《（新課標(biāo)）廣西2019高考化學(xué)二輪復(fù)習(xí) 專題六 物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì) 15 物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)（選考）課件.ppt》由會員分享，可在線閱讀，更多相關(guān)《（新課標(biāo)）廣西2019高考化學(xué)二輪復(fù)習(xí) 專題六 物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì) 15 物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)（選考）課件.ppt（82頁珍藏版）》請?jiān)谘b配圖網(wǎng)上搜索。

1、第15講物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)(選考),考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,真題示例,核心建模,對點(diǎn)演練,考點(diǎn)三,考點(diǎn)一原子結(jié)構(gòu)與性質(zhì) 1.(2018全國,35)鋅在工業(yè)中有重要作用,也是人體必需的微量元素?；卮鹣铝袉栴}: (1)Zn原子核外電子排布式為。 (2)黃銅是人類最早使用的合金之一,主要由Zn和Cu組成。第一電離能I1(Zn)I1(Cu)(填“大于”或“小于”),原因是。 (3)ZnF2具有較高的熔點(diǎn)(872 ),其化學(xué)鍵類型是;ZnF2不溶于有機(jī)溶劑而ZnCl2、ZnBr2、ZnI2能夠溶于乙醇、乙醚等有機(jī)溶劑,原因是。,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,真題示例,核心建模,對點(diǎn)演練,考點(diǎn)三,(4)中華本草等中醫(yī)典籍中,記載了

2、爐甘石(ZnCO3)入藥,可用于治療皮膚炎癥或表面創(chuàng)傷。ZnCO3中,陰離子空間構(gòu)型為,C原子的雜化形式為。 (5)金屬Zn晶體中的原子堆積方式如圖所示,這種堆積方式稱為。六棱柱底邊邊長為a cm,高為c cm,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,Zn的密度為 gcm-3(列出計(jì)算式)。,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,真題示例,核心建模,對點(diǎn)演練,考點(diǎn)三,答案: (1)Ar3d104s2(2)大于Zn的3d能級與4s能級為全滿穩(wěn)定結(jié)構(gòu),較難失電子 (3)離子鍵ZnF2為離子化合物,ZnCl2、ZnBr2、ZnI2的化學(xué)鍵以共價(jià)鍵為主、極性較小 (4)平面三角形sp2,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,真題示例,核心建模,對點(diǎn)演練,考

3、點(diǎn)三,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,真題示例,核心建模,對點(diǎn)演練,考點(diǎn)三,2.(2017課標(biāo)全國,35)鉀和碘的相關(guān)化合物在化工、醫(yī)藥、材料等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用?；卮鹣铝袉栴}: (1)元素K的焰色反應(yīng)呈紫紅色,其中紫色對應(yīng)的輻射波長為 nm(填標(biāo)號)。 A.404.4B.553.5C.589.2D.670.8E.766.5 (2)基態(tài)K原子中,核外電子占據(jù)最高能層的符號是,占據(jù)該能層電子的電子云輪廓圖形狀為。K和Cr屬于同一周期,且核外最外層電子構(gòu)型相同,但金屬K的熔點(diǎn)、沸點(diǎn)等都比金屬Cr低,原因是。,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,真題示例,核心建模,對點(diǎn)演練,考點(diǎn)三,(4)KIO3晶體是一種性能良好的非線性光學(xué)材料,具

4、有鈣鈦礦型的立方結(jié)構(gòu),邊長為a=0.446 nm,晶胞中K、I、O分別處于頂角、體心、面心位置,如圖所示。K與O間的最短距離為nm,與K緊鄰的O個數(shù)為。 (5)在KIO3晶胞結(jié)構(gòu)的另一種表示中,I處于各頂角位置,則K處于位置,O處于位置。,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,真題示例,核心建模,對點(diǎn)演練,考點(diǎn)三,答案:(1)A(2)N球形K原子半徑較大且價(jià)電子數(shù)較少,金屬鍵較弱 (3)V形sp3 (4)0.31512 (5)體心棱心,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,真題示例,核心建模,對點(diǎn)演練,考點(diǎn)三,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,真題示例,核心建模,對點(diǎn)演練,考點(diǎn)三,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,真題示例,核心建模,對點(diǎn)演練,考點(diǎn)三,3.(2016課標(biāo)全

