《高三化學(xué)一輪復(fù)習(xí) 選考部分 物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì) 1 原子結(jié)構(gòu)與元素的性質(zhì)課件 魯科版選修3.ppt》由會(huì)員分享，可在線閱讀，更多相關(guān)《高三化學(xué)一輪復(fù)習(xí) 選考部分 物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì) 1 原子結(jié)構(gòu)與元素的性質(zhì)課件 魯科版選修3.ppt（66頁珍藏版）》請(qǐng)?jiān)谘b配圖網(wǎng)上搜索。

選考部分,選修3 物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì),第1節(jié) 原子結(jié)構(gòu)與元素的性質(zhì),-4-,考綱要求:1.了解原子核外電子的排布原理及能級(jí)分布,能用電子排布式表示常見元素(1~36號(hào))原子核外電子、價(jià)電子的排布。了解原子核外電子的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)。 2.了解元素電離能的含義,并能用以說明元素的某些性質(zhì)。 3.了解原子核外電子在一定條件下會(huì)發(fā)生躍遷,了解其簡單應(yīng)用。 4.了解電負(fù)性的概念,知道元素的性質(zhì)與電負(fù)性的關(guān)系。,-5-,基礎(chǔ)梳理,考點(diǎn)突破,原子結(jié)構(gòu),1.能層、能級(jí)和最多容納電子數(shù)之間的關(guān)系,-6-,基礎(chǔ)梳理,考點(diǎn)突破,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,-7-,基礎(chǔ)梳理,考點(diǎn)突破,2.原子軌道的形狀和能量關(guān)系,,,,,,-8-,基礎(chǔ)梳理,考點(diǎn)突破,3.原子核外電子排布規(guī)律 (1)能量最低原則:原子的電子排布遵循構(gòu)造原理,能使整個(gè)原子的能量處于最低狀態(tài)。 基態(tài)原子核外電子進(jìn)入原子軌道的順序。示意圖如下:,,-9-,基礎(chǔ)梳理,考點(diǎn)突破,(2)泡利不相容原理:一個(gè)原子軌道里最多容納2個(gè)電子,并且這兩個(gè)電子的自旋方向必須相反。 (3)洪特規(guī)則:對(duì)于基態(tài)原子,電子在能量相同的軌道上排布時(shí),將盡可能分占不同的軌道并且自旋方向相同。 洪特規(guī)則特例:當(dāng)能量相同的原子軌道在全充滿(p6、d10、f14)、半充滿(p3、d5、f7)和全空(p0、d0、f0)狀態(tài)時(shí),體系的能量較低,原子較穩(wěn)定。如 24Cr的基態(tài)原子電子排布式為1s22s22p63s23p63d54s1,而不是1s22s22p63s23p63d44s2。,,,,-10-,基礎(chǔ)梳理,考點(diǎn)突破,4.基態(tài)原子核外電子排布的表示方法,,,,,-11-,基礎(chǔ)梳理,考點(diǎn)突破,5.原子狀態(tài)與原子光譜 (1)原子的狀態(tài)。 ①基態(tài)原子:處于最低能量的原子。 ②激發(fā)態(tài)原子:基態(tài)原子的電子吸收能量后,從基態(tài)躍遷到激發(fā)狀態(tài)的原子。 (2)原子光譜:不同元素的原子發(fā)生電子躍遷時(shí)會(huì)吸收或釋放不同的光,用光譜儀記錄下來便得到原子光譜。利用原子光譜的特征譜線可以鑒定元素,稱為光譜分析。 (3)基態(tài)、激發(fā)態(tài)及光譜示意圖。,,,,,,-12-,基礎(chǔ)梳理,考點(diǎn)突破,自主鞏固 判斷正誤,正確的畫“√”,錯(cuò)誤的畫“×”。 (1)p能級(jí)能量一定比s能級(jí)的能量高 ( × ) (2)鐵元素基態(tài)原子的電子排布式為1s22s22p63s23p64s23d6( × ) (3)Cr的基態(tài)原子的簡化電子排布式為[Ar]3d44s2 ( × ) (4)基態(tài)原子電子能量的高低順序?yàn)镋(1s)E(2s)E(2px)E(2py) E(2pz) ( × ) (5)電子排布式(22Ti)1s22s22p63s23p10違反了能量最低原則( × ) (6)磷元素基態(tài)原子的軌道表示式為 ( × ) (7)2p和3p軌道形狀均為啞鈴形,能量也相等 ( × ),,,,,,,,-13-,基礎(chǔ)梳理,考點(diǎn)突破,考查角度一 原子核外電子排布規(guī)律 基態(tài)原子核外電子排布原則,-14-,基礎(chǔ)梳理,考點(diǎn)突破,例1(1)(2014江蘇高考)Cu+基態(tài)核外電子排布式為[Ar]3d10(或1s22s22p63s23p63d10)。 (2)(2014全國Ⅰ)基態(tài)Fe原子有4個(gè)未成對(duì)電子,Fe3+的電子排布式為1s22s22p63s23p63d5。 (3)(2014安徽高考)S的基態(tài)原子核外有2個(gè)未成對(duì)電子;Si的基態(tài)原子核外電子排布式為1s22s22p63s23p2。 (4)(2014全國Ⅱ)Cu的價(jià)層電子軌道示意圖為 。 (5)(2013全國Ⅰ)基態(tài)Si原子中,電子占據(jù)的最高能層符號(hào)為M,該能層具有的原子軌道數(shù)為9、電子數(shù)為4。,,,,,,,,,,-15-,基礎(chǔ)梳理,考點(diǎn)突破,解析:(1)Cu為29號(hào)元素,核外電子排布式為[Ar]3d104s1,Cu+失去4s上面的一個(gè)電子,則為[Ar]3d10; (2)基態(tài)鐵原子核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d64s2,所以有4個(gè)未成對(duì)電子,失去2個(gè)4s、1個(gè)3d電子形成Fe3+,其電子排布式為1s22s22p63s23p63d5; (3)硫基態(tài)原子核外電子排布式為1s22s22p63s23p4,其中最外層的p軌道上有2個(gè)未成對(duì)電子,硅基態(tài)原子核外電子排布式為1s22s22p63s23p2;,-16-,基礎(chǔ)梳理,考點(diǎn)突破,-17-,基礎(chǔ)梳理,考點(diǎn)突破,-18-,基礎(chǔ)梳理,考點(diǎn)突破,跟蹤訓(xùn)練 1.下列原子或離子的電子排布式或軌道表示式正確的是①⑤⑥,違反能量最低原則的是②,違反洪特規(guī)則的是③④⑦,違反泡利不相容原理的是⑦。 ①Ca2+:1s22s22p63s23p6 ②F-:1s22s23p6 ③P: ④Cr:1s22s22p63s23p63d44s2 ⑤Fe:1s22s22p63s23p63d64s2 ⑥Mg2+:1s22s22p6 ⑦C:,,,,,-19-,基礎(chǔ)梳理,考點(diǎn)突破,2.(2015福州模擬)下列各組原子中,彼此化學(xué)性質(zhì)一定相似的是(C) A.原子核外電子排布式為1s2的X原子與原子核外電子排布式為1s22s2的Y原子 B.原子核外M層上僅有兩個(gè)電子的X原子與原子核外N層上僅有兩個(gè)電子的Y原子 C.2p軌道上只有兩個(gè)電子的X原子與3p軌道上只有兩個(gè)電子的Y原子 D.最外層都只有一個(gè)電子的X、Y原子,,答案,解析,-20-,基礎(chǔ)梳理,考點(diǎn)突破,考查角度二 原子核外電子排布的表示形式 基態(tài)原子核外電子排布的表示方法 (1)電子排布式 ①用數(shù)字在能級(jí)符號(hào)的右上角標(biāo)明該能級(jí)上排布的電子數(shù),這就是電子排布式,例如K:1s22s22p63s23p64s1。 ②為了避免電子排布式書寫過于煩瑣,把內(nèi)層電子達(dá)到稀有氣體元素原子結(jié)構(gòu)的部分以相應(yīng)稀有氣體的元素符號(hào) 外加方括號(hào)表示,例如K:[Ar]4s1。,(2)軌道表示式 用 或○表示原子軌道,↑和↓分別表示兩種不同自旋方向的電子。每個(gè)方框或圓圈代表一個(gè)原子軌道,每個(gè)箭頭代表一個(gè)電子,例如O:,-21-,基礎(chǔ)梳理,考點(diǎn)突破,,,答案,解析,-22-,基礎(chǔ)梳理,考點(diǎn)突破,歸納總結(jié): 書寫電子排布式的方法 第一步:按照能量關(guān)系排出軌道; 第二步:根據(jù)各軌道數(shù)與軌道上容納的電子數(shù)排列,并將空軌道刪去; 第三步:按能層的順序進(jìn)行整理得出。 以26Fe為例: 第一步:1s2s2p3s3p4s3d4p5s4d5p6s4f5d6p7s5f6d7p 第二步:1s22s22p63s23p64s23d64p5s4d5p6s4f5d6p7s5f6d7p 第三步:1s22s22p63s23p63d64s2,-23-,基礎(chǔ)梳理,考點(diǎn)突破,跟蹤訓(xùn)練 1.填空題 (1)(2013四川理綜)S的基態(tài)原子的核外電子排布式為 1s22s22p63s23p4。 (2)(2013福建理綜)基態(tài)銅原子的核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d104s1或[Ar]3d104s1。 (3)(2013浙江理綜)基態(tài)鍺(Ge)原子的電子排布式是1s22s22p63s23p63d104s24p2。 (4)(2013全國Ⅱ)Ni2+的價(jià)電子軌道表示式為 。,,,,,-24-,基礎(chǔ)梳理,考點(diǎn)突破,(5)(2012浙江理綜)①可正確表示原子軌道的是AC。 A.2s B.2d C.3px D.3f ②寫出基態(tài)鎵(Ga)原子的電子排布式:1s22s22p63s23p63d104s24p1。 (6)(2012福建理綜)基態(tài)Mn2+的核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d5。,,,,解析,-25-,基礎(chǔ)梳理,考點(diǎn)突破,2.(2015山西模擬)X、Y、Z、M、W是元素周期表中1~36號(hào)元素,且原子序數(shù)依次增大,X、Y、Z三種元素的質(zhì)子數(shù)之和為21,且這三種元素的基態(tài)原子的能層相同,Y元素基態(tài)原子的2p軌道為半充滿狀態(tài),元素X和Z的基態(tài)原子的核外電子均有2個(gè)單電子,M為元素周期表1~36號(hào)元素中電負(fù)性最小的元素,W元素基態(tài)原子的價(jià)電子構(gòu)型為3d74s2。 請(qǐng)回答下列問題: (1)X、M的元素符號(hào)分別為C、K。,請(qǐng)回答下列問題: (1)X、M的元素符號(hào)分別為C、K。 (2)Y原子的基態(tài)電子排布圖為 。 (3)Z原子中能量最高的能級(jí)是2p,其原子軌道呈啞鈴形。,,,,,,,,-26-,基礎(chǔ)梳理,考點(diǎn)突破,(4)M離子的結(jié)構(gòu)示意圖為 (5)第4周期過渡元素中與W原子成單電子數(shù)相等的元素是V(填寫元素符號(hào)),其基態(tài)原子的簡化電子排布式為[Ar]3d34s2。,,,,解析,,-27-,基礎(chǔ)梳理,考點(diǎn)突破,原子結(jié)構(gòu)與元素周期表、元素周期律,1.