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1,近年招聘會上與IC有關(guān)部分筆試、面試題目的答案舉例,2,1、我們公司的產(chǎn)品是集成電路，請描述一下你對集成電路的認(rèn)識，列舉一些與集成電路相關(guān)的內(nèi)容（如講清楚模擬、數(shù)字、雙極型、CMOS、MCU、RISC、CISC、DSP、ASIC、FPGA等的概念）。,3,單片微型計(jì)算機(jī)(簡稱單片機(jī))有時(shí)也稱為微控制器MCU(microcontrolunit)。當(dāng)然，與MPU相比，MCU上的CPU的功能比較簡單，存儲器的容量也很有限。MCU已被廣泛應(yīng)用于各種家用電器產(chǎn)品以及工業(yè)控制。用得最多的是4位和8位MCU。,4,什么是MCU？,MCU(MicroControllerUnit)，又稱單片微型計(jì)算機(jī)(SingleChipMicrocomputer)，是指隨著大規(guī)模集成電路的出現(xiàn)及其發(fā)展，將計(jì)算機(jī)的CPU、RAM、ROM、定時(shí)數(shù)器和多種I/O接口集成在一片芯片上，形成芯片級的計(jì)算機(jī)。,5,設(shè)計(jì)方法上從CISC結(jié)構(gòu)演變到RISC結(jié)構(gòu),通常將采用英特爾處理器的服務(wù)器稱為IA(IntelArchitecture)架構(gòu)服務(wù)器，由于該架構(gòu)服務(wù)器采用了開放式體系，并且實(shí)現(xiàn)了工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)和得到國內(nèi)外大量軟硬件供應(yīng)商的支持，在大批量生產(chǎn)的基礎(chǔ)上，以其極高的性能價(jià)格比而在全球范圍內(nèi)，尤其在我國得到廣泛的應(yīng)用。2000年國內(nèi)IA架構(gòu)服務(wù)器供應(yīng)商前三位是惠普、IBM、浪潮。,6,（1）CISC指令集CISC指令集，也稱為復(fù)雜指令集，英文名是CISC，（ComplexInstructionSetComputer的縮寫）。在CISC微處理器中，程序的各條指令是按順序串行執(zhí)行的，每條指令中的各個(gè)操作也是按順序串行執(zhí)行的。順序執(zhí)行的優(yōu)點(diǎn)是控制簡單，但計(jì)算機(jī)各部分的利用率不高，執(zhí)行速度慢。,7,（2）RISC指令集,RISC是英文“ReducedInstructionSetComputing”的縮寫，中文意思是“精簡指令集”。它是在CISC指令系統(tǒng)基礎(chǔ)上發(fā)展起來的，有人對CISC機(jī)進(jìn)行測試表明，各種指令的使用頻度相當(dāng)懸殊，最常使用的是一些比較簡單的指令，它們僅占指令總數(shù)的20％，但在程序中出現(xiàn)的頻度卻占80％。復(fù)雜的指令系統(tǒng)必然增加微處理器的復(fù)雜性，使處理器的研制時(shí)間長，成本高。并且復(fù)雜指令需要復(fù)雜的操作，必然會降低計(jì)算機(jī)的速度。,8,基于上述原因，20世紀(jì)80年代RISC型CPU誕生了，相對于CISC型CPU,RISC型CPU不僅精簡了指令系統(tǒng)，還采用了一種叫做“超標(biāo)量和超流水線結(jié)構(gòu)”，大大增加了并行處理能力。RISC指令集是高性能CPU的發(fā)展方向。它與傳統(tǒng)的CISC(復(fù)雜指令集)相對。相比而言，RISC的指令格式統(tǒng)一，種類比較少，尋址方式也比復(fù)雜指令集少。當(dāng)然處理速度就提高很多了。目前在中高檔服務(wù)器中普遍采用這一指令系統(tǒng)的CPU，特別是高檔服務(wù)器全都采用RISC指令系統(tǒng)的CPU。RISC指令系統(tǒng)更加適合高檔服務(wù)器的操作系統(tǒng)UNIX，現(xiàn)在Linux也屬于類似UNIX的操作系統(tǒng)。RISC型CPU與Intel和AMD的CPU在軟件和硬件上都不兼容。,9,2、FPGA和ASIC的概念，他們的區(qū)別。,ASIC:專用集成電路，它是面向?qū)ｉT用途的電路，專門為一個(gè)用戶設(shè)計(jì)和制造的。根據(jù)一個(gè)用戶的特定要求，能以低研制成本，短、交貨周期供貨的全定制，半定制集成電路。與門陣列等其它ASIC(ApplicationSpecificIC)相比，它們又具有設(shè)計(jì)開發(fā)周期短、設(shè)計(jì)制造成本低、開發(fā)工具先進(jìn)、標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品無需測試、質(zhì)量穩(wěn)定以及可實(shí)時(shí)在線檢驗(yàn)等優(yōu)點(diǎn)。,10,從ASIC的發(fā)展看，它的主要特點(diǎn)不單純在其本身的專用性，其更深的含義在于用戶直接參與集成電路的設(shè)計(jì)。由于ASIC是系統(tǒng)設(shè)計(jì)的一部分，它要求系統(tǒng)設(shè)計(jì)者直接參與芯片電路設(shè)計(jì)。