高考化學(xué)(第01期)大題狂練系列 專題20 晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)(含解析)1
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專題20 晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì) (滿分60分 時(shí)間30分鐘) 姓名: 班級(jí): 得分: 1.銅、鐵都是日常生活中常見的金屬,它們的單質(zhì)及其化合物在科學(xué)研究和工農(nóng)業(yè)生產(chǎn)中具有廣泛用途。 請(qǐng)回答以下問(wèn)題: (1)超細(xì)銅粉可用作導(dǎo)電材料、催化劑等,其制備方法如下: ①Cu2+的價(jià)電子排布圖 ;NH4CuSO3中N、O、S三種元素的第一電離能由大到小順序?yàn)開_______(填元素符號(hào))。 ②SO42-的空間構(gòu)型為 ,SO32-離子中心原子的雜化方式為 。 (2)請(qǐng)寫出向Cu(NH3)4SO4水溶液中通入SO2時(shí)發(fā)生反應(yīng)的離子方程式 。 (3)某學(xué)生向CuSO4溶液中加入少量氨水生成藍(lán)色沉淀,繼續(xù)加入過(guò)量氨水沉淀溶解,得到深藍(lán)色透明溶液,最后向該溶液中加入一定量乙醇,析出Cu(NH3)4]SO4H2O晶體。 ①下列說(shuō)法正確的是 a.氨氣極易溶于水,是因?yàn)镹H3分子和H2O分子之間形成3種不同的氫鍵 b.NH3分子和H2O分子,分子空間構(gòu)型不同,氨氣分子的鍵角小于水分子的鍵角 c.Cu(NH3)4SO4所含有的化學(xué)鍵有離子鍵、極性共價(jià)鍵和配位鍵 d.Cu(NH3)4SO4組成元素中電負(fù)性最大的是氮元素 ②請(qǐng)解釋加入乙醇后析出晶體的原因 。 (4)Cu晶體的堆積方式如圖所示,設(shè)Cu原子半徑為r,晶體中Cu原子的配位數(shù)為 ,晶體的空間利用率為 (列式)。 【答案】(1)①;N>O>S;②正四面體,sp2; (2)2Cu(NH3)42++3SO2+4H2O=2NH4CuSO3↓+6NH4+ +SO42-; (3)①c; ②一水合硫酸四氨合銅在乙醇中溶解度較小。(4)12 ;74.76% 。 考點(diǎn):考查物質(zhì)制備實(shí)驗(yàn)方案的設(shè)計(jì)、原子結(jié)構(gòu)、晶體結(jié)構(gòu)的知識(shí)。 2. Ⅰ.金屬銅的導(dǎo)電性僅次于銀,居金屬中的第二位,大量用于電氣工業(yè)。 (1)請(qǐng)解釋金屬銅能導(dǎo)電的原因__________________, Cu2+的核外電子排布式為__________________。 (2)在硫酸銅溶液中通入過(guò)量的氨氣,小心蒸發(fā),最終得到深藍(lán)色的Cu(NH3)4]SO4晶體,晶體中含有的化學(xué)鍵除普通共價(jià)鍵外,還有_______________和_______________。 Ⅱ.砷化鎵為第三代半導(dǎo)體,以其為材料制造的燈泡壽命長(zhǎng),耗能少。已知砷化鎵的晶胞結(jié)構(gòu)如下圖所示。請(qǐng)回答下列問(wèn)題: (1)下列說(shuō)法正確的是__________(填序號(hào)) A.砷化鎵晶胞結(jié)構(gòu)與NaCl相同 B.第一電離能 As>Ga C.電負(fù)性 As>Ga D.原子半徑 As>Ga (2)砷化鎵可由(CH3)3Ga和AsH3在700℃下反應(yīng)制得,該反應(yīng)的化學(xué)方程式為 。 (3)AsH3空間構(gòu)型為 ;已知(CH3)3Ga為非極性分子,則其中鎵原子的雜化方式是_______。 (4)砷化鎵晶體中最近的砷和鎵原子核間距為a cm,砷化鎵的摩爾質(zhì)量為b gmol-1,阿伏伽德羅常數(shù)值為NA,則砷化鎵晶體密度的表達(dá)式為 gcm-3。 【答案】Ⅰ (1) 銅是金屬晶體,由金屬陽(yáng)離子和自由電子構(gòu)成,自由電子在外加電場(chǎng)的作用下可發(fā)生定向移動(dòng) Ar]3d9或1s22s22p63s23p63d9 (2) 離子鍵(1分) 配位鍵 II (1) B C(各1分)(2) (CH3)3Ga+AsH3GaAs+3CH4 (3) 三角錐形(1分) sp2 (4) 是x,則x=,化鎵的摩爾質(zhì)量為b gmol-1,阿伏伽德羅常數(shù)值為NA,則砷化鎵晶體密度的表達(dá)式為gcm-3。 考點(diǎn):本題考查物質(zhì)結(jié)構(gòu)。 3.早期發(fā)現(xiàn)的一種天然二十面體準(zhǔn)晶顆粒由Al、Cu、Fe三種金屬元素組成?;卮鹣铝袉?wèn)題: (1)準(zhǔn)晶是一種無(wú)平移周期序,但有嚴(yán)格準(zhǔn)周期位置序的獨(dú)特晶體,可通過(guò)________方法區(qū)別晶體、準(zhǔn)晶體和非晶體。 (2)基態(tài)Fe原子有_________個(gè)未成對(duì)電子,F(xiàn)e3+的電子排布式為 _??捎昧蚯杌洐z驗(yàn)Fe3+,現(xiàn)象是 。 (3)根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥理論判斷:SO42—的立體構(gòu)型為_ ,H3O+ 的立體構(gòu)型為 。 (4)新制的Cu(OH)2可將乙醛(CH3CHO)氧化成乙酸,而自身還原成Cu2O。乙醛中碳原子的雜化軌道為___________,1mol乙醛分子中含有的鍵的數(shù)目為___________。Cu2O為半導(dǎo)體材料,在其立方晶胞內(nèi)部有4個(gè)氧原子,其余氧原子位于面心和頂點(diǎn),則該晶胞中有 個(gè)銅原子。 (5)Al單質(zhì)為面心立方晶體,其晶胞如圖。晶胞中鋁原子的配位數(shù)為 。 【答案】(1)X射線衍射法;(2)4;1s22s22p63s23p63d5;形成血紅色溶液;(3)正四面體; 三角錐形; (4)sp3、sp2; 6NA; 16; (5)12 【考點(diǎn)定位】考查晶胞的計(jì)算;物質(zhì)結(jié)構(gòu)中的化學(xué)鍵數(shù)目計(jì)算;原子核外電子排布;原子軌道雜化方式及雜化類型判斷 【名師點(diǎn)晴】本題考查了晶體的性質(zhì)、原子核外電子排布規(guī)律、共價(jià)鍵類型、氫鍵、雜化類型、晶胞配位數(shù)及密度的計(jì)算,綜合性非常強(qiáng),為歷年高考選作??碱}型,其中晶胞配位數(shù)以及密度的計(jì)算是本題的難點(diǎn)。根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥理論判斷雜化類型:中心原子電子對(duì)計(jì)算公式:價(jià)電子對(duì)數(shù)n=(中心原子的價(jià)電子數(shù)+配位原子的價(jià)電子數(shù)m電荷數(shù))。注意:①當(dāng)上述公式中電荷數(shù)為正值時(shí)取“-”,電荷數(shù)為負(fù)值時(shí)取“+”;②當(dāng)配位原子為氧原子或硫原子時(shí),成鍵電子數(shù)為零;根據(jù)n值判斷雜化類型:一般有如下規(guī)律:當(dāng)n=2,sp雜化;n=3,sp2雜化;n=4,sp3雜化; 4.