原子結(jié)構(gòu)與元素周期表的關(guān)系,-28-,基礎(chǔ)梳理,考點(diǎn)突破,注意:①能層數(shù)=電子層數(shù)=周期數(shù) ②主族元素價(jià)電子數(shù)=主族序數(shù)=該族元素最外層電子數(shù) 2.核外電子排布與族之間的關(guān)系 (1)主族:,(2)0族:He:1s2;其他:ns2np6 (3)過渡元素(副族和第Ⅷ族):(n-1)d1~10ns1~2,,,,,,,,-29-,基礎(chǔ)梳理,考點(diǎn)突破,3.元素周期表的分區(qū)與價(jià)電子排布的關(guān)系 (1)周期表的分區(qū)。,-30-,基礎(chǔ)梳理,考點(diǎn)突破,(2)各區(qū)外圍電子排布特點(diǎn)。,(3)元素的分布:非金屬在元素周期表中主要集中在右上角三角區(qū)內(nèi);處于非金屬三角區(qū)與金屬接近的邊緣的元素常被稱為半金屬或準(zhǔn)金屬。,,,,,-31-,基礎(chǔ)梳理,考點(diǎn)突破,4.電離能與電負(fù)性 (1)電離能 ①第一電離能: 氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個(gè)電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量。常用符號(hào)I1表示,單位為kJ·mol-1。 ②規(guī)律: 同周期第一種元素的第一電離能最小,最后一種元素的第一電離能最大。但有些元素(如Be、Mg、N、P等)的第一電離能比其右邊相鄰元素的第一電離能高些,這是因?yàn)樗鼈兊耐鈱幽芗?jí)中的電子達(dá)到了全充滿或半充滿的穩(wěn)定狀態(tài)。 同主族元素:從上到下第一電離能變小。但在同一副族中,自上而下第一電離變化幅度不大且不太規(guī)律。,,,,,-32-,基礎(chǔ)梳理,考點(diǎn)突破,同種原子:隨著電子逐個(gè)失去,陽離子所帶的正電荷數(shù)越來越多,再失去電子克服的電性引力越來越大,消耗的能量越來越大,逐級(jí)電離能越來越大。 (2)電負(fù)性 ①含義: 用來描述不同元素的原子對(duì)鍵合電子吸引力的大小。電負(fù)性越大的原子,對(duì)鍵合電子的吸引力越大。 ②標(biāo)準(zhǔn): 以氟的電負(fù)性為4.0作為標(biāo)準(zhǔn),得出了各元素的電負(fù)性。,,,,,,,,-33-,基礎(chǔ)梳理,考點(diǎn)突破,5.對(duì)角線規(guī)則 在元素周期表中,某些主族元素與右下方的主族元素的某些性質(zhì)相似,如:,,-34-,基礎(chǔ)梳理,考點(diǎn)突破,自主鞏固 現(xiàn)有四種元素的基態(tài)原子的電子排布式: ①1s22s22p63s23p4 ②1s22s22p63s23p3 ③1s22s22p3 ④1s22s22p5 則下列有關(guān)比較中正確的是(A) A.第一電離能:④③②① B.原子半徑:④③②① C.電負(fù)性:④③②① D.最高正化合價(jià):④③=②①,,-35-,基礎(chǔ)梳理,考點(diǎn)突破,考查角度一 原子結(jié)構(gòu)與元素周期表 (1)核外電子排布與周期的劃分 一個(gè)能級(jí)組最多所能容納的電子數(shù)等于一個(gè)周期所包含的元素種類數(shù),因此元素周期表中7個(gè)周期分別對(duì)應(yīng)7個(gè)能級(jí)組,7個(gè)周期對(duì)應(yīng)的元素種數(shù)分別為2、8、8、18、18、32、32。周期與主量子數(shù)n相關(guān),最外層電子的主量子數(shù)為n時(shí),該原子所屬元素屬第n周期。 (2)核外電子排布與族的劃分 ①價(jià)電子與外圍電子排布 與化學(xué)反應(yīng)有密切聯(lián)系的電子,稱為價(jià)電子。價(jià)電子一般是最外層原子軌道上的電子,部分元素涉及次外層及倒數(shù)第三層上的電子,故將價(jià)電子層排布稱為外圍電子層排布。