江蘇省2019版高中物理學(xué)業(yè)水平測(cè)試復(fù)習(xí) 第九章 磁場(chǎng) 第24講 安培力和洛倫茲力學(xué)案 選修1 -1.doc
《江蘇省2019版高中物理學(xué)業(yè)水平測(cè)試復(fù)習(xí) 第九章 磁場(chǎng) 第24講 安培力和洛倫茲力學(xué)案 選修1 -1.doc》由會(huì)員分享,可在線閱讀,更多相關(guān)《江蘇省2019版高中物理學(xué)業(yè)水平測(cè)試復(fù)習(xí) 第九章 磁場(chǎng) 第24講 安培力和洛倫茲力學(xué)案 選修1 -1.doc(4頁(yè)珍藏版)》請(qǐng)?jiān)谘b配圖網(wǎng)上搜索。
第24講 安培力和洛倫茲力 緊扣考綱 考情再現(xiàn) 測(cè)試內(nèi)容 測(cè)試要求 2018年 2017年 2016年 2015年 2014年 安培力的大小 左手定則 A 18 19 18 18 洛倫茲力 A 19 19 19 19 考點(diǎn)一 安培力的大小、左手定則 (1)定義:____________在磁場(chǎng)中受到的力叫做安培力. (2)安培力的大?。寒?dāng)B⊥I時(shí),F(xiàn)=________. (3)左手定則:伸開左手,使拇指跟其余四指垂直,并且都跟手掌在同一個(gè)平面內(nèi),讓________________垂直穿入手心,并使四指指向________的方向,那么,拇指所指的方向就是通電導(dǎo)線所受____________的方向. 特別提醒 (1)安培力的大小與導(dǎo)體棒在磁場(chǎng)中所放的位置有關(guān),當(dāng)B⊥I時(shí),F(xiàn)=BIL;當(dāng)B∥I時(shí),F(xiàn)=0. (2)安培力既垂直于磁場(chǎng)方向又垂直于電流方向. 例1 (2018江蘇學(xué)測(cè))如圖1所示,單匝線圈abcd置于磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中,ab邊長(zhǎng)為L(zhǎng),與磁場(chǎng)方向垂直,線圈中的電流為I,則ab邊所受安培力的大小為( ) 圖1 A.0 B.BIL C. D. 例2 (2018連云港學(xué)測(cè)模擬)圖中分別標(biāo)出了在勻強(qiáng)磁場(chǎng)中的通電直導(dǎo)線的電流I,磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度B和所受安培力F的方向,其中正確的是( ) 考點(diǎn)二 洛倫茲力 (1)定義:磁場(chǎng)對(duì)____________的作用力叫做洛倫茲力; (2)方向:伸開________手,使拇指與其余四個(gè)手指垂直,并且都與手掌在同一個(gè)平面內(nèi),讓__________________穿過手心,使________指向正電荷運(yùn)動(dòng)方向(負(fù)電荷運(yùn)動(dòng)的反方向),這時(shí)________所指的方向就是運(yùn)動(dòng)電荷所受洛倫茲力的方向. (3)大?。寒?dāng)v⊥B時(shí),洛倫茲力最大,當(dāng)B∥v時(shí),洛倫茲力為________. 特別提醒 (1)電荷運(yùn)動(dòng)方向與磁場(chǎng)方向垂直時(shí),電荷所受洛倫茲力最大;電荷在磁場(chǎng)中靜止和電荷運(yùn)動(dòng)方向與磁場(chǎng)方向平行時(shí),均不受洛倫茲力作用. (2)用左手定則判斷時(shí)注意:四指指向正電荷運(yùn)動(dòng)方向或負(fù)電荷運(yùn)動(dòng)的反方向. (3)洛倫茲力只改變電荷的運(yùn)動(dòng)方向,不改變電荷的速度大?。? 