5、國,37)砷化鎵(GaAs)是優(yōu)良的半導(dǎo)體材料,可用于制作微型激光器或太陽能電池的材料等?；卮鹣铝袉栴}: (1)寫出基態(tài)As原子的核外電子排布式。 (2)根據(jù)元素周期律,原子半徑GaAs,第一電離能GaAs。(填“大于”或“小于”) (3)AsCl3分子的立體構(gòu)型為,其中As的雜化軌道類型為。 (4)GaF3的熔點(diǎn)高于1 000 ,GaCl3的熔點(diǎn)為77.9 ,其原因是。,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,真題示例,核心建模,對點(diǎn)演練,考點(diǎn)三,(5)GaAs的熔點(diǎn)為1 238 ,密度為 gcm-3,其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。該晶體的類型為,Ga與As以鍵鍵合。Ga和As的摩爾質(zhì)量分別為MGa gmol-1和MAs g

6、mol-1,原子半徑分別為rGa pm和rAs pm,阿伏加德羅常數(shù)值為NA,則GaAs晶胞中原子的體積占晶胞體積的百分率為。,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,真題示例,核心建模,對點(diǎn)演練,考點(diǎn)三,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,真題示例,核心建模,對點(diǎn)演練,考點(diǎn)三,解析:(1)As的原子序數(shù)是33,則基態(tài)As原子的核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d104s24p3或Ar3d104s24p3。 (2)Ga和As位于同一周期,同周期主族元素從左向右原子半徑逐漸減小,則原子半徑GaAs;由于As的4p能級處于半充滿狀態(tài),穩(wěn)定性強(qiáng),因此第一電離能Ga

7、三個sp3雜化軌道分別與三個氯原子成鍵,還有一個sp3雜化軌道上有一對孤電子對,故AsCl3分子的立體構(gòu)型為三角錐形。 (4)GaF3為離子晶體,GaCl3為分子晶體,離子晶體的熔點(diǎn)一般高于分子晶體。,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,真題示例,核心建模,對點(diǎn)演練,考點(diǎn)三,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,真題示例,核心建模,對點(diǎn)演練,考點(diǎn)三,4.(2015課標(biāo)全國,37)碳及其化合物廣泛存在于自然界中?；卮鹣铝袉栴}: (1)處于一定空間運(yùn)動狀態(tài)的電子在原子核外出現(xiàn)的概率密度分布可用形象化描述。在基態(tài)14C原子中,核外存在對自旋相反的電子。 (2)碳在形成化合物時(shí),其鍵型以共價(jià)鍵為主,原因是。 (3)CS2分子中,共價(jià)鍵的類型有

8、,C原子的雜化軌道類型是,寫出兩個與CS2具有相同空間構(gòu)型和鍵合形式的分子或離子。 (4)CO能與金屬Fe形成Fe(CO)5,該化合物的熔點(diǎn)為253 K,沸點(diǎn)為376 K,其固體屬于晶體。,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,真題示例,核心建模,對點(diǎn)演練,考點(diǎn)三,(5)碳有多種同素異形體,其中石墨烯與金剛石的晶體結(jié)構(gòu)如圖所示: 在石墨烯晶體中,每個C原子連接個六元環(huán),每個六元環(huán)占有個C原子。 在金剛石晶體中,C原子所連接的最小環(huán)也為六元環(huán),每個C原子連接個六元環(huán),六元環(huán)中最多有個C原子在同一平面。,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,真題示例,核心建模,對點(diǎn)演練,考點(diǎn)三,答案:(1)電子云2 (2)C有4個價(jià)電子且半徑小,難以通過

