變頻器培訓(xùn)
《變頻器培訓(xùn)》由會員分享,可在線閱讀,更多相關(guān)《變頻器培訓(xùn)(60頁珍藏版)》請在裝配圖網(wǎng)上搜索。
變頻器培訓(xùn),變頻器: 將電網(wǎng)電壓提供的恒壓恒頻轉(zhuǎn)換成電壓和頻率都可以通過控制改變的轉(zhuǎn)換器,使電動機(jī)可以在變頻電壓的電源驅(qū)動下發(fā)揮更好的工作性能。,主要的公式,,,,公式:,,R為電樞繞組內(nèi)阻,e為旋轉(zhuǎn)電動勢,Km:系數(shù);,:磁通;,:電樞電流,f: 旋轉(zhuǎn)速度;N:線圈匝數(shù);,:磁通,晶閘管的結(jié)構(gòu)與工作原理,常用晶閘管的結(jié)構(gòu),螺栓型晶閘管,晶閘管模塊,平板型晶閘管外形及結(jié)構(gòu),(C),1.4 典型全控型器件 · 引言,常用的典型全控型器件,(B),GTR 、電力 MOSFET 和 IGBT 等器件的常用封裝形式。,1.4.3 電力場效應(yīng)晶體管,電力 MOSFET 的結(jié)構(gòu),是單極型晶體管。 導(dǎo)電機(jī)理與小功率 MOS 管相同,但結(jié)構(gòu)上多采用垂直 導(dǎo)電結(jié)構(gòu),又稱為 VMOSFET 。 采用多元集成結(jié)構(gòu),不同的生產(chǎn)廠家采用了不同設(shè)計。 圖 a ) 為垂直導(dǎo)電雙擴(kuò)散結(jié)構(gòu),即 VDMOSFET 。,圖1-19 電力 MOSFET 的結(jié)構(gòu)和電氣圖形符號,(B),a),b),絕緣柵雙極晶體管,1 ) IGBT 的結(jié)構(gòu)和工作原理 三端器件:柵極 G 、集電極 C 和發(fā)射極 E 。 IGBT 比 VDMOSFET 多一層 P+ 注入?yún)^(qū),具有很強的通流能力。,圖1-22 IGBT 的結(jié)構(gòu)、簡化等效電路和電氣圖形符號 a) 內(nèi)部結(jié)構(gòu)斷面示意圖 b) 等效電路 c) 簡化等效電路 d) 電氣圖形符號,(B),功率模塊與功率集成電路,例:部分功率模塊、IPM、電力半導(dǎo)體器件及驅(qū)動電路,(A),8,逆變電路最基本的工作原理 —— 改變兩組開關(guān)切換頻率,可改變輸出交流電頻率。,圖5-1 逆變電路及其波形舉例,電阻負(fù)載時,負(fù)載電流 io 和 uo 的波形相同,相位也相同。,阻感負(fù)載時,io 相位滯后于 uo ,波形也不同。,單相橋式逆變電路,S1 ~ S4 是橋式電路的 4 個臂,由電力電子器件及輔助電路組成。,(B),9,6.1 PWM 控制的基本思想,重要理論基礎(chǔ) —— 面積等效原理,采樣控制理論中的一個重要結(jié)論: 沖量相等而形狀不同的窄脈沖加在具有慣性的環(huán)節(jié)上時,其效果基本相同。,(B),10,PWM 控制的基本思想,若要改變等效輸出正弦波幅值,按同一比例改變各脈沖寬度即可。,,如何用一系列等幅不等寬的脈沖來代替一個正弦半波,,,SPWM 波,(C),,,ω,t,ω,t,ω,t,V1 和 V2 、V3 和 V4 的通斷彼此互補。在 ur 和 uc 的交點時刻控制 IGBT 的通斷。,6.2.1 計算法和調(diào)制法,ur 正半周,V1 保持通,V2 保持?jǐn)唷?當(dāng) ur uc 時使 V4 通,V3 斷, uo = Ud 。 當(dāng) ur uc 時使 V4 斷,V3 通, uo = 0 。 ur 負(fù)半周,請同學(xué)們自己分析。,圖6-5 單極性 PWM 控制方式波形,(B),單極性 PWM 控制方式(單相橋逆變),,,在 ur 和 uc 的交點時刻控制 IGBT 的通斷。 在 ur 的半個周期內(nèi),三角波載波有正有負(fù),所得 PWM 波也有正有負(fù),其幅值只有±Ud 兩種電平。 