ASIC可以是專為某一類特定應(yīng)用而設(shè)計(jì)的集成電路，稱為標(biāo)準(zhǔn)專用電路(ASSP-ApplicationSpecificStandardProduct)，也可以是專為某一用戶的特定應(yīng)用而設(shè)計(jì)的集成電路，稱為定制專用電路。,11,FPGA(FieldProgrammableGateArray)是可編程ASIC。FPGA兼顧了PLD和門陣列兩者的優(yōu)點(diǎn)：–具有門陣列電路那樣的單元陣列結(jié)構(gòu)，但單元與門陣列不同，每個(gè)單元包含了PLA、若干寄存器和多路開關(guān)。–又象PLD那樣，用戶可以通過編程，任意設(shè)定每個(gè)單元的內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)以及單元之間的連線??基本特征：不需要定制式掩膜層，通過可編程實(shí)現(xiàn)組合邏輯和時(shí)序邏輯,12,3、什么叫做OTP片、掩膜片，兩者的區(qū)別何在？,13,什么是OTP？(OTP--一次性可編程/可編程的一次性燒錄),OTP（OneTimeProgrammable）是MCU的一種存儲器類型。MCU按其存儲器類型可分為掩膜片--MASK(掩模)ROM、OTP(一次性可編程)ROM、FLASHROM等類型。MASKROM的MCU價(jià)格便宜，但程序在出廠時(shí)已經(jīng)固化，適合程序固定不變的應(yīng)用場合；FALSHROM的MCU程序可以反復(fù)擦寫，靈活性很強(qiáng)，但價(jià)格較高，適合對價(jià)格不敏感的應(yīng)用場合或做開發(fā)用途；,14,OTPROM的MCU價(jià)格介于前兩者之間，同時(shí)又擁有一次性可編程能力，適合既要求一定靈活性，又要求低成本的應(yīng)用場合，尤其是功能不斷翻新、需要迅速量產(chǎn)的電子產(chǎn)品。,15,,,,,,,,,,,,熔絲型開關(guān),反熔絲型開關(guān),,0,0,,0000,,,1,1,,,,1001,,,,,,,,用高壓將PLICE介質(zhì)擊穿。,熔絲斷開為1,PLICE（可編程邏輯互連電路單元）,16,在反熔絲PROM中，各連接點(diǎn)放的不是熔絲，而是一種PLICE編程單元，如圖所示。未編程時(shí)縱線和橫線間是不通的，編程時(shí)對需要連接處加上高壓使其中PLICE（可編程邏輯互連電路單元）介質(zhì)擊穿而短路，從而達(dá)到該點(diǎn)邏輯連接的目的。,反熔絲編程示意圖(a)反熔絲編程陣列結(jié)構(gòu)(b)PLICE編程元件,17,18,,19,4、如何了解代工公司的情況？,了解一家IC代工公司(foundry)最直接和簡便的方法，是認(rèn)真瀏覽該代工公司的技術(shù)發(fā)展路線圖,20,華潤上華科技有限公司CSMC技術(shù)發(fā)展路線,21,華潤上華科技有限公司CSMC技術(shù)發(fā)展路線（續(xù)）,22,什么是eFlach？,嵌入（embed）式系統(tǒng)是指操作系統(tǒng)和功能軟件集成于計(jì)算機(jī)硬件系統(tǒng)之中。簡單的說就是系統(tǒng)的應(yīng)用軟件與系統(tǒng)的硬件一體化，具有軟件代碼小，高度自動化，響應(yīng)速度快等特點(diǎn)。特別適合于要求實(shí)時(shí)的和多任務(wù)的體系。嵌入式系統(tǒng)不一定就是單片機(jī)。嵌入式系統(tǒng)主要是將軟件系統(tǒng)固化集成到硬件系統(tǒng)（如放到FLASH）中。,和艦科技(蘇州)有限公司Roadmap,24,什么是NVM？,只讀存儲器(ReadOnlyMemory，ROM)它又稱固定存儲器。ROM是把數(shù)據(jù)固定地存儲起來，然后按給定地址進(jìn)行讀出，但不象RAM那樣可以隨時(shí)快速寫入和修改，只能讀出。它在停電后照樣能長期保存數(shù)據(jù)，所以又被稱為不揮發(fā)存儲器(NonvolatileMemory)。,25,大陸、臺灣Foundry技術(shù)演進(jìn),26,,21世紀(jì)頭10年將面臨如何進(jìn)行0.1μm級電路的設(shè)計(jì)和制造問題。生產(chǎn)工藝從微米級(micro-M)（3μm、2μm［1985年］、1.5μm、1μm［1989年］）、亞微米級（submicro-SM）（0.7μm、0.5μm［1993年］）發(fā)展到深亞微米（deepsubmicro-DSM）（0.35μm［1997年］、0.25μm、0.18μm［2001年］、0.13μm），超深亞微米或亞0.1μm［2005年］（verydeepsubmicro-VDSM）。,27,5、有幾種IC版圖文件格式？,GDSIIGraphicalDesignSystemII二進(jìn)制格式用來備份、導(dǎo)入、導(dǎo)出版圖，以及提交給Foundry流片CIFCaltechIntermediateFormat文本格式EDIFElectronicDesignInterchangeFormat文本格式EDIF格式也用于描述線路圖、網(wǎng)表、符號等其他數(shù)據(jù),28,6、描述你對集成電路工藝的認(rèn)識。