9、得或失電子達(dá)到穩(wěn)定電子結(jié)構(gòu) (3)鍵和鍵spCO2、SCN-(或COS等) (4)分子(5)32124,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,真題示例,核心建模,對點(diǎn)演練,考點(diǎn)三,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,真題示例,核心建模,對點(diǎn)演練,考點(diǎn)三,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,真題示例,核心建模,對點(diǎn)演練,考點(diǎn)三,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,真題示例,核心建模,對點(diǎn)演練,考點(diǎn)三,方法技巧(1)構(gòu)造原理示意圖:,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,真題示例,核心建模,對點(diǎn)演練,考點(diǎn)三,(2)能量相同的原子軌道在全滿(p6、d10、f14)、半滿(p3、d5、f7)和全空(p0、d0、f0)狀態(tài)時(shí),體系的能量最低。如24Cr的基態(tài)原子的核外電子排布式為1s22s22p63s23

10、p63d54s1,而不是1s22s22p63s23p63d44s2。,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,真題示例,核心建模,對點(diǎn)演練,考點(diǎn)三,GaN、GaP、GaAs是人工合成的一系列新型半導(dǎo)體材料,其晶體結(jié)構(gòu)均與金剛石相似。銅是重要的過渡元素,能形成多種配合物,如Cu2+與乙二胺(H2NCH2CH2NH2)可形成如圖所示配離子。回答下列問題:,(1)基態(tài)Ga原子價(jià)電子排布圖為。 (2)熔點(diǎn):GaNGaP(填“”或“”或“<”)。 (4)Cu2+與乙二胺所形成的配離子內(nèi)部不含有的化學(xué)鍵類型是。 A.配位鍵B.極性鍵 C.離子鍵D.非極性鍵,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,真題示例,核心建模,對點(diǎn)演練,考點(diǎn)三,(5)乙二胺分子中

11、氮原子軌道的雜化類型為,乙二胺和三甲胺分子式為N(CH3)3均屬于胺,但乙二胺比三甲胺的沸點(diǎn)高很多,原因是。 (6)Cu的某種晶體晶胞為面心立方結(jié)構(gòu),晶胞邊長為a cm,銅原子的半徑為r cm。該晶體密度為 gcm-3(用含a和NA的代數(shù)式表達(dá),NA為阿伏加德羅常數(shù)的值),該晶體中銅原子的空間利用率為(用含a和r的代數(shù)式表達(dá))。,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,真題示例,核心建模,對點(diǎn)演練,考點(diǎn)三,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,真題示例,核心建模,對點(diǎn)演練,考點(diǎn)三,真題示例,核心建模,對點(diǎn)演練,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,考點(diǎn)三,考點(diǎn)二分子結(jié)構(gòu)與性質(zhì) 1.(2018全國,35)硫及其化合物有許多用途,相關(guān)物質(zhì)的物理常數(shù)如下表所示:

12、回答下列問題: (1)基態(tài)Fe原子價(jià)層電子的電子排布圖(軌道表達(dá)式)為,基態(tài)S原子電子占據(jù)最高能級的電子云輪廓圖為形。 (2)根據(jù)價(jià)層電子對互斥理論,H2S、SO2、SO3的氣態(tài)分子中,中心原子價(jià)層電子對數(shù)不同于其他分子的是。,真題示例,核心建模,對點(diǎn)演練,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,考點(diǎn)三,(3)圖(a)為S8的結(jié)構(gòu),其熔點(diǎn)和沸點(diǎn)要比二氧化硫的熔點(diǎn)和沸點(diǎn)高很多,主要原因?yàn)椤?真題示例,核心建模,對點(diǎn)演練,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,考點(diǎn)三,,真題示例,核心建模,對點(diǎn)演練,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,考點(diǎn)三,真題示例,核心建模,對點(diǎn)演練,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,考點(diǎn)三,(2)H2S、SO2、SO3中心原子價(jià)層電子對數(shù)分別為4、3、3,故

13、H2S分子的中心原子價(jià)層電子對數(shù)不同于SO2、SO3。 (3)S8分子的相對分子質(zhì)量比SO2大,分子間范德華力強(qiáng),故其熔、沸點(diǎn)比SO2高很多。 (4)氣態(tài)三氧化硫中心原子價(jià)層電子對數(shù)為3,孤電子對數(shù)為0,故其分子的立體構(gòu)型為平面三角形,共價(jià)鍵有鍵和鍵兩種類型;根據(jù)圖(b)所示,固態(tài)三氧化硫每個硫原子與四個氧原子形成4個鍵,故S原子的雜化軌道類型為sp3。,真題示例,核心建模,對點(diǎn)演練,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,考點(diǎn)三,真題示例,核心建模,對點(diǎn)演練,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,考點(diǎn)三,2.(2017課標(biāo)全國,35)研究發(fā)現(xiàn),在CO2低壓合成甲醇反應(yīng)(CO2+3H2==CH3OH+H2O)中,Co氧化物負(fù)載的Mn氧化物