同樣在調(diào)制信號 ur 和載波信號 uc 的交點時刻控制器件的通斷。 ur 正負(fù)半周,對各開關(guān)器件的控制規(guī)律相同。,圖6-6 雙極性 PWM 控制方式波形,(B),雙極性 PWM 控制方式(單相橋逆變),6.2.1 計算法和調(diào)制法,對照上述兩圖可以看出,單相橋式電路既可采取單極性調(diào)制,也可采用雙極性調(diào)制,由于對開關(guān)器件通斷控制的規(guī)律不同,它們的輸出波形也有較大的差別。,(B),注:1、試比較以上兩種方式的異同點。2、哪種方式效果相對更好? 3、若用示波器觀察以上兩波形會看到什么結(jié)果?,變頻器輸入電流波形,,2.4.1 電容濾波的單相不可控整流電路,感容濾波的二極管整流電路,圖2-29 感容濾波的單相橋式不可控整流電路及其工作波形 a) 電路圖 b)波形,(C),實際應(yīng)用為此情況,但分析復(fù)雜。 Ud 波形更平直,電流 i2 的上升段平緩了許多,這對于 電路的工作是有利的。,2.4.2 電容濾波的三相不可控整流電路,1 ) 基本原理,圖2-30 電容濾波的三相橋式不可控整流電路及其波形,(C),某一對二極管導(dǎo)通時,輸出電壓等于交流側(cè)線電壓中最大的一個,該線電壓既向電容供電,也向負(fù)載供電。 當(dāng)沒有二極管導(dǎo)通時,由電容向負(fù)載放電,ud 按指數(shù)規(guī)律下降。,2.4.2 電容濾波的三相不可控整流電路,考慮實際電路中存在的交流側(cè)電感以及為抑制沖擊電流而串聯(lián)的電感時的工作情況: 電流波形的前沿平緩了許多,有利于電路的正常工作。隨著負(fù)載的加重,電流波形與電阻負(fù)載時的交流側(cè)電流波形逐漸接近。,圖2-32 考慮電感時電容濾波的三相橋式整流電路及其波形 a)電路原理圖 b)輕載時的交流側(cè)電流波形 c)重載時的交流側(cè)電流波形,(C),5.4.2 多電平逆變電路,a ) 串聯(lián)連接三相高壓 變頻器原理圖,例:“完美無諧波”高壓變頻器 為減少輸入電流中的諧波、提高功率因數(shù),工頻變壓器采用相位彼此差開相等電角度的多副邊結(jié)構(gòu),每一組副邊接一個圖 b) 所示的基本功率單元。高壓變頻器每一相由若干個基本功率單元串聯(lián)組成 ( 圖 a) 為 3 個單元串聯(lián) ),實現(xiàn)高壓輸出。 串聯(lián)的單元數(shù)越多,輸出的電壓越高,而輸入電流越接近正弦。 此類變頻器已成功地用于高壓電機(jī)變頻調(diào)速的場合。,(A),b ) 基本功率單元,EXB841的工作原理,1 )正常開通過程 當(dāng)控制電路使 EXB841 輸入端腳 14 和腳 15 有 10mA 的電流流過時,光耦合器 IS0l 就會導(dǎo)通, A 點電位迅速下降至 0V ,使 V1 和 V 2 截止; V 2 截止使 D 點電位上升至 20V , V4 導(dǎo)通, V5 截止, EXB841 通過 V4 及柵極電阻 Rg 向 IGBT 提供電流使之迅速導(dǎo)通 , Uc 下降至 3V 。與此同時, V1 截止使十 20V 電源通 R3 向電容 C2 充電,時間常數(shù) r1 為 r1=R3c2=2 · 42us ( 2 - 17 ) 又使 B 點電位上升,它由零升到 13V 的時間可用下式求得 : 13 = 20 ( 1 - e ^ (-t/r1) ( 2 - 18 ) t=2 · 54uS ( 2 - 19 ),然而由于 IGBT 約 lus 后已導(dǎo)通, Uce 下降至 3V ,從而將 EXB841 腳 6 電位箝制在 8V 左右,因此 B 點和 C 點電位不會充到 13V ,而是充到 8V 左右,這個過程時間為 1 . 24us ;又穩(wěn)壓管 VZ1 的穩(wěn)壓值為 13V , IGBT 正常開通時不會被擊穿, V3 不通, E 點電位仍為 20V 左右,二極管 VD6 截止,不影響 V4 和 V5 的正常工作。