（仕蘭微面試題目）,29,晶圓處理制程,晶圓處理制程之主要工作為在硅晶圓上制作電路與電子元件（如電晶體管、電容器、邏輯門等），為上述各制程中所需技術(shù)最復(fù)雜且資金投入最多的過程，以微處理器（Microprocessor）為例，其所需處理步驟可達(dá)數(shù)百道，而其所需加工機(jī)臺先進(jìn)且昂貴，動輒數(shù)千萬一臺，其所需制造環(huán)境為為一溫度、濕度與含塵（Particle）均需控制的無塵室/超凈間（Clean-Room），雖然詳細(xì)的處理程序是隨著產(chǎn)品種類與所使用的技術(shù)有關(guān)；不過其基本處理步驟通常是晶圓先經(jīng)過適當(dāng)?shù)那逑矗–leaning）之後，接著進(jìn)行氧化（Oxidation）及沉積，最後進(jìn)行顯影、蝕刻及離子注入等反覆步驟，以完成晶圓上電路的加工與制作。,30,前部工序的主要工藝,晶圓處理制程（WaferFabrication；簡稱WaferFab）1.圖形轉(zhuǎn)換：將設(shè)計(jì)在掩膜版(類似于照相底片)上的圖形轉(zhuǎn)移到半導(dǎo)體單晶片上2.摻雜：根據(jù)設(shè)計(jì)的需要，將各種雜質(zhì)摻雜在需要的位置上，形成晶體管、接觸等3.制膜：制作各種材料的薄膜,31,集成電路工藝,圖形轉(zhuǎn)換：光刻：接觸光刻、接近光刻、投影光刻、電子束光刻刻蝕：干法刻蝕、濕法刻蝕摻雜：離子注入退火擴(kuò)散制膜：氧化：干氧氧化、濕氧氧化等CVD：APCVD、LPCVD、PECVDPVD：蒸發(fā)、濺射,32,后部封裝、測試（在另外廠房）（1）背面減薄（2）劃片、掰片（3）粘片（4）壓焊：金絲球焊（5）切筋（6）整形（7）封裝（8）沾錫：保證管腳的電學(xué)接觸（9）老化（10）成測，篩選（11）打字、包裝,33,后工序劃片封裝測試?yán)匣Y選,輔助工序超凈廠房技術(shù)超純水、高純氣體制備技術(shù)光刻掩膜版制備技術(shù)材料準(zhǔn)備技術(shù),,34,7、列舉幾種集成電路典型工藝。工藝上常提到0.25,0.18指的是什么？（仕蘭微面試題目）,35,集成電路的基本制造工藝流程,1.雙極集成電路的基本制造工藝2.CMOS集成電路工藝3.Bi-CMOS集成電路工藝,36,1.)雙極集成電路中元件的形成過程和元件結(jié)構(gòu)由典型的PN結(jié)隔離的摻金TTL電路工藝制作的集成電路中的晶體管的剖面圖如下圖所示，它基本上由表面圖形(由光刻掩模決定)和雜質(zhì)濃度分布決定。,,典型數(shù)字集成電路中NPN晶體管剖面圖,37,2.)CMOS集成電路工藝體硅CMOS工藝設(shè)計(jì)中阱工藝的選擇(1)p阱工藝實(shí)現(xiàn)CMOS電路的工藝技術(shù)有多種。CMOS是在PMOS工藝技術(shù)基礎(chǔ)上于1963年發(fā)展起來的，因此采用在n型襯底上的p阱制備NMOS器件是很自然的選擇。由于氧化層中正電荷的作用以及負(fù)的金屬(鋁)柵與襯底的功函數(shù)差，使得在沒有溝道離子注入技術(shù)的條件下，制備低閾值電壓(絕對值)的PMOS器件和增強(qiáng)型NMOS器件相當(dāng)困難。于是，采用輕摻雜的n型襯底制備PMOS器件，采用較高摻雜濃度擴(kuò)散的p阱做NMOS器件，在當(dāng)時(shí)成為最佳的工藝組合。,38,考慮到空穴的遷移率比電子遷移率要低近2倍多，且遷移率的數(shù)值是摻雜濃度的函數(shù)(輕摻雜襯底的載流子遷移率較高)。因此，采用p阱工藝有利于CMOS電路中兩種類型器件的性能匹配，而尺寸差別較小。p阱CMOS經(jīng)過多年的發(fā)展，已成為成熟的主要的CMOS工藝。與NMOS工藝技術(shù)一樣，它采用了硅柵、等平面和全離子注入技術(shù)。,39,(2)n阱工藝為了實(shí)現(xiàn)與LSI的主流工藝增強(qiáng)型/耗層型(E/D)的完全兼容，n阱CMOS工藝得到了重視和發(fā)展。它采用E/DNMOS的相同的p型襯底材料制備NMOS器件，采用離子注入形成的n阱制備PMOS器件，采用溝道離子注入調(diào)整兩種溝遭器件的閾值電壓。n阱CMOS工藝與p阱CMOS工藝相比有許多明顯的優(yōu)點(diǎn)。首先是與E/DNMOS工藝完全兼容，因此，可以直接利用已經(jīng)高度發(fā)展的NMOS工藝技術(shù)；其次是制備在輕摻雜襯底上的NMOS的性能得到了最佳化--保持了高的電子遷移率，低的體效應(yīng)系數(shù)，低的n+結(jié)的寄生電容，降低了漏結(jié)勢壘區(qū)的電場強(qiáng)度，從而降低了電子碰撞電離所產(chǎn)生的電流等。這個(gè)優(yōu)點(diǎn)對動態(tài)CMOS電路，如時(shí)鐘CMOS電路，多米諾電路等的性能改進(jìn)尤其明顯。,40,(3)雙阱工藝雙阱CMOS采用高濃度的n+襯底，在上面生長高阻r外延層，并在其上形成n阱和p阱。它有利于每種溝道類型的器件性能最佳化，且因存在低阻的通道，使可控硅鎖閂效應(yīng)受到抑制。圖A(c)是雙阱CMOS結(jié)構(gòu)示意圖。最為理想的CMOS結(jié)構(gòu)應(yīng)該是絕緣襯底上的CMOS技術(shù)(SOI/CMOS)。它徹底消除了體硅CMOS電路中的“可控硅鎖閂”效應(yīng)，提高抗輻射能力并有利于速度和集成度的提高。