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1、單擊此處編輯母版標(biāo)題樣式,單擊此處編輯母版文本樣式,第二級,第三級,第四級,第五級,*,單擊此處編輯母版標(biāo)題樣式,單擊此處編輯母版文本樣式,第二級,第三級,第四級,第五級,*,書式設(shè)定,書式設(shè)定,第 2,第 3,第 4,第 5,*,單擊此處編輯母版標(biāo)題樣式,單擊此處編輯母版文本樣式,第二級,第三級,第四級,第五級,*,單擊此處編輯母版標(biāo)題樣式,單擊此處編輯母版文本樣式,第二級,第三級,第四級,第五級,*,單擊此處編輯母版標(biāo)題樣式,單擊此處編輯母版文本樣式,第二級,第三級,第四級,第五級,*,單擊此處編輯母版標(biāo)題樣式,單擊此處編輯母版文本樣式,第二級,第三級,第四級,第五級,*,三極管的命名和參

2、數(shù),1,半導(dǎo)體器件的命名方式,第一部分,數(shù)字,字母 字母(漢拼),數(shù)字,字母(漢拼),電極數(shù),材料和極性 器件類型 序號 規(guī)格號,3,三極管,第二部分,第三部分,X 低頻小功率管,G 高頻小功率管,D 低頻大功率管,A 高頻大功率管,第四部分,第五部分,例：,3AX31 3DG12B 3DD6,PNP低頻小功率鍺三極管 NPN高頻小功率硅三極管 NPN低頻大功率硅三極管,3CG,3AD 3DK,PNP高頻小功率硅三極管 PNP低頻大功率鍺三極管 NPN硅開關(guān)三極管,D 硅材料 NPN,C 硅材料 PNP,A 鍺材料 PNP,B 鍺材料 NPN,2,2.1.6 半導(dǎo)體三極管的型號,國家標(biāo)準(zhǔn)對半導(dǎo)

3、體三極管的命名如下:,3,D,G,110,B,第二位,：A,鍺PNP管、,B,鍺NPN管、,C,硅PNP管、,D,硅NPN管,第三位,：X,低頻小功率管、,D,低頻大功率管、,G,高頻小功率管、,A,高頻大功率管、,K,開關(guān)管,用字母表示材料,用字母表示器件的種類,用數(shù)字表示同種器件型號的序號,用字母表示同一型號中的不同規(guī)格,三極管,3,1.電流放大系數(shù) ，,當(dāng)晶體管接成共發(fā)射極電路時(shí)，在靜態(tài),(無輸入信號)時(shí)集電極電流與基極電流的比值稱為,靜態(tài)電流(直流)放大,系數(shù),當(dāng)晶體管工作在動態(tài),(有輸入信號),時(shí)，基極電流的變化量為,I,B,，它引起集電極電流的變化量為,I,C,。,I,C,與,I,

4、B,的比值稱為,動態(tài)電流,(交流),放大系數(shù),在輸出特性曲線近于平行等距并且,I,CEO,較小的情況下,可近似認(rèn)為 ，但二者含義不同。,電流放大系數(shù)一般在10100之間。太小，放大能力弱，太大易使管子性能不穩(wěn)定。一般取3080為宜。,(1)直流參數(shù),4,極間反向電流,1.集電極基極間反向飽和電流,I,CBO,I,CBO,的下標(biāo)CB代表集電極和基極，O是,Open的字頭，代表第三個(gè)電極E開,路。它相當(dāng)于,集電結(jié)的反向飽和電流。,指發(fā)射極開路時(shí)，集電極與基極之間的反向電流。一定溫度下,I,CBO,是一個(gè)常數(shù)，所以又稱為反向飽和電流。,E,C,I,CBO,5,2.集電極發(fā)射極間的反向飽和電流,I,C