14、納米粒子催化劑具有高活性,顯示出良好的應(yīng)用前景。回答下列問題: (1)Co基態(tài)原子核外電子排布式為。元素Mn與O中,第一電離能較大的是,基態(tài)原子核外未成對電子數(shù)較多的是。 (2)CO2和CH3OH分子中C原子的雜化形式分別為 和。 (3)在CO2低壓合成甲醇反應(yīng)所涉及的4種物質(zhì)中,沸點(diǎn)從高到低的順序?yàn)?原因是。 (4)硝酸錳是制備上述反應(yīng)催化劑的原料,Mn(NO3)2中的化學(xué)鍵除了鍵外,還存在。,真題示例,核心建模,對點(diǎn)演練,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,考點(diǎn)三,(5)MgO具有NaCl型結(jié)構(gòu)(如圖),其中陰離子采用面心立方最密堆積方式,X射線衍射實(shí)驗(yàn)測得MgO的晶胞參數(shù)為a=0.420 nm,則r(O2-

15、)為nm。MnO也屬于NaCl型結(jié)構(gòu),晶胞參數(shù)為a=0.448 nm,則r(Mn2+)為 nm。,真題示例,核心建模,對點(diǎn)演練,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,考點(diǎn)三,,真題示例,核心建模,對點(diǎn)演練,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,考點(diǎn)三,解析:(1)Co是27號元素,其基態(tài)原子電子排布式為1s22s22p63s23p63d74s2或Ar3d74s2。一般元素的非金屬性越強(qiáng),第一電離能越大,金屬性越強(qiáng),第一電離能越小,故第一電離能OMn。氧原子價(jià)電子排布式為2s22p4,其核外未成對電子數(shù)是2,錳原子價(jià)電子排布式為3d54s2,其核外未成對電子數(shù)是5,故基態(tài)原子核外未成對電子數(shù)較多的是Mn。 (2)CO2和CH3OH中的中心

16、原子碳原子的價(jià)層電子對數(shù)分別是2和4,故碳原子的雜化方式分別為sp和sp3。 (3)四種物質(zhì)固態(tài)時(shí)均為分子晶體,H2O、CH3OH都可以形成分子間氫鍵,一個水分子中兩個H都可以參與形成氫鍵,而一個甲醇分子中只有羥基上的H可用于形成氫鍵,所以水的沸點(diǎn)高于甲醇。CO2的相對分子質(zhì)量大于H2的,所以CO2分子間范德華力大于H2分子間的,則沸點(diǎn)CO2高于H2,故沸點(diǎn)H2OCH3OHCO2H2。,真題示例,核心建模,對點(diǎn)演練,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,考點(diǎn)三,真題示例,核心建模,對點(diǎn)演練,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,考點(diǎn)三,3.(2016課標(biāo)全國,37)鍺(Ge)是典型的半導(dǎo)體元素,在電子、材料等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。回答下列問題:

17、 (1)基態(tài)Ge原子的核外電子排布式為Ar ,有個未成對電子。 (2)Ge與C是同族元素,C原子之間可以形成雙鍵、三鍵,但Ge原子之間難以形成雙鍵或三鍵。從原子結(jié)構(gòu)角度分析,原因是。 (3)比較下列鍺鹵化物的熔點(diǎn)和沸點(diǎn),分析其變化規(guī)律及原因。,(4)光催化還原CO2制備CH4反應(yīng)中,帶狀納米Zn2GeO4是該反應(yīng)的良好催化劑。Zn、Ge、O電負(fù)性由大至小的順序是。,真題示例,核心建模,對點(diǎn)演練,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,考點(diǎn)三,(5)Ge單晶具有金剛石型結(jié)構(gòu),其中Ge原子的雜化方式為,微粒之間存在的作用力是。 (6)晶胞有兩個基本要素:,晶胞參數(shù),描述晶胞的大小和形狀。已知Ge單晶的晶胞參數(shù)a=565