,41,SOI/CMOS電路利用絕緣襯底的硅薄膜(SilicononInsulator)制作CMOS電路，能徹底消除體硅CMOS電路中的寄生可控硅結(jié)構(gòu)。能大幅度減小PN結(jié)面積，從而減小了電容效應(yīng)。這樣可以提高芯片的集成度和器件的速度。下圖示出理想的SOI/CMOS結(jié)構(gòu)。SOI結(jié)構(gòu)是針對亞微米CMOS器件提出的，以取代不適應(yīng)要求的常規(guī)結(jié)構(gòu)和業(yè)已應(yīng)用的蘭寶石襯底外延硅結(jié)構(gòu)(SOS-SilicononSapphire結(jié)構(gòu))。SOI結(jié)構(gòu)在高壓集成電路和三維集成電路中也有廣泛應(yīng)用。,42,3.)Bi-CMOS工藝,Bi-CMOS同時(shí)包括雙極和MOS晶體管的集成電路，它結(jié)合了雙極器件的高跨導(dǎo)、強(qiáng)驅(qū)動能力和CMOS器件的高集成度、低功耗的優(yōu)點(diǎn)，使它們互相取長補(bǔ)短、發(fā)揮各自優(yōu)點(diǎn)，制造高速、高集成度、好性能的VLSI。,43,工藝上常提到0.25、0.18指的是特征尺寸,特征尺寸(FeatureSize)/（CriticalDimension）特征尺寸定義為器件中最小線條寬度(對MOS器件而言，通常指器件柵電極所決定的溝道幾何長度)，也可定義為最小線條寬度與線條間距之和的一半。減小特征尺寸是提高集成度、改進(jìn)器件性能的關(guān)鍵。特征尺寸的減小主要取決于光刻技術(shù)的改進(jìn)。集成電路的特征尺寸向深亞微米發(fā)展，目前的規(guī)?；a(chǎn)是0.18μm、0.15μm、0.13μm工藝，Intel目前將大部分芯片生產(chǎn)制成轉(zhuǎn)換到0.09μm、0.065μm。,44,雙極型電路,雙極型電路結(jié)構(gòu),45,CMOS電路,CMOS電路結(jié)構(gòu),46,Bi-CMOS電路,Bi-CMOS電路結(jié)構(gòu),47,SOI,絕緣體上硅工藝SilicononInsulator，SOI,48,8、請描述一下國內(nèi)的工藝現(xiàn)狀。,國內(nèi)的集成電路的特征尺寸向深亞微米發(fā)展，目前的規(guī)?；a(chǎn)是0.18μm、0.15μm、0.13μm工藝，晶圓的尺寸也在增加，當(dāng)前的主流晶圓的尺寸為4、6吋，正在向8吋晶圓邁進(jìn)。,49,截至2006年，我國IC生產(chǎn)線共47條，其中：大尺寸線：12英寸2條、8英寸10條，共12條占25.5%，占四分之一。中尺寸線：6英寸12條、5英寸9條，共21條，占44.7%，最多為二分之一弱。小尺寸線：4英寸14條，占29.8%，三分之一弱?？傊?，從今年我國IC生產(chǎn)線投產(chǎn)的速度看出，“十一五”規(guī)劃期間原先預(yù)計(jì)將投產(chǎn)20條～25條芯片線的預(yù)測是完全可能實(shí)現(xiàn)的。因?yàn)檫@個(gè)預(yù)測平均要求每年投產(chǎn)4條～5條芯片線，而頭一年到十一月中旬就已增加了7條線。,50,51,52,53,54,55,56,57,9、介紹幾家你所熟悉的封測廠,江蘇長電科技股份有限公司（江蘇新潮科技公司）Http://www.cj-地址：江蘇省江陰市濱江中路275號江蘇長電科技股份有限公司是中國半導(dǎo)體封裝生產(chǎn)基地，國內(nèi)著名的三極管制造商，集成電路封裝測試龍頭企業(yè)，國家重點(diǎn)高新技術(shù)企業(yè)和省園林化工廠。公司占地12萬平方米，凈化廠房8萬平方米。在2800余名員工中科技人員占40%.2004年形成年產(chǎn)：集成電路35億塊；大中小功率三極管150億只的能力。,58,無錫華潤安盛科技有限公司,無錫華潤安盛科技有限公司（以下簡稱“華潤安盛”），是香港上市公司華潤勵(lì)致的核心企業(yè)和中國著名的民族微電子企業(yè)——華潤微電子的下屬公司，也是華潤微電子與世界第三大半導(dǎo)體封裝測試企業(yè)STATSChipPAC合資成立的中外合資股份有限公司。主要為海內(nèi)外半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造供應(yīng)商提供集成電路封裝、測試和超薄減薄等代工服務(wù)。,59,華潤安盛面向高速發(fā)展的海內(nèi)外半導(dǎo)體市場，以“躋身全球十大半導(dǎo)體封裝測試企業(yè)”為愿景，遵循“以最具競爭力的專業(yè)服務(wù)，成為半導(dǎo)體封裝測試的首選，實(shí)現(xiàn)股東價(jià)值與員工價(jià)值的最大化”的使命，產(chǎn)銷規(guī)模以每年30%以上的幅度增長，并躋身國內(nèi)同行業(yè)領(lǐng)先地位，被中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會、中國電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究院評選為“中國最具成長性的半導(dǎo)體封裝測試企業(yè)”。