,-36-,基礎(chǔ)梳理,考點(diǎn)突破,②核外電子排布與族的劃分 族的劃分與原子的價(jià)電子數(shù)目和價(jià)電子排布密切相關(guān)。 一般說,同族元素的價(jià)電子數(shù)目相同。主族元素價(jià)電子全部排在最外層的ns和np軌道上,主族元素族序數(shù)等于最外層電子數(shù)(價(jià)電子數(shù))。稀有氣體除氦元素外,最外層電子排布均為ns2np6。 過渡元素中,ⅢB~ⅦB族,價(jià)電子數(shù)目仍與族序數(shù)相同,價(jià)電子排布為(n-1)d6~8ns2的為Ⅷ族。ⅠB與ⅡB族則是按ns軌道上的電子數(shù)劃分的。 (3)元素周期表區(qū)的劃分 s區(qū)元素:ⅠA族和ⅡA族;p區(qū)元素:ⅢA~ⅦA族和0族;d區(qū)元素:ⅢB族~Ⅷ族;ds區(qū)元素:包括ⅠB族和ⅡB族;f區(qū)元素:包括鑭系元素和錒系元素。,-37-,基礎(chǔ)梳理,考點(diǎn)突破,例3在研究原子核外電子排布與元素周期表的關(guān)系時(shí),人們發(fā)現(xiàn)價(jià)電子排布相似的元素集中在一起。據(jù)此,人們將元素周期表分為五個(gè)區(qū),并以最后填入電子的軌道能級(jí)符號(hào)作為該區(qū)的符號(hào),如圖所示。,-38-,基礎(chǔ)梳理,考點(diǎn)突破,(1)在s區(qū)中,族序數(shù)最大、原子序數(shù)最小的元素,原子的價(jià)電子的電子云形狀為球形。 (2)在d區(qū)中,族序數(shù)最大、原子序數(shù)最小的元素,常見離子的電子排布式為Fe2+:1s22s22p63s23p63d6,Fe3+:1s22s22p63s23p63d5,其中較穩(wěn)定的是Fe3+。 (3)在ds區(qū)中,族序數(shù)最大、原子序數(shù)最小的元素,原子的價(jià)電子排布式為3d104s2。 (4)在p區(qū)中,第2周期第ⅤA族元素原子價(jià)電子的軌道表示式為 。 (5)當(dāng)今常用于核能開發(fā)的元素是鈾和钚,它們?cè)趂區(qū)中。,,,,,,,解析,-39-,基礎(chǔ)梳理,考點(diǎn)突破,跟蹤訓(xùn)練 1.在下列橫線上填上適當(dāng)?shù)脑胤?hào)(在自然界中能穩(wěn)定存在的元素)。 (1)在第3周期中,第一電離能最小的元素是Na,第一電離能最大的元素是Ar。 (2)在元素周期表中,電負(fù)性最大的元素是F,電負(fù)性最小的元素是Cs。 (3)最活潑的金屬元素是Cs。 (4)最活潑的非金屬元素是F。 (5)第2、3、4周期原子中p能級(jí)半充滿的元素是N、P、As。,,,,,,,,-40-,基礎(chǔ)梳理,考點(diǎn)突破,解析:同周期從左到右,元素的I1呈增大趨勢(shì),同周期最左邊金屬元素I1最小,稀有氣體I1最大,故第3周期中I1最小的為Na,最大的為Ar。電負(fù)性的遞變規(guī)律:同周期(0族除外)從左到右逐漸增大,同主族從上到下逐漸減小,故在自然界能穩(wěn)定存在的元素中,電負(fù)性最大的元素是氟,電負(fù)性最小的元素為銫。,-41-,基礎(chǔ)梳理,考點(diǎn)突破,2.下表為元素周期表前三周期的一部分:,(1)X的氫化物的穩(wěn)定性與W的氫化物的穩(wěn)定性比較:NH3PH3(填化學(xué)式),原因是氮元素的非金屬性(或電負(fù)性)比磷強(qiáng)(或者是N—H鍵的鍵長比P—H的短)。 (2)X的基態(tài)原子的軌道表示式是②(填序號(hào)),,,,,,-42-,基礎(chǔ)梳理,考點(diǎn)突破,另一軌道表示式不能作為基態(tài)原子的軌道表示式是因?yàn)樗环螩。 A.能量最低原理 B.泡利不相容原理 C.