fā)生畸變？ （A） （B） （C） （D） 6、對于"分子軌道"的定義，下列敘述中正確的是：----- ------------ ( ) (A) 分子中電子在空間運動的波函數(shù) (B) 分子中單個電子空間運動的波函數(shù) (C) 分子中單電子完全波函數(shù)(包括空間運動和自旋運動) (D) 原子軌道線性組合成的新軌道 7、下列分子鍵長次

6、序正確的是 ( ) （A） （B） （C） （D） 8、按晶體場理論，在Oh 場中沒有高低自旋配合物之分的組態(tài)是 ( ) （A） （B） （C） （D） 9、CO與過渡金屬形成羰基配合物時，CO鍵會 ( ) （A）不變 （B）加強 （C）削弱 （D）斷裂 10、配合物的光譜（d-d躍遷）一般發(fā)生在什么區(qū)域？

7、( ) （A）遠紫外 （B）紅外 （C）可見-近紫外 （D）微波 11、配合物中心離子的d軌道在Oh場下，分裂為幾個能級？ ( ) （A）2 （B）3 （C）4 （D）5 12、A1型密堆積的空間點有率為。 （ ） Ａ）34.01% B)68.02% Ｃ）71.05% Ｄ）100% 13、估計下列化合物的熔點和硬度的變化次序正確的為 （ ） Ａ）KCl

8、iC Ｂ）SiC

9、卷人 復(fù)核人 三、簡答題（1,2題各3分，3小題4分共10分） 1、分子軌道理論要點： 2、用晶體場理論說明穩(wěn)定，而不穩(wěn)定的原因。 3、什么是晶體衍射兩要素？什么是晶胞兩要素？兩者有什么內(nèi)在關(guān)系？ … 專心---專注---專業(yè) 得分 評卷人 復(fù)核人 四、計算題（每小題8分，共40分） 1、試計算氫原子的。計算： （1）原子軌道能 （2）軌道角動量的絕對值 （3）軌道角動量在Z軸的分量 2、計算

10、A2堆積的空間利用率和消光規(guī)律． 3、已知H35Cl的純轉(zhuǎn)動光譜每二譜線間的間隔為20.8cm-1，試求其鍵長。 4、用ＨＭＯ法解 [Ｈ２Ｃ＝ＣＨ－ＣＨ２]+ 的π鍵能級和離域能。 5、計算d6構(gòu)型在正八面體場中的晶體場穩(wěn)定化能 標(biāo)準(zhǔn)答案及評分細則 一、填空題：（20分，每小題2分） 1、 L/2 2、 2 3、 小 4、 5、 一個電子由低能的d軌道進入高能的d軌道所需的能量。 6、 7，230 7、 簡單立方，CsCl 8、 核

11、附近。 9、 極性分子， 10、 將d電子從未分裂的d軌道Es能級進入分裂的d軌道時，所產(chǎn)生的總能量下降值。 二、選擇題（30分，每小題2分） 1、 A 2 B 3、D 4、C 5、D 6、B 7、A 8、A 9、C 10、C 11、A 12、C 13、A 14、B 15、D 三、簡答題（10分，1，2小題各3分，3小題 4分） 1、（1）單電子近似，分子軌道。 （2）分子軌道由原子軌道線性組合而成（1分） （3）原子軌道有效構(gòu)成分子軌道，滿足成鍵三原則：能量相近，最大重迭，對稱性一致。（1分） （4）電子在分子軌道上排布滿足

12、：能量最低，洪特規(guī)則，保里原理。（1分） 2、 中d 電子排布為，中d 電子排布為，因為為低能級。而為高能級，所以它上面的電子易失去。說明穩(wěn)定，而不穩(wěn)定 3、 什么是晶體衍射兩要素？什么是晶胞兩要素？兩者有什么內(nèi)在關(guān)系？ 衍射兩要素：衍射方向和衍射強度。（1分） 晶胞兩要素：晶胞型式和晶胞內(nèi)容。（1分） 衍射方向與晶胞型式由Laue方程關(guān)聯(lián)。（1分） 衍射強度與和晶胞內(nèi)容由結(jié)構(gòu)因子公式關(guān)聯(lián)。（1分） 四、計算題（40分，每小題 8分） 1、解 因為n=2,l=1,m=0 (2分) （1）E=-13.6/4(Ev) (2分) （2）=

13、(2分) （3）=0 (2分) 2、解 (1) 空間利用率: (1分) （1分） （2分） (2) 消光規(guī)律: 分數(shù)坐標(biāo)：（0，0，0）（1/2，1/2，1/2）（1分） （1分） = h+k+l 奇數(shù)時F=0，h+k+l 偶數(shù)時F=2f， 即消光規(guī)律為h+k+l=奇數(shù)。（2分） 3、解 （2分） （2分） （2分） （2分） 4、解 (2分) （2分） (2分) (2分) 5、 解 強配體：CFSE=0-（6（-4Dq）+2P） (2分) =24Dq-2P (2分) 弱配體：CFSE=0-（4（-4Dq）+2（6Dq）） (2分) =4Dq (2分)