《2019-2020學(xué)年高中物理 第2章 固體、液體和氣體 第2節(jié) 晶體的微觀結(jié)構(gòu) 第3節(jié) 固體新材料課后提能訓(xùn)練 粵教版選修3-3》由會(huì)員分享，可在線閱讀，更多相關(guān)《2019-2020學(xué)年高中物理 第2章 固體、液體和氣體 第2節(jié) 晶體的微觀結(jié)構(gòu) 第3節(jié) 固體新材料課后提能訓(xùn)練 粵教版選修3-3（3頁(yè)珍藏版）》請(qǐng)?jiān)谘b配圖網(wǎng)上搜索。

1、第2節(jié) 晶體的微觀結(jié)構(gòu) 第3節(jié) 固體新材料 一、選擇題：在每小題給出的四個(gè)選項(xiàng)中，第1～4題只有一項(xiàng)符合題目要求，第5～9題有多項(xiàng)符合題目要求． 1．關(guān)于晶體和非晶體的下列說(shuō)法，正確的是(　　) A．凡是晶體，都具有確定的幾何外形 B．金屬整體表現(xiàn)為各向同性，故金屬是非晶體 C．化學(xué)成分相同的物質(zhì)，只能生成同一晶體 D．晶體的各向異性是由于組成晶體的微粒呈現(xiàn)有序排列的結(jié)果 【答案】D 2．石墨和金剛石，性質(zhì)有很大差異，是由于(　　) A．石墨是各向異性的而金剛石是各向同性的 B．它們的化學(xué)成分不同 C．它們的物質(zhì)微粒形成不同的結(jié)構(gòu) D．它們都是各向異性的 【答案】

2、C 3．晶體在熔化過(guò)程中所吸收的熱量，主要用于(　　) A．破壞空間點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)，增加分子動(dòng)能 B．破壞空間點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)，增加分子勢(shì)能 C．破壞空間點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)，增加分子勢(shì)能，同時(shí)增加分子動(dòng)能 D．破壞空間點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)，但不增加分子勢(shì)能和分子動(dòng)能 【答案】B　[晶體有固定的熔點(diǎn)，熔化過(guò)程吸收的熱量用于破壞空間點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)，因溫度不變，所以分子動(dòng)能不變，吸收的熱量用于增加分子勢(shì)能，內(nèi)能增加，所以選項(xiàng)B正確．] 4．下列說(shuō)法不正確的是(　　) A．新材料特殊的性能是指特殊的物理性能，而不是化學(xué)性能 B．制作集成電路時(shí)，盡管對(duì)硅單晶片的完整性有很高的要求，但是可以允許單晶片內(nèi)原子的規(guī)則排列出現(xiàn)微小的缺

3、陷 C．晶體內(nèi)的微觀粒子在一定的平衡位置附近不停地做微小震動(dòng) D．金屬薄膜可以配合讀寫磁頭設(shè)計(jì)的改進(jìn)，增大磁記錄的密度 【答案】B　[新材料的特殊性能是指物理性能，A正確；制作集成電路的硅單晶片是不允許硅單晶片內(nèi)原子的規(guī)則排列出現(xiàn)微小的缺陷的，B錯(cuò)；晶體內(nèi)的微觀粒子在一定的平衡位置附近不停地做微小震動(dòng)，C正確；由于金屬薄膜的晶粒尺寸小，晶粒各向異性大，晶粒間的相互交換作用弱，是可以配合讀寫磁頭的改進(jìn)增大磁記錄的密度的，D正確．] 5．下列關(guān)于白磷與紅磷的說(shuō)法，正確的是(　　) A．它們是由不同的物質(zhì)微粒組成 B．它們有不同的晶體結(jié)構(gòu) C．它們具有相同的物理性質(zhì) D．白磷的燃點(diǎn)低，紅

4、磷的燃點(diǎn)高 【答案】BD 6．有關(guān)晶體的排列結(jié)構(gòu)，下列說(shuō)法正確的是(　　) A．同種元素原子按不同結(jié)構(gòu)排列有相同的物理性質(zhì) B．同種元素原子按不同結(jié)構(gòu)排列有不同的物理性質(zhì) C．同種元素形成晶體只能有一種排列規(guī)律 D．同種元素形成晶體可能有不同的排列規(guī)律 【答案】BD　[同一種元素在空間可以有不同的結(jié)構(gòu)排列，如金剛石和石墨、紅磷和白磷，由于它們有不同的結(jié)構(gòu)排列，決定了它們有不同的物理性質(zhì)，故B、D正確．] 7．關(guān)于晶體和非晶體，下列說(shuō)法正確的是(　　) A．金剛石、食鹽、玻璃和水晶都是晶體 B．晶體的分子(或原子、離子)排列是有規(guī)則的 C．單晶體和多晶體有固定的熔點(diǎn)，非晶體