洪特規(guī)則 (3)以上五種元素中,Ne(填元素符號(hào))元素第一電離能最大。 (4)由以上某種元素與氫元素組成的三角錐形分子E和由以上某種元素組成的直線形分子G反應(yīng),生成兩種直線形分子L和M(組成E、G、L、M分子的元素原子序數(shù)均小于10),反應(yīng)如圖所示,試寫出該反應(yīng)的化學(xué)方程式是2NH3+3F2 6HF+N2。,,,,解析,-43-,基礎(chǔ)梳理,考點(diǎn)突破,考查角度二 電離能及應(yīng)用 1.判斷元素金屬性的強(qiáng)弱 電離能越小,金屬越容易失去電子,金屬性越強(qiáng);反之越弱。 2.判斷元素的化合價(jià)(I1、I2……表示各級(jí)電離能) 如果某元素的In+1?In,則該元素的常見化合價(jià)為+n價(jià)。如鈉元素I2?I1,所以鈉元素的化合價(jià)為+1價(jià)。 3.判斷核外電子的分層排布情況 多電子原子中,元素的各級(jí)電離能逐級(jí)增大,有一定的規(guī)律性。當(dāng)電離能的變化出現(xiàn)突變時(shí),電子層數(shù)就可能發(fā)生變化。 4.反映元素原子的核外電子排布特點(diǎn) 同周期元素從左向右,元素的第一電離能并不是逐漸增大的,當(dāng)元素的核外電子排布是全空、半充滿和全充滿狀態(tài)時(shí),第一電離能就會(huì)反常的大。,-44-,基礎(chǔ)梳理,考點(diǎn)突破,例4(2015河北秦皇島模擬)下表列出了某短周期元素R的各級(jí)電離能數(shù)據(jù)(用I1、I2……表示,單位為kJ·mol-1)。下列關(guān)于元素R的判斷中一定正確的是(B),①R的最高正價(jià)為+3價(jià) ②R元素位于元素周期表中第ⅡA族 ③R元素第一電離能大于同周期相鄰元素 ④R元素基態(tài)原子的電子排布式為1s22s2 A.①② B.②③ C.③④ D.①④,,答案,解析,-45-,基礎(chǔ)梳理,考點(diǎn)突破,誤區(qū)警示: 利用第一電離能的變化解決問題時(shí)的注意事項(xiàng):同一周期的主族元素從左到右第一電離能呈增大趨勢(shì),原因是核電荷數(shù)增多,而電子層數(shù)不變,原子核對(duì)核外電子的吸引力增大;由于第一電離能與原子核外電子排布有關(guān),所以在解答此類題目時(shí)注意第一電離能的總體變化趨勢(shì)與個(gè)別元素的反常現(xiàn)象。,-46-,基礎(chǔ)梳理,考點(diǎn)突破,跟蹤訓(xùn)練 1.(2015陜西模擬)A、B、C、D、E、F為原子序數(shù)依次增大的六種元素,其中A、B、C、D、E為短周期元素,F為第4周期元素,F還是前四周期中電負(fù)性最小的元素。 已知:A原子的核外電子數(shù)與電子層數(shù)相等;B元素原子的核外p電子數(shù)比s電子數(shù)少1個(gè);C原子的第一至第四電離能為I1=738 kJ·mol-1,I2=1 451 kJ·mol-1,I3=7 733 kJ·mol-1,I4=10 540 kJ·mol-1;D原子核外所有p軌道為全充滿或半充滿;E元素的族序數(shù)與周期序數(shù)的差為4。 (1)寫出E元素在周期表中的位置:第3周期ⅦA族;D元素的原子的核外電子排布式:1s22s22p63s23p3。 (2)某同學(xué)根據(jù)題目信息和掌握的知識(shí)分析C的核外電子排布為 。該同學(xué)所畫的軌道式違背了能量最低原理。,,,,,-47-,基礎(chǔ)梳理,考點(diǎn)突破,(3)已知BA5為離子化合物,寫出其電子式: (4)DE3中心原子雜化方式為sp3,其空間構(gòu)型為三角錐形。 2.(2015濰坊昌樂模擬)下表是元素周期表的一部分,表中所列的字母分別代表一種化學(xué)元素。