,2 )正常關(guān)斷過程控制電路使 EXB841 輸入端腳14 和腳15 無電流流過,光耦合器 IS01 不通, A 點電位上升使 V1 和 V2 導(dǎo)通; V 2 導(dǎo)通使 V 4 截止, V 5 導(dǎo)通, IGBT 柵極電荷通過 V 5 迅速放電,使 EXB841 的腳 3 電位迅速下降至 0V (相對于的 EXB841 腳 1 低 5V ),使 IGBT 可靠關(guān)斷, Uce 迅速上升,使 EXB841 的腳 6 “懸空”。與此同時 V1 導(dǎo)通, C2 通過 V1 更快放電,將 B 點和 C 點電位箝在 0V ,使 VZI 仍不通,后繼電路不會動作 , IGBT 正常關(guān)斷。,3 )保護(hù)動作 設(shè) IGBT 已正常導(dǎo)通,則 V1 和 V2 截止,V4 導(dǎo)通,V 5 截止,B 點和C 點電位穩(wěn)定在 8V 左右,VZ1 不被擊穿,V3 不導(dǎo)通, E 點電位保持為 20V ,二極管 VD6 截止。若此時發(fā)生短路, IGBT 承受大電流而退飽和, Uce 上升很多,二極管 VD7 截止,則 EXB841 的腳 6 “懸空”,B 點和C 點電位開始由8V 上升;當(dāng)上升至 13V 時,VZ1 被擊穿,V 3 導(dǎo)通, C4 通過 R7 和 V 3 放電,E 點電位逐步下降,二極管VD 6 導(dǎo)通時, D 點電位也逐步下降,從而使 EXB841 的腳 3 電位也逐步下降,緩慢關(guān)斷IGBT 。,B 點和 C 點電位由 8V 上升到 13V 的時間可用下式求得: 13 = 20 ( 1--e^ (--t/r1)--8e^ (--t/r1) ( 2 - 20 ) t == l · 3uS (2 - 21 ) C3 與 R7 組成的放電時間常數(shù)為 T2 == C3R7 = 4 · 84uS ( 2 - 22 ) E 點由2 0V 下降到3 . 6V 的時間可用下式求得 3 . 6= 20e^ (--t/r2) ( 2 - 23 ) t = 8 · 3uS ( 2 - 24 ),此時慢關(guān)斷過程結(jié)束, IGBT 柵極上所受偏壓為 0oV (設(shè)V3 管壓降為0 . 3V , V6 和V5 的壓降為 O .7V )。 這種狀態(tài)一直持續(xù)到控制信號使光電耦合器 IS0l 截止,此時 V1 和 V 2 導(dǎo)通, V 2 導(dǎo)通使 D 點下降到 0V ,從而 V 4 完全截止, V 5 完全導(dǎo)通, IGBT 柵極所受偏壓由慢關(guān)斷時的 0V 迅速下降到一 5V , IGBT 完全關(guān)斷。 V1 導(dǎo)通使 C2 迅速放電、V 3 截止, 20V 電源通過 R8 對 C4 充電,RC 充電時間常數(shù)為 T3 = C4R8 = 48 · 4uS ( 2 · 25 ),則 E 點由 3 . 6V 充至 19V 的時間可用下式求得: 19=20(l 一 e^( - t/r3)+3.6e^( t/r3)( 2-26 ) t = 135 uS ( 2 -- 2 7 ) 則 E 點恢復(fù)到正常狀態(tài)需 135us ,至此 EXB841 完全恢復(fù)到正常狀態(tài),可以進(jìn)行正常的驅(qū)動。 與前述的 IGBT 驅(qū)動條件和保護(hù)策略相對照,以上所述說明 EXB841 確實充分考慮到 IGBT 的特點,電路簡單實用,有如下特點:,1 )模塊僅需單電源十 20V 供電,它通過內(nèi)部 5 V 穩(wěn)壓管為 IGBT 提供了十 15V 和一 5V 的電平,既滿足了 IGBT 的驅(qū)動條件, 又簡化了電路,為整個系統(tǒng)設(shè)計提供了很大方便。 