,60,61,威宇科技測試封裝（上海）有限公司,GAPT集團(tuán)是一家外商獨(dú)資的半導(dǎo)體后工序企業(yè)，計(jì)劃于上海浦東開發(fā)區(qū)張江高科技園區(qū)投資數(shù)億美元，建立一個(gè)完整的封裝設(shè)計(jì),組裝,測試與凸晶企業(yè),GAPT將結(jié)合現(xiàn)有芯片制造商及IC設(shè)計(jì)公司,為我們的客戶提供最好的"一站式"(OneStopshopping)全方位產(chǎn)品及服務(wù)。GAPT第一顆PBGA27X27產(chǎn)品在2001年5月1日誕生并已通過所有可靠性測試并在年底開始量產(chǎn)；PBGA35X35、31X31、37.5X37.5（包含散熱蓋的設(shè)計(jì)）,多芯片模組,系統(tǒng)芯片及TFBGA、QFN已通過審驗(yàn)開始量產(chǎn)；同時(shí)QFP高腳數(shù)產(chǎn)品生產(chǎn)線已在2002年第二季度建立，產(chǎn)量不斷提高。,62,廈門永紅電子有限公司,,63,星科金朋（上海）有限公司公司簡介,星科金朋公司是世界排名前列的半導(dǎo)體封裝測試公司，提供全球各地客戶整體與快捷的高質(zhì)量服務(wù)?？蛻羧喊〝?shù)家晶圓代工廠、全球知名IDM大廠與遍布全球各地集成電路設(shè)計(jì)公司。服務(wù)產(chǎn)品種類含蓋通信、電腦、電源供應(yīng)器與數(shù)據(jù)型消費(fèi)性產(chǎn)品等。以先進(jìn)制造與管理技術(shù)為基礎(chǔ)，加上全球性布局，星科金朋在全球封裝測試業(yè)樹立了可靠與高質(zhì)量服務(wù)的標(biāo)竿。星科金朋公司在全球擁有一萬多名員工，在新加坡、中國及中國臺灣地區(qū)、韓國、馬來西亞和美國等地設(shè)有工廠。星科金朋（上海）有限公司位于上海西郊經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)，距虹橋機(jī)場僅8公里之遙，現(xiàn)有員工四千多人，占地面積11萬平方米。公司提供定期和不定期的員工海外培訓(xùn)機(jī)會，為員工的發(fā)展提供廣闊的平臺。,64,樂山－菲尼克斯半導(dǎo)體有限公司（中國四川樂山）,安森美半導(dǎo)體是中國西部投資的先驅(qū)者，在1995年其作為摩托羅拉半導(dǎo)體元件部與樂山無線電股份有限公司合資成立了樂山－菲尼克斯半導(dǎo)體有限公司，走在中國的西部大開發(fā)政策之前。安森美半導(dǎo)體在這個(gè)合資企業(yè)里擁有51％的股份,樂山無線電股份有限公司占39％，摩托羅拉占10％。樂山－菲尼克斯已成為四川省最大的外商投資企業(yè)和最大的電子出口商之一。該公司在新芯片廠投資前的核準(zhǔn)投資額達(dá)2.80億美元。樂山－菲尼克斯已經(jīng)成為安森美半導(dǎo)體中國乃至全球卓越的半導(dǎo)體制造中心，并能制造出具有世界級品質(zhì)和成本保持在基準(zhǔn)點(diǎn)水平的產(chǎn)品。工廠每年生產(chǎn)超過100億只器件，生產(chǎn)能力正在穩(wěn)定地增長。2002年8月，安森美半導(dǎo)體成為首家宣布在中國西部投資六英寸芯片廠的跨國公司，擴(kuò)大其在樂山－菲尼克斯合資廠的規(guī)模。,65,宇芯(成都)集成電路封裝測試有限公司,友尼森（Unisem）（.my）成立于1989年，馬來西亞第二大半導(dǎo)體封裝測試公司，1992年開始從事獨(dú)立的IC封裝和測試，目前為客戶提供晶圓制造，晶圓測試、IC封裝與測試及相關(guān)輔助服務(wù)，擁有世界領(lǐng)先的半導(dǎo)體封裝測試技術(shù)，總部位于馬來西亞霹靂州怡保，并在馬來西亞，英國，中國等國家擁有生產(chǎn)基地，約94%的產(chǎn)品銷往歐美，6%銷往亞洲。,66,2004年8月，友尼森宣布，將投資2.1億美金在成都高新西區(qū)出口加工區(qū)西區(qū)新建友尼森旗下現(xiàn)代化程度最高的半導(dǎo)體工廠，使其成為友尼森在全球的旗艦企業(yè)——宇芯（成都）集成電路封裝測試有限公司,新工廠將采用目前世界上最先進(jìn)的全新的設(shè)備，生產(chǎn)SLP、BGA、SOIC、TSSOP等高端產(chǎn)品。2004年底，宇芯工廠開建，2006年中開始投產(chǎn)。友尼森宇芯(成都)項(xiàng)目全部建成后，員工總數(shù)將達(dá)到4500-5600人。宇芯成都以團(tuán)隊(duì)精神、信賴、責(zé)任、主動、關(guān)愛為核心價(jià)值，并傾注極大的關(guān)注在員工福利、健康與安全上。我們把員工視為企業(yè)最有價(jià)值的資產(chǎn)，并為員工提供良好的培訓(xùn)包括海外培訓(xùn)的機(jī)會，及廣闊的發(fā)展空間。,67,南通富士通,http://www.fujitsu-,68,69,2006年度國內(nèi)十大半導(dǎo)體企業(yè)統(tǒng)計(jì)結(jié)果,行業(yè)動態(tài)2007年4月9日為全面總結(jié)2006年國內(nèi)各有關(guān)半導(dǎo)體企業(yè)所取得的成績，依據(jù)參加全國半導(dǎo)體行業(yè)統(tǒng)計(jì)企業(yè)的上報(bào)數(shù)據(jù)，中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會分別排出2006年度國內(nèi)10大集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)、10大集成電路與分立器件制造企業(yè)以及10大封裝測試企業(yè)，其結(jié)果如下：,70,71,72,天津,江陰,73,10、半導(dǎo)體工藝中，摻雜有哪幾種方式？