18、.76 pm,其密度為 gcm-3(列出計(jì)算式即可)。,真題示例,核心建模,對點(diǎn)演練,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,考點(diǎn)三,答案:(1)3d104s24p22 (2)Ge原子半徑大,原子間形成的單鍵較長,p-p軌道肩并肩重疊程度很小或幾乎不能重疊,難以形成鍵 (3)GeCl4、GeBr4、GeI4的熔、沸點(diǎn)依次升高。原因是分子結(jié)構(gòu)相似,相對分子質(zhì)量依次增大,分子間相互作用力逐漸增強(qiáng) (4)OGeZn(5)sp3共價(jià)鍵,真題示例,核心建模,對點(diǎn)演練,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,考點(diǎn)三,解析:(1)Ge是第四周期A族元素,是32號元素,排布式為Ar3d104s24p2,2個4p電子分別位于2個不同軌道上,有2個未成對電

19、子。 (2)Ge的原子半徑比C大,原子間形成單鍵較長,p-p軌道肩并肩重疊程度很小或幾乎不能重疊,難以形成“肩并肩”重疊方式的鍵。 (3)鍺鹵化物均為分子晶體,對于組成和結(jié)構(gòu)相似的分子晶體,相對分子質(zhì)量越大,分子間作用力越大,熔、沸點(diǎn)越高。 (4)元素的非金屬性越強(qiáng),吸引電子能力就越強(qiáng),則電負(fù)性越強(qiáng),電負(fù)性由大到小的順序?yàn)镺GeZn。 (5)金剛石中C為sp3雜化,C與C之間為非極性共價(jià)鍵,Ge單晶與金剛石結(jié)構(gòu)相似,雜化方式與存在的作用力也與金剛石一樣。,真題示例,核心建模,對點(diǎn)演練,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,考點(diǎn)三,真題示例,核心建模,對點(diǎn)演練,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,考點(diǎn)三,4.(2015課標(biāo)全國,37)A

20、、B、C、D為原子序數(shù)依次增大的四種元素,A2-和B+具有相同的電子構(gòu)型;C、D為同周期元素,C核外電子總數(shù)是最外層電子數(shù)的3倍;D元素最外層有一個未成對電子?；卮鹣铝袉栴}: (1)四種元素中電負(fù)性最大的是(填元素符號),其中C原子的核外電子排布式為。 (2)單質(zhì)A有兩種同素異形體,其中沸點(diǎn)高的是(填分子式),原因是;A和B的氫化物所屬的晶體類型分別為和。 (3)C和D反應(yīng)可生成組成比為13的化合物E,E的立體構(gòu)型為,中心原子的雜化軌道類型為。,真題示例,核心建模,對點(diǎn)演練,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,考點(diǎn)三,(4)化合物D2A的立體構(gòu)型為,中心原子的價(jià)層電子對數(shù)為,單質(zhì)D與濕潤的Na2CO3反應(yīng)可制備D

21、2A,其化學(xué)方程式為。 (5)A和B能夠形成化合物F,其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,晶胞參數(shù)a=0.566 nm,F的化學(xué)式為;晶胞中A原子的配位數(shù)為;列式計(jì)算晶體F的密度(gcm-3)。,真題示例,核心建模,對點(diǎn)演練,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,考點(diǎn)三,答案:(1)O1s22s22p63s23p3(或Ne3s23p3) (2)O3O3相對分子質(zhì)量較大,范德華力大分子晶體離子晶體 (3)三角錐形sp3,真題示例,核心建模,對點(diǎn)演練,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,考點(diǎn)三,解析:根據(jù)題目條件,可推出A、B、C、D分別為O、Na、P、Cl。 (1)電負(fù)性最大的為O,P的核外電子排布為1s22s22p63s23p3。 (2)單質(zhì)A有O2