試回答下列問題:,,,,-48-,基礎(chǔ)梳理,考點(diǎn)突破,(1)元素p為26號(hào)元素,請(qǐng)寫出其基態(tài)原子的電子排布式:1s22s22p63s23p63d64s2。 (2)d與a反應(yīng)的產(chǎn)物的分子中,中心原子的雜化形式為sp3。 (3)h的單質(zhì)在空氣中燃燒發(fā)出耀眼的白光,請(qǐng)用原子結(jié)構(gòu)的知識(shí)解釋發(fā)光的原因:電子從能量較高的軌道躍遷到能量較低的軌道時(shí),以光(子)的形式釋放能量。 (4)o、p兩元素的部分電離能數(shù)據(jù)列于下表:,,,,,-49-,基礎(chǔ)梳理,考點(diǎn)突破,比較兩元素的I2、I3可知,氣態(tài)o2+再失去一個(gè)電子比氣態(tài)p2+再失去一個(gè)電子難。對(duì)此,你的解釋是Mn2+的3d軌道電子排布為半滿狀態(tài),比較穩(wěn)定。 (5)第3周期8種元素按單質(zhì)熔點(diǎn)高低的順序如圖(Ⅰ)所示,其中電負(fù)性最大的是2(填下圖中的序號(hào))。,(Ⅰ),,,,-50-,基礎(chǔ)梳理,考點(diǎn)突破,(6)表中所列的某主族元素的電離能情況如圖(Ⅱ)所示,則該元素是Al(填元素符號(hào))。,(Ⅱ),,解析,-51-,基礎(chǔ)梳理,考點(diǎn)突破,考查角度三 電負(fù)性和電負(fù)性的應(yīng)用,-52-,基礎(chǔ)梳理,考點(diǎn)突破,例5已知元素的電負(fù)性和元素的化合價(jià)一樣,也是元素的一種基本性質(zhì)。下面給出14種元素的電負(fù)性:,已知:兩成鍵元素間電負(fù)性差值大于1.7時(shí),形成離子鍵,兩成鍵元素間電負(fù)性差值小于1.7時(shí),形成共價(jià)鍵。,-53-,基礎(chǔ)梳理,考點(diǎn)突破,(1)根據(jù)表中給出的數(shù)據(jù),可推知元素的電負(fù)性具有的變化規(guī)律是隨著原子序數(shù)的遞增,元素的電負(fù)性呈周期性變化; (2)通過分析電負(fù)性值變化規(guī)律,確定Mg元素電負(fù)性值的最小范圍為0.9x1.5; (3)判斷下列物質(zhì)是離子化合物還是共價(jià)化合物: A.Li3N B.BeCl2 C.AlCl3 D.SiC Ⅰ.屬于離子化合物的是A; Ⅱ.屬于共價(jià)化合物的是BCD; 請(qǐng)?jiān)O(shè)計(jì)一個(gè)實(shí)驗(yàn)方案證明上述所得到的結(jié)論測(cè)定各物質(zhì)在熔融狀態(tài)下能否導(dǎo)電,若導(dǎo)電則為離子化合物,反之則為共價(jià)化合物。,,,,,,,,解析,-54-,基礎(chǔ)梳理,考點(diǎn)突破,誤區(qū)警示: 利用“電負(fù)性與2的關(guān)系”判斷金屬性與非金屬性只是一般規(guī)律,不是絕對(duì)的,如Bi、Pb等元素。利用電負(fù)性的差值判斷化學(xué)鍵類型也不是絕對(duì)的。,-55-,基礎(chǔ)梳理,考點(diǎn)突破,跟蹤訓(xùn)練 1.下列關(guān)于電離能和電負(fù)性的說法不正確的是(B) A.第一電離能的大小:MgAl B.鍺的第一電離能高于碳而電負(fù)性低于碳 C.Ni是元素周期表中第28號(hào)元素,第2周期基態(tài)原子未成對(duì)電子數(shù)與Ni相同且電負(fù)性最小的元素是碳 D.F、K、Fe、Ni四種元素中電負(fù)性最大的是F,,-56-,基礎(chǔ)梳理,考點(diǎn)突破,2.根據(jù)信息回答下列問題: 如圖是部分元素原子的第一電離能I1隨原子序數(shù)變化的曲線圖(其中12號(hào)至17號(hào)元素的有關(guān)數(shù)據(jù)缺失)。