2 )輸入采用高速光耦隔離電路,既滿足了隔離和快速的要求,又在很大程度上使電路結(jié)構(gòu)簡化。,3 )通過精心設(shè)計,將過流時降低 Uge 與慢關(guān)斷技術(shù)綜合考慮 , 按前面所述,短路時 EXB841 各引腳波形如圖 2 - 68 所示??梢娨坏╇娐窓z測到短路后,要延遲約 1 . 5 us ( VZI 導(dǎo)通時, R4 會有壓降) Uge 才開始降低,再過約 8us 后 Uge 才降低到 0V (相對 EXB841 的腳 1 )。在這 10us 左右的時間內(nèi),如果短路現(xiàn)象消失, Uge 會逐步恢復(fù)到正常值,但恢復(fù)時間決定于時間常數(shù) t3 ,時間是較長的。,M57962的應(yīng)用電路,8腳應(yīng)該接光耦的發(fā)射端,為控制電路提供過流信號。,圖6-34 電容器放電 a)放電電路 b)從接線端放電,圖6-43 單進(jìn)三出變頻器,圖6-44 單進(jìn)三出時存在的問題,圖6-45 單進(jìn)三出的升壓電路,交流調(diào)速控制策略,見書 矢量控制于電機(jī)的參數(shù)有關(guān),異步電機(jī)的坐標(biāo)變換結(jié)構(gòu)圖,,,圖6-52 異步電動機(jī)的坐標(biāo)變換結(jié)構(gòu)圖 3/2——三相/兩相變換; VR——同步旋轉(zhuǎn)變換; ? ——M軸與?軸(A軸)的夾角,,,,,,,,,,3/2,VR,等效直流 電動機(jī)模型,A,B,C,?,?,iA,iB,iC,it,im,i?,i?,異步電動機(jī),,,矢量控制系統(tǒng)原理結(jié)構(gòu)圖,圖6-53 異步電機(jī)矢量控制系統(tǒng)原理結(jié)構(gòu)圖,,,b),緩沖電路作用分析 無緩沖電路 有緩沖電路,圖1-38 di / dt 抑制電路和 充放電型 RCD 緩沖電路及波形 a) 電路 b) 波形,圖1-39 關(guān)斷時的負(fù)載線,(C),晶閘管的串聯(lián),問題:理想串聯(lián)希望器件分壓相等,但因特性差異,使器件電壓分配不均勻。 靜態(tài)不均壓:串聯(lián)的器件流過的漏電流相同,但因靜態(tài)伏安特性的分散性,各器件分壓不等。 動態(tài)不均壓:由于器件動態(tài)參數(shù)和特性的差異造成的不均壓。,目的:當(dāng)晶閘管額定電壓小于要求時,可以串聯(lián)。,晶閘管的串聯(lián),靜態(tài)均壓措施: 選用參數(shù)和特性盡量一致的器件。 采用電阻均壓,Rp的阻值應(yīng)比器件阻斷時的正、反向電阻小得多。,圖1-41 晶閘管的串聯(lián) a) 伏安特性差異 b) 串聯(lián)均壓措施,動態(tài)均壓措施: 選擇動態(tài)參數(shù)和特性盡量一致的器件。 用RC并聯(lián)支路作動態(tài)均壓。 采用門極強脈沖觸發(fā)可以顯著減小器件開通時間的差異。,晶閘管的并聯(lián),問題:會分別因靜態(tài)和動態(tài)特性參數(shù)的差異而電流分配不均勻。 均流措施: 挑選特性參數(shù)盡量一致的器件。 采用均流電抗器。 用門極強脈沖觸發(fā)也有助于動態(tài)均流。 當(dāng)需要同時串聯(lián)和并聯(lián)晶閘管時,通常采用先串后并的方法聯(lián)接。,目的:多個器件并聯(lián)來承擔(dān)較大的電流,5.2.2 三相電壓型逆變電路,負(fù)載中點和電源中點間電壓 (5-6) 負(fù)載三相對稱時有uUN+uVN+uWN=0,于是 (5-7) 負(fù)載已知時,可由uUN波形求出iU波形。 一相上下兩橋臂間的換流過程和半橋電路相似。 橋臂1、3、5的電流相加可得直流側(cè)電流id的波形,id每60°脈動一次,直流電壓基本無脈動,因此逆變器從交流側(cè)向直流側(cè)傳送的功率是脈動的,電壓型逆變電路的一個特點。 