22、、O3兩種同素異形體,相對分子質(zhì)量大的,分子間作用力也大,沸點(diǎn)高。 A、B的氫化物分別為H2O、NaH,晶體類型分別為分子晶體、離子晶體。 (3)E為PCl3,P含有一對孤電子對,價(jià)層電子對數(shù)為4,立體構(gòu)型為三角錐形,中心原子P的雜化類型為sp3雜化。,真題示例,核心建模,對點(diǎn)演練,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,考點(diǎn)三,真題示例,核心建模,對點(diǎn)演練,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,考點(diǎn)三,1.中心原子雜化軌道數(shù)的判斷 雜化軌道數(shù)=鍵數(shù)+孤電子對數(shù)=價(jià)層電子對數(shù) 2.中心原子價(jià)層電子對數(shù)、雜化類型與粒子的立體構(gòu)型,真題示例,核心建模,對點(diǎn)演練,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,考點(diǎn)三,3.分子構(gòu)型與分子極性的關(guān)系,真題示例,核心建模,對點(diǎn)演練

23、,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,考點(diǎn)三,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,考點(diǎn)三,真題示例,核心建模,對點(diǎn)演練,鹵族元素在生活中有廣泛應(yīng)用,根據(jù)所學(xué)知識回答下列問題。 (1)寫出氟元素基態(tài)原子的價(jià)電子排布圖:,鹵族元素位于元素周期表的區(qū)。 (2)在一定濃度的氫氟酸溶液中,部分溶質(zhì)以二分子締合(HF)2形式存在,使HF分子締合的作用力是。 (3)BF3常溫下是氣體,有強(qiáng)烈的接受孤電子對的傾向。BF3分子的立體構(gòu)型為,固態(tài)時(shí)的晶體類型是,BF3與NH3相遇立即生成白色固體,寫出該白色固體物質(zhì)的結(jié)構(gòu)式并標(biāo)注出其中的配位鍵。,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,考點(diǎn)三,真題示例,核心建模,對點(diǎn)演練,(4)根據(jù)下表提供的數(shù)據(jù)判斷,熔點(diǎn)最高、硬度最大的是

24、(填化學(xué)式)。,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,考點(diǎn)三,真題示例,核心建模,對點(diǎn)演練,氟化鈣晶胞 (6)CaF2晶胞如圖所示。已知:NA為阿伏加德羅常數(shù)的值,棱上相鄰的兩個Ca2+的核間距為a cm,則CaF2的密度可表示為 gcm-3。,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,考點(diǎn)三,真題示例,核心建模,對點(diǎn)演練,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,考點(diǎn)三,真題示例,核心建模,對點(diǎn)演練,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,考點(diǎn)三,真題示例,核心建模,對點(diǎn)演練,真題示例,核心建模,對點(diǎn)演練,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,考點(diǎn)三,考點(diǎn)三晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì) 1.(2018全國,35)Li是最輕的固體金屬,采用Li作為負(fù)極材料的電池具有小而輕、能量密度大等優(yōu)良性能,得到廣泛應(yīng)用?；卮鹣铝袉栴}:

25、(1)下列Li原子電子排布圖表示的狀態(tài)中,能量最低和最高的分別為、(填標(biāo)號)。,真題示例,核心建模,對點(diǎn)演練,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,考點(diǎn)三,(2)Li+與H-具有相同的電子構(gòu)型,r(Li+)小于r(H-),原因是。 (3)LiAlH4是有機(jī)合成中常用的還原劑,LiAlH4中的陰離子空間構(gòu)型是、中心原子的雜化形式為。LiAlH4中,存在(填標(biāo)號)。 A.離子鍵B.鍵 C.鍵D.氫鍵 (4)Li2O是離子晶體,其晶格能可通過圖(a)的Born-Haber循環(huán)計(jì)算得到。,真題示例,核心建模,對點(diǎn)演練,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,考點(diǎn)三,可知,Li原子的第一電離能為kJmol-1,O=O鍵鍵能為kJmol-1,Li2O