,74,摻雜工藝（擴(kuò)散與離子注入）通過摻雜可以在硅襯底上形成不同類型的半導(dǎo)體區(qū)域，構(gòu)成各種器件結(jié)構(gòu)。摻雜工藝的基本思想就是通過某種技術(shù)措施，將一定濃度的Ⅲ價(jià)元素，如硼，或Ⅴ價(jià)元素，如磷、砷等摻入半導(dǎo)體襯底。,75,摻雜：將需要的雜質(zhì)摻入特定的半導(dǎo)體區(qū)域中，以達(dá)到改變半導(dǎo)體電學(xué)性質(zhì)，形成PN結(jié)、電阻、歐姆接觸磷(P)、砷(As)—N型硅硼(B)—P型硅摻雜工藝：擴(kuò)散、離子注入,76,擴(kuò)散,替位式擴(kuò)散：雜質(zhì)離子占據(jù)硅原子的位：Ⅲ、Ⅴ族元素一般要在很高的溫度(950～1280℃)下進(jìn)行，橫向擴(kuò)散嚴(yán)重。但對設(shè)備的要求相對較低。磷、硼、砷等在二氧化硅層中的擴(kuò)散系數(shù)均遠(yuǎn)小于在硅中的擴(kuò)散系數(shù)，可以利用氧化層作為雜質(zhì)擴(kuò)散的掩蔽層間隙式擴(kuò)散：雜質(zhì)離子位于晶格間隙：Na、K、Fe、Cu、Au等元素?cái)U(kuò)散系數(shù)要比替位式擴(kuò)散大6～7個(gè)數(shù)量級（絕對不許用手摸硅片—防止Na+沾污。）,77,例如，在N型襯底上摻硼，可以使原先的N型襯底電子濃度變小，或使N型襯底改變成P型；如在N型襯底表面摻磷，可以提高襯底的表面雜質(zhì)濃度。摻雜分為熱擴(kuò)散法摻雜和離子注入法摻雜。由光刻工藝(刻蝕)為摻雜確定摻雜的區(qū)域，在需要摻雜處(即摻雜窗口)裸露出硅襯底，非摻雜區(qū)則用一定厚度的二氧化硅或者氮化硅等薄膜材料進(jìn)行屏蔽。離子注入則常采用一定厚度的二氧化硅、光刻膠或這兩層材料同時(shí)作為摻雜屏蔽。,78,對P型襯底，如果將一定濃度的Ⅴ價(jià)元素?fù)饺?，將使原先的P型襯底空穴濃度變低，或使P型襯底改變?yōu)镹型。同樣的，如果在P型襯底表面摻硼，將提高P型襯底的表面濃度。所謂熱擴(kuò)散摻雜就是利用原子在高溫下的擴(kuò)散運(yùn)動，使雜質(zhì)原子從濃度很高的雜質(zhì)源向硅中擴(kuò)散并形成一定的分布。熱擴(kuò)散通常分兩個(gè)步驟進(jìn)行：預(yù)淀積和再分布。預(yù)淀積是在高溫下，利用雜質(zhì)源，如硼源、磷源等，對硅片上的摻雜窗口進(jìn)行擴(kuò)散，在窗口處形成一層較薄但具有較高濃度的雜質(zhì)層。這是一種恒定表面源的擴(kuò)散過程。,79,再分布是利用預(yù)淀積所形成的表面雜質(zhì)層做雜質(zhì)源，在高溫下將這層雜質(zhì)向硅體內(nèi)擴(kuò)散的過程。通常再分布的時(shí)間較長，通過再分布，可以在硅襯底上形成一定的雜質(zhì)分布和結(jié)深。再分布是限定表面源擴(kuò)散過程。,80,離子注入,離子注入是另一種摻雜技術(shù)，離子注入摻雜也分為兩個(gè)步驟：離子注入和退火再分布。離子注入是通過高能離子束轟擊硅片表面，在摻雜窗口處，雜質(zhì)離子被注入硅本體，在其他部位，雜質(zhì)離子被硅表面的保護(hù)層屏蔽，完成選擇摻雜的過程。進(jìn)入硅中的雜質(zhì)離子在一定的位置形成一定的分布。通常，離子注入的深度(平均射程)較淺且濃度較大，必須重新使它們再分布。摻雜深度由注入雜質(zhì)離子的能量和質(zhì)量決定，摻雜濃度由注入雜質(zhì)離子的數(shù)目(劑量)決定。,81,同時(shí)，由于高能粒子的撞擊，導(dǎo)致硅結(jié)構(gòu)的晶格發(fā)生損傷。為恢復(fù)晶格損傷，在離子注入后要進(jìn)行退火處理，根據(jù)注入的雜質(zhì)數(shù)量不同，退火溫度在450℃~950℃之間，摻雜濃度大則退火溫度高，反之則低。在退火的同時(shí)，摻入的雜質(zhì)同時(shí)向硅體內(nèi)進(jìn)行再分布，如果需要，還要進(jìn)行后續(xù)的高溫處理以獲得所需的結(jié)深和分布。離子注入技術(shù)以其摻雜濃度控制精確、位置準(zhǔn)確等優(yōu)點(diǎn)，正在取代熱擴(kuò)散摻雜技術(shù)，成為VLSI工藝流程中摻雜的主要技術(shù)。,82,離子注入的優(yōu)點(diǎn)：摻雜的均勻性好溫度低：可小于600℃可以精確控制雜質(zhì)分布可以注入各種各樣的元素橫向擴(kuò)展比擴(kuò)散要小得多可以對化合物半導(dǎo)體進(jìn)行摻雜,83,11、描述CMOS電路中閂鎖效應(yīng)產(chǎn)生的過程及最后的結(jié)果,84,Latch-Up(鎖定)是CMOS存在一種寄生電路的效應(yīng)，它會導(dǎo)致VDD和VSS短路，使得晶片損毀，或者至少系統(tǒng)因電源關(guān)閉而停擺。這種效應(yīng)是早期CMOS技術(shù)不能被接受的重要原因之一。在制造更新和充分了解電路設(shè)計(jì)技巧之后，這種效應(yīng)已經(jīng)可以被控制了。