,-57-,基礎(chǔ)梳理,考點(diǎn)突破,(1)認(rèn)真分析圖中同周期元素第一電離能的變化規(guī)律,推斷Na~Ar元素中,Al的第一電離能的大小范圍為NaAlMg(填元素符號(hào)); (2)圖中第一電離能最小的元素在周期表中的位置是第5周期ⅠA族。,,,,,-58-,基礎(chǔ)梳理,考點(diǎn)突破,考查角度四 原子結(jié)構(gòu)與元素性質(zhì)的遞變規(guī)律,-59-,基礎(chǔ)梳理,考點(diǎn)突破,-60-,基礎(chǔ)梳理,考點(diǎn)突破,例6下列元素的原子半徑依次減小的是( ) A.C、N、O、F B.S、Si、Al、Mg C.B、Be、Mg、Na D.Mg、Na、K、Ca,,答案,解析,-61-,基礎(chǔ)梳理,考點(diǎn)突破,技巧點(diǎn)撥: 可用“三看”法快速判斷簡單微粒半徑大小: “一看”電子層數(shù):最外層電子數(shù)相同時(shí),電子層數(shù)越多,半徑越大。 “二看”核電荷數(shù):當(dāng)電子層結(jié)構(gòu)相同時(shí),核電荷數(shù)越大,半徑越小。 “三看”核外電子數(shù):當(dāng)電子層數(shù)和核電荷數(shù)均相同時(shí),核外電子數(shù)越多,半徑越大。,-62-,基礎(chǔ)梳理,考點(diǎn)突破,跟蹤訓(xùn)練 1.(2015四川成都模擬)下列有關(guān)物質(zhì)結(jié)構(gòu)和性質(zhì)的說法中,正確的是(D) A.元素非金屬性:ClS的實(shí)驗(yàn)依據(jù)是酸性:HClH2S B.碳元素的電負(fù)性小于氧元素,每個(gè)CO2分子中有4個(gè)σ鍵 C.同周期主族元素的原子形成的簡單離子的電子層結(jié)構(gòu)一定相同 D.Na、Mg、Al三種元素,其第一電離能由大到小的順序?yàn)镸gAlNa,,答案,解析,-63-,基礎(chǔ)梳理,考點(diǎn)突破,2.(2015安徽理綜)C、N、O、Al、Si、Cu是常見的六種元素。 (1)Si位于元素周期表第3周期第ⅣA族。 (2)N的基態(tài)原子核外電子排布式為1s22s22p3,Cu的基態(tài)原子最外層有1個(gè)電子。 (3)用“”或“”填空:,,,,,,,,,-64-,基礎(chǔ)梳理,考點(diǎn)突破,圖1,圖2,(4)常溫下,將除去表面氧化膜的Al、Cu片插入濃硝酸中組成原電池(圖1),測(cè)得原電池的電流強(qiáng)度(I)隨時(shí)間(t)的變化如圖2所示。反應(yīng)過程中有紅棕色氣體產(chǎn)生。,,,,,,-65-,基礎(chǔ)梳理,考點(diǎn)突破,解析:(1)Si是14號(hào)元素,位于元素周期表中第3周期第ⅣA族。 (2)N是7號(hào)元素,基態(tài)原子核外電子排布式為1s22s22p3;Cu是29號(hào)元素,基態(tài)原子核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d104s1,故最外層有1個(gè)電子。 (3)同一短周期主族元素,原子序數(shù)越大,半徑越小,故半徑:AlSi;同一短周期主族元素,原子序數(shù)越大,電負(fù)性越大,故電負(fù)性:NSi—Si鍵,故熔點(diǎn):金剛石晶體硅;CH4和SiH4都形成分子晶體,且兩者的結(jié)構(gòu)相似,但SiH4的相對(duì)分子質(zhì)量大,故沸點(diǎn):CH4SiH4。,-66-,基礎(chǔ)梳理,考點(diǎn)突破,(4)在0~t1時(shí),正極上是 得電子后結(jié)合H+生成NO2和H2O;在原電池中,陽離子向正極移動(dòng),故H+向正極移動(dòng);由于Al與濃硝酸反應(yīng)后在表面生成了致密的氧化膜阻止了Al的進(jìn)一步反應(yīng),t1時(shí)發(fā)生Cu與濃硝酸的反應(yīng),Cu作負(fù)極,原電池中電子流動(dòng)方向發(fā)生了改變。,