5、沒(méi)有固定的熔點(diǎn) D．單晶體和多晶體的物理性質(zhì)是各向異性的，非晶體是各向同性的 【答案】BC 8．關(guān)于晶體和非晶體，下列說(shuō)法正確的是(　　) A．人造晶體在現(xiàn)代技術(shù)中應(yīng)用廣泛，但沒(méi)有固定的熔點(diǎn) B．晶體內(nèi)部的物質(zhì)微粒按一定規(guī)則排列且不停振動(dòng)，非晶體內(nèi)部的物質(zhì)微粒在不停地運(yùn)動(dòng)著 C．晶體內(nèi)部的微粒是靜止的，而非晶體內(nèi)部的物質(zhì)微粒卻在不停地運(yùn)動(dòng)著 D．晶體管的制造材料是晶體 【答案】BD　[有確定熔點(diǎn)是晶體的屬性，A錯(cuò)誤；組成物質(zhì)的微粒永遠(yuǎn)在做熱運(yùn)動(dòng)，不管是晶體還是非晶體，C錯(cuò)誤；晶體管是由晶體材料制成的，D正確．] 9．關(guān)于導(dǎo)體和半導(dǎo)體材料的敘述正確的是(　　) A．半導(dǎo)體材料

6、是具有優(yōu)異特性的微電子材料 B．從導(dǎo)電性能上來(lái)看，半導(dǎo)體的電阻率小于金屬導(dǎo)體和絕緣體 C．微電子工業(yè)中使用的半導(dǎo)體材料主要是硅和砷化鎵 D．二氧化硅的機(jī)械強(qiáng)度高，結(jié)晶性能好，在自然界中儲(chǔ)量豐富，成本低，是制造晶體管和集成電路的主要材料 【答案】AC　[半導(dǎo)體材料是具有優(yōu)異特性的微電子材料，半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能會(huì)隨某些物理因素的改變而改變，半導(dǎo)體的電阻率介于金屬導(dǎo)體(電阻率<10－3 Ω·m)和絕緣體(電阻率>1012 Ω·m)之間．微電子工業(yè)中使用的半導(dǎo)體材料主要是硅和砷化鎵．硅的機(jī)械強(qiáng)度高，結(jié)晶性能好，在自然界中儲(chǔ)量豐富，成本低，是制造晶體管和集成電路的主要材料．故選A、C．] 二、非

7、選擇題 10．下列說(shuō)法正確的是________． A．將一塊晶體敲碎后，得到的小顆粒是非晶體 B．固體可以分為晶體和非晶體兩類，有些晶體在不同的方向上有不同的光學(xué)性質(zhì) C．由同種元素構(gòu)成的固體，可能會(huì)由于原子的排列方式不同而成為不同的晶體 D．在合適的條件下，某些晶體可以轉(zhuǎn)化為非晶體，某些非晶體也可以轉(zhuǎn)化為晶體 E．在熔化過(guò)程中，晶體要吸收熱量，但溫度保持不變，內(nèi)能也保持不變 【答案】BCD　[晶體有固定的熔點(diǎn)，并不會(huì)因?yàn)轭w粒的大小而改變，即使敲碎為小顆粒，仍舊是晶體，選項(xiàng)A錯(cuò)．根據(jù)是否有固定的熔點(diǎn)，可以把固體分為晶體和非晶體兩類，晶體有各向異性，選項(xiàng)B對(duì)．同種元素構(gòu)成的可能由于原子的排列方式不同而形成不同的晶體如金剛石和石墨，選項(xiàng)C對(duì)．晶體的分子排列結(jié)構(gòu)如果遭到破壞，就可能形成非晶體，反之亦然，選項(xiàng)D對(duì)．熔化過(guò)程中，晶體要吸熱，溫度不變，但是內(nèi)能增大，選項(xiàng)E錯(cuò)．] 3