CMOS電路之所以會產(chǎn)生Latch-Up效應(yīng)，我們可以用圖2.29來表示。在圖中我們以剖面圖來看一個(gè)CMOS反相器如何發(fā)生此效應(yīng)，而且它是用P型阱制造生產(chǎn)。在這個(gè)圖中，我們同時(shí)也描繪了寄生電路，它包含了兩個(gè)BJT(一個(gè)縱向npn和一個(gè)橫向pnp)和兩個(gè)電阻(RS是因N型襯底產(chǎn)生，Rw是因P阱產(chǎn)生)。BJT的特性和MOS是完全兩樣的。,85,CMOS電路中的寄生PNPN效應(yīng),,,86,閂鎖效應(yīng)為CMOS電路所獨(dú)有，是由于CMOS結(jié)構(gòu)中存在pnpn四層結(jié)構(gòu)所形成的寄生可控硅造成的。所以nMOS或pMOS電路中不會出現(xiàn)閂鎖效應(yīng)。CMOS電路中寄生可控硅結(jié)構(gòu)的形成,,CMOS反相器剖面圖和寄生可控硅等效電路,(b),(a),87,防止閂瑣的措施：A.器件外部的保護(hù)措施?電源并接穩(wěn)壓管。?低頻時(shí)加限流電阻（使電源電流<30mA）?盡量減小電路中的電容值。（一般C<0.01?F）B.使用時(shí)的注意事項(xiàng)：?輸入電壓不可超過VDD?VSS范圍。?輸入信號一定要等VDD?VSS電壓穩(wěn)定后才能加入；關(guān)機(jī)應(yīng)先關(guān)信號源，再關(guān)電源。?不用的輸入端不能懸浮，應(yīng)按邏輯關(guān)系的需要接VDD或VSS,88,,89,12、簡要介紹版圖檢查與驗(yàn)證,1.DRC：設(shè)計(jì)規(guī)則檢查（最小線寬、最小圖形間距、最小接觸孔尺寸、柵和源漏區(qū)的最小交疊等）實(shí)現(xiàn)：通過圖形計(jì)算（線和線間的距離計(jì)算）DRC軟件用戶：編寫DRC文件，給出設(shè)計(jì)規(guī)則2.ERC：檢查電學(xué)規(guī)則，檢測出沒有電路意義的連接錯(cuò)誤，（短路、開路、孤立布線、非法器件等），介于設(shè)計(jì)規(guī)則與行為級分析之間，不涉及電路行為實(shí)現(xiàn)：提取版圖網(wǎng)表，ERC軟件網(wǎng)表提取工具：邏輯連接復(fù)原,90,版圖檢查與驗(yàn)證（續(xù)）,3.LVS：網(wǎng)表一致性檢查概念：從版圖提取出的電路網(wǎng)表與從原理圖得到的網(wǎng)表進(jìn)行比較，檢查兩者是否一致。作用與特點(diǎn)：主要用于保證進(jìn)行電路功能和性能驗(yàn)證之前避免物理設(shè)計(jì)錯(cuò)誤?？梢詸z查出ERC無法檢查出的設(shè)計(jì)錯(cuò)誤，也可以實(shí)現(xiàn)錯(cuò)誤定位實(shí)現(xiàn)：網(wǎng)表提取，LVS軟件,91,版圖檢查與驗(yàn)證（續(xù)）,4.后仿真：考慮版圖引入的寄生量的影響，進(jìn)行后仿真，保證版圖能滿足電路功能和性能的要求后仿真對象參數(shù)提取程序提取出實(shí)際版圖參數(shù)和寄生電阻、寄生電容等寄生參數(shù)，進(jìn)一步生成帶寄生參數(shù)的器件級網(wǎng)表提取得到寄生參數(shù)文件和單元延遲文件結(jié)合，通過延遲計(jì)算器生成一個(gè)延遲文件，把該延遲文件反標(biāo)（back-annotation）到網(wǎng)表中通過參數(shù)提取直接得到一個(gè)與路徑延遲相關(guān)的延遲文件，進(jìn)行反標(biāo),92,版圖驗(yàn)證的內(nèi)容,設(shè)計(jì)規(guī)則檢查(DRC)電氣規(guī)則檢查(ERC)天線效應(yīng)檢查(Antenna)金屬密度檢查(MetalDensity)版圖/線路圖比較(LVS),93,設(shè)計(jì)規(guī)則檢查,DesignRulesChecking,DRC檢查版圖中是否存在不符合設(shè)計(jì)規(guī)則的部分，并非所有設(shè)計(jì)規(guī)則都能夠通過EDA軟件自動檢查，EDA軟件也可能會報(bào)告“假錯(cuò)”。不符合設(shè)計(jì)規(guī)則的電路可能無法制造成功。任何改動之后，都必須重新做DRC，即使改動很小。天線效應(yīng)檢查和金屬密度檢查也屬于DRC的范圍,94,電氣規(guī)則檢查,ElectricalRulesChecking,ERC與工藝無關(guān)的電氣錯(cuò)誤短路開路懸空節(jié)點(diǎn)與工藝有關(guān)的電氣錯(cuò)誤錯(cuò)誤的襯底偏置錯(cuò)誤的電源/地連接孤立節(jié)點(diǎn),95,版圖/線路圖比較,LayoutVersusSchematic,LVS驗(yàn)證版圖是否與線路圖一致電路仿真和版圖設(shè)計(jì)是基于線路圖的修改LVS錯(cuò)誤后，必須重新進(jìn)行DRC檢查在需要的場合，還可以進(jìn)行LVL和SVS等比較,96,寄生參數(shù)抽取,ParasiticExtraction,PEX提取版圖中寄生的電阻和電容寄生器件對芯片的性能有不同程度的影響寄生參數(shù)可以反標(biāo)到原始的線路圖中，參加后仿真，驗(yàn)證寄生參數(shù)對電路功能和性能的影響,97,13、可編程邏輯器件在現(xiàn)代電子設(shè)計(jì)中越來越重要，請問：你所知道的可編程邏輯器件有哪些？