氫能的存儲(chǔ)是氫能應(yīng)用的主要瓶頸,目前所采用或正在研究的主要儲(chǔ)氫材料有:配位氫化物、富氫載體化合物、碳質(zhì)材料、金屬氫化物等。 (1)Ti(BH4)2是一種過(guò)渡元素硼氫化物儲(chǔ)氫材料。 ①Ti2+基態(tài)的外圍電子排布式可表示為____________。 ②BH4-的空間構(gòu)型是________(用文字描述)。 (2)液氨是富氫物質(zhì),是氫能的理想載體,利用N2+3H22NH3實(shí)現(xiàn)儲(chǔ)氫和輸氫。下列說(shuō)法正確的是____________(多項(xiàng)選擇)。 A. NH3分子中N原子采用sp3雜化 B. 相同壓強(qiáng)時(shí),NH3沸點(diǎn)比PH3高 C.Cu(NH3)4]2+離子中,N原子是配位原子 D.CN-的電子式為:C┇┇N:]- (3)2008年,Yoon等人發(fā)現(xiàn)Ca與C60(分子結(jié)構(gòu)如圖1)生成的Ca32C60能大量吸附H2分子。 ①C60晶體易溶于苯、CS2,C60是________分子(填“極性”或“非極性”)。 ②1 mol C60分子中,含有σ鍵數(shù)目為____________。 (4)一種由Mg和H元素組成的物質(zhì)是金屬氫化物儲(chǔ)氫材料,其晶胞結(jié)構(gòu)如圖2所示,該物質(zhì)化學(xué)式為________。 【答案】(1)① 3d2;② 正四面體;(2)ABCD (3)①非極性② 906.021023(或90 mol);(4)MgH2 【考點(diǎn)定位】考查晶胞的計(jì)算;原子核外電子排布;原子軌道雜化方式及雜化類型判斷 【名師點(diǎn)晴】本題考查物質(zhì)結(jié)構(gòu)和性質(zhì),涉及核外電子排布、雜化方式的判斷、空間構(gòu)型的判斷、晶胞的計(jì)算等知識(shí)點(diǎn),難點(diǎn)是晶胞的計(jì)算,靈活運(yùn)用公式是解本題關(guān)鍵。根據(jù)構(gòu)造原理確定核外電子排布式是否正確。①能量最低原理:原子核外電子先占有能量較低的軌道,然后依次進(jìn)入能量較高的軌道;②泡利不相容原理:每個(gè)原子軌道上最多只能容納 2個(gè)自旋狀態(tài) 相反的電子;③洪特規(guī)則:在等價(jià)軌道(相同電子層、電子亞層上的各個(gè)軌道)上排布的電子將盡可能分占不同的軌道,且自旋方向相同。根據(jù)價(jià)電子對(duì)互斥理論,價(jià)層電子對(duì)個(gè)數(shù)=σ鍵個(gè)數(shù)+孤電子對(duì)個(gè)數(shù).σ鍵個(gè)數(shù)=配原子個(gè)數(shù),孤電子對(duì)個(gè)數(shù)=(a-xb),a指中心原子價(jià)電子個(gè)數(shù),x指配原子個(gè)數(shù),b指配原子形成穩(wěn)定結(jié)構(gòu)需要的電子個(gè)數(shù);分子的立體構(gòu)型是指分子中的原子在空間的排布,不包括中心原子未成鍵的孤對(duì)電子;實(shí)際空間構(gòu)型要去掉孤電子對(duì),略去孤電子對(duì)就是該分子的空間構(gòu)型。- 1.請(qǐng)仔細(xì)閱讀文檔,確保文檔完整性,對(duì)于不預(yù)覽、不比對(duì)內(nèi)容而直接下載帶來(lái)的問(wèn)題本站不予受理。
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