26、晶格能為kJmol-1。 (5)Li2O具有反螢石結(jié)構(gòu),晶胞如圖(b)所示。已知晶胞參數(shù)為0.466 5 nm,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,則Li2O的密度為 gcm-3(列出計(jì)算式)。,真題示例,核心建模,對點(diǎn)演練,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,考點(diǎn)三,答案: (1)DC(2)Li+核電荷數(shù)較大(3)正四面體sp3AB 解析: (1)基態(tài)Li原子能量最低,而電子排布圖中D圖所示狀態(tài)為基態(tài)。處于激發(fā)態(tài)的電子數(shù)越多,原子能量越高,A中只有1個1s電子躍遷到2s軌道;B中1s軌道中的兩個電子1個躍遷到2s軌道,另一個躍遷到2p軌道;C中1s軌道的兩個電子都躍遷到2p軌道,故C表示的能量最高。 (2)Li+核電荷數(shù)

27、較大,對核外電子的吸引力大,導(dǎo)致其半徑小于H- 。 (3)根據(jù)價(jià)電子對互斥理論,LiAlH4中陰離子的空間構(gòu)型是正四面體,中心原子采用sp3雜化,LiAlH4中存在離子鍵和鍵。,真題示例,核心建模,對點(diǎn)演練,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,考點(diǎn)三,(4)根據(jù)循環(huán)圖中數(shù)據(jù)可知,Li原子的第一電離能是520 kJmol-1,O=O鍵的鍵能是2492 kJmol-1=498 kJmol-1,Li2O的晶格能是2 908 kJmol-1。,真題示例,核心建模,對點(diǎn)演練,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,考點(diǎn)三,2.(2017課標(biāo)全國,35)我國科學(xué)家最近成功合成了世界上首個五氮陰離子鹽(N5)6(H3O)3(NH4)4Cl(用R代表)

28、。回答下列問題: (1)氮原子價(jià)層電子的軌道表達(dá)式(電子排布圖)為。,(2)元素的基態(tài)氣態(tài)原子得到一個電子形成氣態(tài)負(fù)一價(jià)離子時(shí)所放出的能量稱作第一電子親和能(E1)。第二周期部分元素的E1變化趨勢如圖(a)所示,其中除氮元素外,其他元素的E1自左而右依次增大的原因是;氮元素的E1呈現(xiàn)異常的原因是。,真題示例,核心建模,對點(diǎn)演練,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,考點(diǎn)三,從結(jié)構(gòu)角度分析,R中兩種陽離子的相同之處為,不同之處為。(填標(biāo)號) A.中心原子的雜化軌道類型 B.中心原子的價(jià)層電子對數(shù) C.立體結(jié)構(gòu) D.共價(jià)鍵類型,(3)經(jīng)X射線衍射測得化合物R的晶體結(jié)構(gòu),其局部結(jié)構(gòu)如圖(b)所示。,真題示例,核心建模,對

29、點(diǎn)演練,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,考點(diǎn)三,(4)R的晶體密度為d gcm-3,其立方晶胞參數(shù)為a nm,晶胞中含有y個(N5)6(H3O)3(NH4)4Cl單元,該單元的相對質(zhì)量為M,則y的計(jì)算表達(dá)式為。,真題示例,核心建模,對點(diǎn)演練,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,考點(diǎn)三,真題示例,核心建模,對點(diǎn)演練,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,考點(diǎn)三,真題示例,核心建模,對點(diǎn)演練,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,考點(diǎn)三,3.(2016課標(biāo)全國,37)東晉華陽國志南中志卷四中已有關(guān)于白銅的記載,云南鎳白銅(銅鎳合金)聞名中外,曾主要用于造幣,亦可用于制作仿銀飾品?；卮鹣铝袉栴}: (1)鎳元素基態(tài)原子的電子排布式為, 3d能級上的未成對電子數(shù)為。 (2)硫酸鎳溶

30、于氨水形成Ni(NH3)6SO4藍(lán)色溶液。 Ni(NH3)6SO4中陰離子的立體構(gòu)型是。 在Ni(NH3)62+中Ni2+與NH3之間形成的化學(xué)鍵稱為,提供孤電子對的成鍵原子是。 氨的沸點(diǎn)(填“高于”或“低于”)膦(PH3),原因是;氨是分子(填“極性”或“非極性”),中心原子的軌道雜化類型為。,真題示例,核心建模,對點(diǎn)演練,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,考點(diǎn)三,(3)單質(zhì)銅及鎳都是由鍵形成的晶體;元素銅與鎳的第二電離能分別為: 的原因是。 (4)某鎳白銅合金的立方晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。 晶胞中銅原子與鎳原子的數(shù)量比為。 若合金的密度為d gcm-3,晶胞參數(shù)a= nm。