防止同一相上下兩橋臂的開關(guān)器件同時導(dǎo)通而引起直流側(cè)電源短路,應(yīng)采取“先斷后通” 數(shù)量分析見教材。,45,7.1.1 硬開關(guān)和軟開關(guān),硬開關(guān),開關(guān)過程中電壓和電流均不為零,出現(xiàn)了重疊。 電壓、電流變化很快,波形出現(xiàn)明顯的過沖,導(dǎo)致開關(guān)噪聲。,a)硬開關(guān)的開通過程,b)硬開關(guān)的關(guān)斷過程,圖7-1 硬開關(guān)的開關(guān)過程,(C),PI調(diào)節(jié),,,圖1-24 帶轉(zhuǎn)速負(fù)反饋的閉環(huán)直流調(diào)速系統(tǒng)原理框圖,,+,-,,,,,,,,,M,,,,,,,,,TG,,,,,,,+,-,,,,,,,,,,,,,+,-,+,-,,,Utg,,,Ud,Id,n,+,,-,-,+,,Un,?Un,U*n,,,Uc,UPE,,+,-,Id,Un,Ud,Uc,tg,,,~,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,+,,,,,,,,,,,,,,+,-,RP2,n,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,RP1,U*n,R0,R0,,,,,,,,,Rbal,Uc,VBT,VS,Ui,TA,Id,R1,C1,Un,Ud,圖1-48 無靜差直流調(diào)速系統(tǒng)示例,+,,,,,,,,+,+,+,-,UPE,~,·,工作原理,圖1-48所示是一個無靜差直流調(diào)速系統(tǒng)的實例,采用比例積分調(diào)節(jié)器以實現(xiàn)無靜差,采用電流截止負(fù)反饋來限制動態(tài)過程的沖擊電流。TA為檢測電流的交流互感器,經(jīng)整流后得到電流反饋信號。當(dāng)電流超過截止電流時,高于穩(wěn)壓管VS的擊穿電壓,使晶體三極管VBT導(dǎo)通,則PI調(diào)節(jié)器的輸出電壓接近于零,電力電子變換器UPE的輸出電壓急劇下降,達(dá)到限制電流的目的。,數(shù)字PI調(diào)節(jié)器,模擬PI調(diào)節(jié)器的數(shù)字化 改進(jìn)的數(shù)字PI算法 智能型PI調(diào)節(jié)器,模擬PI調(diào)節(jié)器的數(shù)字化,PI調(diào)節(jié)器是電力拖動自動控制系統(tǒng)中最常用的一種控制器,在微機(jī)數(shù)字控制系統(tǒng)中,當(dāng)采樣頻率足夠高時,可以先按模擬系統(tǒng)的設(shè)計方法設(shè)計調(diào)節(jié)器,然后再離散化,就可以得到數(shù)字控制器的算法,這就是模擬調(diào)節(jié)器的數(shù)字化。,PI調(diào)節(jié)器時域表達(dá)式:,其中 : KP= Kpi 為比例系數(shù) KI =1/? 為積分系數(shù),PI調(diào)節(jié)器的傳遞函數(shù):,增量式PI調(diào)節(jié)器算法:,PI調(diào)節(jié)器的輸出可由下式求得 :,須在程序內(nèi)設(shè)置限幅值u m,當(dāng) u(k) u m 時,便以限幅值 u m作為輸出。,TMS320F28335,F28335: 256K x 16 Flash, 34K x 16SARAM; 128-Bit Security Key/Lock; Up to 18 PWM Outputs; SCI, SPI,CAN, I2C,; 12-Bit ADC, 16 Channels,80-ns Conversion Rate,基于TMS320F28335的電機(jī)控制系統(tǒng),TMS320F28335芯片簡介 美國TI公司的TMS320C28x系列DSP中的TMS320F28335芯片,這是一款32位定點DSP芯片,具有數(shù)字信號處理能力以及強大的事件管理能力和嵌入式控制功能,非常適用于電機(jī)、馬達(dá)伺服控制系統(tǒng)等。 