,ROM只讀存儲器PLA可編程邏輯陣列（ProgrammableLogicArray）PAL可編程陣列邏輯（ProgrammableArrayLogic）GAL通用陣列邏輯（GenericArrayLogic）EPLD（ErasableProgrammableLogicDevice）——可擦除、可編程邏輯器件。CPLD（ComplexProgrammableLogicalDevices）——復(fù)雜可編程邏輯器件。FPGA（FieldProgrammableGateArray）--現(xiàn)場可編程邏輯門陣列,98,可編程邏輯器件,,低密度可編程邏輯器件（LDPLD）,高密度可編程邏輯器件（HDPLD）,EPLD(可擦除、可編程邏輯器件)CPLD(復(fù)雜可編程邏輯器件)FPGA(現(xiàn)場可編程邏輯門陣列)ISP（In-SystemProgrammable）在系統(tǒng)編程芯片,可編程邏輯器件PLD的種類:,ROMPLA(可編程邏輯陣列）PAL(可編程陣列邏輯）GAL（通用陣列邏輯）,99,A、按結(jié)構(gòu)的復(fù)雜性分類,,100,,B、按陣列是否可編程分類,101,14、BJT及MOSFET基本的特性,102,雙極晶體管,1.雙極晶體管的結(jié)構(gòu),由兩個(gè)相距很近的PN結(jié)組成：,分為：NPN和PNP兩種形式,基區(qū)寬度遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于少子擴(kuò)散長度,,103,晶體管的直流特性,共發(fā)射極的直流特性曲線,三個(gè)區(qū)域：飽和區(qū)放大區(qū)截止區(qū),,,,,,,,,,,,104,某硅NPN三極管的共射輸出特性曲線圖,105,BJT的特點(diǎn),優(yōu)點(diǎn),垂直結(jié)構(gòu),與輸運(yùn)時(shí)間相關(guān)的尺寸由工藝參數(shù)決定，與光刻尺寸關(guān)系不大,,,易于獲得高fT,,高速應(yīng)用,整個(gè)發(fā)射上有電流流過,可獲得單位面積的大輸出電流,,,易于獲得大電流,,大功率應(yīng)用,開態(tài)電壓VBE與尺寸、工藝無關(guān),片間漲落小，可獲得小的電壓擺幅,,,易于小信號應(yīng)用,,模擬電路,106,輸入電容由擴(kuò)散電容決定,隨工作電流的減小而減小,,,可同時(shí)在大或小的電流下工作而無需調(diào)整輸入電容,輸入電壓直接控制提供輸出電流的載流子密度,,高跨導(dǎo),107,缺點(diǎn)：,存在直流輸入電流，基極電流,,功耗大,飽和區(qū)中存儲電荷上升,,開關(guān)速度慢,開態(tài)電壓無法成為設(shè)計(jì)參數(shù),設(shè)計(jì)BJT的關(guān)鍵：獲得盡可能大的IC和盡可能小的IB,108,MOSFET的結(jié)構(gòu)與工作原理,MOSFET——Metal-Oxide-SemiconductorFieldEffectedTransistor的縮寫，即金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，是一種壓控四端有源器件，MOS型尤其是CMOSIC已超越雙極IC成為IC市場的主流產(chǎn)品。MOSFET按溝道區(qū)的導(dǎo)電載流子不同可分為NMOS和PMOS，各自又分別有增強(qiáng)型（常關(guān)閉型）和耗盡型（常開啟型）兩種類型。,109,D—漏極Drain，G—柵極Gate，S—源極Source，B—襯底Bulk,假設(shè)VG=0V時(shí)，柵氧化層中無電荷存在，則可通過對不同VG下器件能帶分布的情況分析器件的工作原理。,NMOS結(jié)構(gòu)示意圖,p,p,-,-,,,PMOS結(jié)構(gòu)示意圖,N,110,MOS器件與雙極型晶體管BJT的比較MOSFET—MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistorBJT—BipolarJunctionTransistor1、特性比較,,雙極與MOS器件輸出特性曲線,111,雙極器件（兩種載流子導(dǎo)電）單極器件（一種載流子起作用）少子器件，有少子存貯效應(yīng)多子器件,,（流控）,（壓控）,112,雙極型三極管和場效應(yīng)三極管的比較見表,113,15、BIPOLAR與CMOS工藝特點(diǎn)及電路優(yōu)缺點(diǎn),114,按器件結(jié)構(gòu)類型分類,雙極集成電路：主要由雙極晶體管構(gòu)成只含NPN型晶體管的雙極集成電路（數(shù)字電路）含NPN型及PNP型晶體管的雙極集成電路（模擬電路）金屬-氧化物-半導(dǎo)體(MOS)集成電路：主要由MOS晶體管(單極晶體管)構(gòu)成NMOSPMOSCMOS(互補(bǔ)MOS)雙極-MOS(Bi-MOS)集成電路：同時(shí)包括雙極和MOS晶體管的集成電路為Bi-MOS集成電路，綜合了雙極和MOS器件兩者的優(yōu)點(diǎn)，但制作工藝復(fù)雜,優(yōu)點(diǎn)是速度高、驅(qū)動能力強(qiáng)，缺點(diǎn)是功耗較大、集成度較低,功耗低、集成度高，隨著特征尺寸的縮小，速度也可以很高,