5、EO,I,CEO,和,I,CBO,有如下關(guān)系,I,CEO,=（1+）,I,CBO,相當(dāng)基極開路時(shí)，集電極和發(fā)射極間的反向飽和電流，即輸出特性曲線,I,B,=0那條曲線所對應(yīng)的,Y,坐標(biāo)的數(shù)值。如下圖所示。,E,C,I,CEO,飽和區(qū),截止區(qū),I,C,/,mA,U,CE,/V,100 A,80 A,60 A,40 A,20 A,I,B,=0,O,3 6 9 12,4,3,2,1,2.3,1.5,放,大,區(qū),6,1.集電極 基極反向飽和電流,I,CBO,。,反向飽和電流隨,溫度,增加而增加，是管子工作狀態(tài)不穩(wěn)定的主要因素。因此，常把它作為,判斷管子性能,的重要依據(jù)。,硅,管,反向飽和電流,遠(yuǎn),小,

6、于,鍺,管，在溫度變化范圍大的工作環(huán)境應(yīng)選用硅管。,二、極間反向飽和電流,2.集電極 發(fā)射極反向飽和電流I,CEO,。,(2.1.7),7,1.電流放大系數(shù) ，,當(dāng)晶體管接成共發(fā)射極電路時(shí)，在靜態(tài),(無輸入信號)時(shí)集電極電流與基極電流的比值稱為,靜態(tài)電流(直流)放大,系數(shù),當(dāng)晶體管工作在動態(tài),(有輸入信號),時(shí)，基極電流的變化量為,I,B,，它引起集電極電流的變化量為,I,C,。,I,C,與,I,B,的比值稱為,動態(tài)電流,(交流),放大系數(shù),在輸出特性曲線近于平行等距并且,I,CEO,較小的情況下,可近似認(rèn)為 ，但二者含義不同。,電流放大系數(shù)一般在10100之間。太小，放大能力弱，太大易使管子

7、性能不穩(wěn)定。一般取3080為宜。,(2)交流參數(shù),8,1,f,T,f,1,2,7,3,4,5,返回,特征頻率,f,T,三極管的,值不僅與工作電流有關(guān)，而且與,工作頻率有關(guān)。由于結(jié)電容的影響，當(dāng)信號頻率增加時(shí)，三極管的,將會下降。,當(dāng),下降到1時(shí)所對應(yīng)的頻率稱為特征頻率，用,f,T,表示。,(2)交流參數(shù),9,當(dāng),值下降到正常數(shù)值的三分之二時(shí)的集電極電流，稱為集電極最大允許電流,I,CM,。,1.集電極最大允許電流,I,CM,(3)極限參數(shù),10,基極開路時(shí)，加在集電極和發(fā)射極之間的最大允許電壓，稱為集射反相擊穿電壓,U,(BR)CEO,。,2.,V,(BR)CE,O,發(fā)射極開路時(shí)的集電結(jié)擊穿電

8、壓。,下標(biāo)BR代表擊穿之意，是Breakdown的字頭，CB,代表集電極和基極，O代表第三個(gè)電極B開路。,管子基極開路時(shí)，集電極和發(fā)射極之間的最大允許電壓。當(dāng)電壓越過此值時(shí)，管子將發(fā)生電壓擊穿，若電擊穿導(dǎo)致熱擊穿會損壞管子。,2.集電極 發(fā)射極間反向擊穿電壓,V,(BR)CEO,11,當(dāng)晶體管因受熱而引起的參數(shù)變化不超過允許值時(shí)，集電極所消耗的最大功率，稱為集電極最大允許耗散功率,P,CM,。,I,C,I,CM,U,(BR)CEO,U,CE,P,CM,O,I,CEO,安,全,工,作,區(qū),由,I,CM,、,U,(BR)CEO,、,P,CM,三者共同確定晶體管的安全工作區(qū)。,返回,正常工作時(shí)，,I,C,流過集電結(jié)要消耗功率，而使三極管發(fā)熱，三極管達(dá)到一定溫度后，性能變差或者損壞。使用時(shí)應(yīng)該使集電極消耗的功率,P,C,P,CM,3.集電極最大允許耗散功率,P,CM,12,3.集電極最大允許功耗,P,CM,集電極電流,I,C,流過三極管，,所發(fā)出的焦耳,熱為：,P,C,=,I,C,U,CE,必定導(dǎo)致結(jié)溫,上升，所以,P,C,有限制。,P,C,P,CM,I,C,U,CE,I,C,U,CE,=,P,CM,I,CM,U,(BR)CEO,安全工作區(qū),上一頁,首 頁,13,