C28x系列芯片主要性能有: 最高150MHz的系統(tǒng)主頻,CPU核心電壓1.8V/1.9V,I/O口電壓3.3V CPU是哈佛總線結(jié)構(gòu),支持16*16位與32*32位的乘且累加操作,16*16位的兩個乘且累加操作。 片內(nèi)具有256K*16位的線性FLASH存儲器,1K*16位的OTP型只讀存儲器。一共具有34K*16位的單口隨機(jī)存儲器。 芯片內(nèi)部有出廠固化好了的8K*16位的Boot Rom,其內(nèi)部具有啟動判定函數(shù)以及標(biāo)準(zhǔn)的數(shù)學(xué)表。 芯片具有外部存儲器接口,可擴(kuò)展多大1MB的存儲器,并且具有可編程的等待狀態(tài)數(shù)。 通過中斷擴(kuò)展模塊支持96個外部中斷,但芯片只用到了45個。 3個CPU定時器。 具有128位的密鑰保護(hù),可防止ROM,F(xiàn)lash,OTP中的程序被盜。 具有強大的內(nèi)部外設(shè),包括2個事件管理器,2個串行通信接口,1個串行外圍接口,增強的CAN,多通道緩沖串行接口,12位的AD模塊,最大的轉(zhuǎn)換速率是12位.5MSPS(80nS)等。 12路PWM脈沖寬度調(diào)制功能,很方便實現(xiàn)對電機(jī)的控制。,,轉(zhuǎn)速測量,利用TMS320F2812的三路中斷捕獲CAPTURE功能,對不同位置傳感器送回的脈沖上升沿進(jìn)行捕獲。再進(jìn)入中斷服務(wù)程序計算得到轉(zhuǎn)子位置和轉(zhuǎn)速。 需要時,還要對信號進(jìn)行整形。,防止橋臂直通的措施: 在TMS320F2812的觸發(fā)逆變器橋臂的成對信號中有加入觸發(fā)死區(qū)的功能,使橋臂直通的故障不會發(fā)生; 即橋臂的上、下二個功率器件的門極信號不能同時高,而且一個變低后要延時必要的時間才能使另外的門極信號變高。 PWM1 PWM2,防止直通的方法,對PWM0,PWM1; PWM2,PWM3; PWM4,PWM5; 可以用死區(qū)寄存器進(jìn)行死區(qū)設(shè)置,避免逆變橋發(fā)生直通,保證逆變器的正常工作。,缺相檢測: 但缺相時,會出現(xiàn)電壓的過零點,光藕原邊無電流,副邊輸出電平的變化,由DSP的對波形邊沿進(jìn)行中斷檢測得到發(fā)生缺相的信息。,過流、過壓的檢測,二種方法: 軟件方法: 利用DSP的12位A/D采樣,隨時將電壓、電流采樣,在軟件里面做比較,超過閾值,則停機(jī)并發(fā)出故障報警信號。 硬件方法: 利用比較器對傳感器檢測的電壓、電流值與保護(hù)值進(jìn)行比較,超過保護(hù)值則自動停機(jī)和報警。,- 1.請仔細(xì)閱讀文檔,確保文檔完整性,對于不預(yù)覽、不比對內(nèi)容而直接下載帶來的問題本站不予受理。
- 2.下載的文檔,不會出現(xiàn)我們的網(wǎng)址水印。
- 3、該文檔所得收入(下載+內(nèi)容+預(yù)覽)歸上傳者、原創(chuàng)作者;如果您是本文檔原作者,請點此認(rèn)領(lǐng)!既往收益都?xì)w您。
下載文檔到電腦,查找使用更方便
5 積分
下載 |
- 配套講稿:
如PPT文件的首頁顯示word圖標(biāo),表示該PPT已包含配套word講稿。雙擊word圖標(biāo)可打開word文檔。
- 特殊限制:
部分文檔作品中含有的國旗、國徽等圖片,僅作為作品整體效果示例展示,禁止商用。設(shè)計者僅對作品中獨創(chuàng)性部分享有著作權(quán)。
- 關(guān) 鍵 詞:
- 變頻器 培訓(xùn)
鏈接地址:http://www.820124.com/p-1240973.html