31、,真題示例,核心建模,對點(diǎn)演練,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,考點(diǎn)三,答案:(1)1s22s22p63s23p63d84s2或Ar3d84s22 (2)正四面體配位鍵N 高于NH3分子間可形成氫鍵極性sp3 (3)金屬銅失去的是全充滿的3d10電子,鎳失去的是4s1電子,真題示例,核心建模,對點(diǎn)演練,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,考點(diǎn)三,真題示例,核心建模,對點(diǎn)演練,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,考點(diǎn)三,真題示例,核心建模,對點(diǎn)演練,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,考點(diǎn)三,1.均攤法確定晶胞的組成 (1)長方體(正方體)晶胞中不同位置的粒子對晶胞的貢獻(xiàn),真題示例,核心建模,對點(diǎn)演練,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,考點(diǎn)三,真題示例,核心建模,對點(diǎn)演練,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二

32、,考點(diǎn)三,2.晶體熔點(diǎn)高低的比較 (1)不同類型晶體的熔點(diǎn)高低一般規(guī)律:原子晶體離子晶體分子晶體。 (2)原子晶體:由共價(jià)鍵形成的原子晶體中,原子半徑小的鍵長短,鍵能大,晶體的熔點(diǎn)高。 (3)離子晶體:一般地說,陰陽離子的電荷數(shù)越多,離子半徑越小,則離子間的作用力就越強(qiáng),其晶體的熔點(diǎn)就越高。,真題示例,核心建模,對點(diǎn)演練,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,考點(diǎn)三,(4)分子晶體: 分子間作用力越大,物質(zhì)的熔點(diǎn)越高;具有氫鍵的分子晶體熔點(diǎn)反常地高。 組成和結(jié)構(gòu)相似的分子晶體,相對分子質(zhì)量越大,熔點(diǎn)越高。 組成和結(jié)構(gòu)不相似的分子晶體(相對分子質(zhì)量接近),分子的極性越大,其熔點(diǎn)越高。 (5)金屬晶體:金屬離子半徑越小

33、,離子電荷數(shù)越多,金屬鍵越強(qiáng),金屬熔點(diǎn)就越高。,真題示例,核心建模,對點(diǎn)演練,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,考點(diǎn)三,真題示例,核心建模,對點(diǎn)演練,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,考點(diǎn)三,CuSO4和Cu(NO3)2是自然界中重要的銅鹽。請回答下列問題: (1)CuSO4和Cu(NO3)2中陽離子的核外價(jià)電子排布式為,S、O、N三種元素的第一電離能由大到小的順序?yàn)椤?(3)CuSO4的熔點(diǎn)為560 ,Cu(NO3)2的熔點(diǎn)為115 ,CuSO4熔點(diǎn)更高的原因是。 (4)向CuSO4溶液中加入過量NaOH能生成配合物Cu(OH)42-。不考慮立體構(gòu)型,Cu(OH)42-的結(jié)構(gòu)可用示意圖表示為(用箭頭表示出配位鍵的位置)。 (5)化學(xué)實(shí)驗(yàn)室常利用新制氫氧化銅檢驗(yàn)醛基的存在,乙醛分子中碳原子的雜化方式為。,真題示例,核心建模,對點(diǎn)演練,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,考點(diǎn)三,(6)利用新制的Cu(OH)2檢驗(yàn)醛基時(shí),生成紅色的Cu2O,其晶胞結(jié)構(gòu)如下圖所示。,若Cu2O晶體的密度為d gcm-3,Cu和O的原子半徑分別為rCu pm和rO pm,阿伏加德羅常數(shù)值為NA,列式表示Cu2O晶胞中原子的空間利用率為。,真題示例,核心建模,對點(diǎn)演練,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,考點(diǎn)三,真題示例,核心建模,對點(diǎn)演練,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,考點(diǎn)三,真題示例,核心建模,對點(diǎn)演練,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,考點(diǎn)三,