例3 (2017江蘇學(xué)測(cè))如圖2所示,電子e向上射入勻強(qiáng)磁場(chǎng)中,此時(shí)該電子所受洛倫茲力的方向是( ) 圖2 A.向左 B.向右 C.垂直于紙面向里 D.垂直于紙面向外 例4 (2018無錫學(xué)測(cè)模擬)下圖中,電荷的速度方向、磁場(chǎng)方向和電荷的受力方向之間關(guān)系正確的是( ) 例5 如圖3所示,在兩水平金屬板構(gòu)成的器件中,存在著勻強(qiáng)電場(chǎng)與勻強(qiáng)磁場(chǎng),電場(chǎng)強(qiáng)度E和磁感應(yīng)強(qiáng)度B相互垂直.以某一水平速度進(jìn)入的不計(jì)重力的帶電粒子恰好能沿直線運(yùn)動(dòng),下列說法正確的是( ) 圖3 A.粒子一定帶負(fù)電 B.粒子的速度大小v= C.若粒子速度大小改變,粒子將做曲線運(yùn)動(dòng) D.若粒子速度大小改變,電場(chǎng)對(duì)粒子的作用力會(huì)發(fā)生變化 1.(2018江蘇學(xué)測(cè))電視機(jī)顯像管的原理示意圖如圖3所示,若偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)B的方向垂直于紙面向外,則電子束經(jīng)過磁場(chǎng)時(shí)的偏轉(zhuǎn)方向是( ) 圖3 A.向上 B.向下 C.向紙面內(nèi)側(cè) D.向紙面外側(cè) 2.(2016江蘇學(xué)測(cè))勻強(qiáng)磁場(chǎng)中有一通電直導(dǎo)線,電流I的方向如圖4所示,則該導(dǎo)線所受安培力的方向( ) 圖4 A.向上 B.向下 C.垂直紙面向里 D.垂直紙面向外 3.(2015江蘇學(xué)測(cè))探究影響安培力大小因素的實(shí)驗(yàn)裝置如圖5所示,直導(dǎo)線垂直磁場(chǎng)方向置于磁場(chǎng)中某處.當(dāng)導(dǎo)線中電流為I時(shí),導(dǎo)線所受安培力大小為F;現(xiàn)僅將導(dǎo)線中電流減小為時(shí),導(dǎo)線所受安培力大小為( ) 圖5 A.2F B.F C. D. 4.(2015江蘇學(xué)測(cè))如圖6所示,勻強(qiáng)磁場(chǎng)方向豎直向下,一正電荷水平向右射入勻強(qiáng)磁場(chǎng)中.此時(shí),該電荷所受洛倫茲力的方向是( ) 圖6 A.向上 B.向下 C.垂直紙面向外 D.垂直紙面向里 5.(2018宿遷學(xué)測(cè)模擬)下列圖中,洛倫茲力方向判斷正確的是( ) 答案精析 考點(diǎn)突破 考點(diǎn)一 (1)通電導(dǎo)體 (2)BIL (3)磁感線 電流 安培力 例1 B 例2 B [運(yùn)用左手定則判斷,A、D中通電直導(dǎo)線不受力,C中通電直導(dǎo)線受力向下,B正確.] 考點(diǎn)二 (1)運(yùn)動(dòng)電荷 (2)左 磁感線 四指 拇指 (3)0 例3 B [應(yīng)用左手定則判斷運(yùn)動(dòng)電荷所受洛倫茲力的方向,讓磁感線垂直穿過手心,本題中四指指向電子運(yùn)動(dòng)的反方向,大拇指指向右側(cè),該電子所受洛倫茲力的方向向右,B正確.] 例4 C [根據(jù)左手定則判斷,A、B中電荷不受力;C、D中四指應(yīng)指向負(fù)電荷運(yùn)動(dòng)的反方向,大拇指指向受力方向,C正確.] 例5 C [粒子做直線運(yùn)動(dòng),說明豎直方向受力平衡,即qvB=qE,可得v=,選項(xiàng)B錯(cuò)誤;當(dāng)v=時(shí),無論粒子帶正電還是負(fù)電,在豎直方向均受力平衡,選項(xiàng)A錯(cuò)誤;如果粒子速度大小改變,就會(huì)導(dǎo)致洛倫茲力變化,因此粒子將做曲線運(yùn)動(dòng),選項(xiàng)C正確;不管粒子速度怎么變,在勻強(qiáng)電場(chǎng)中,粒子所受電場(chǎng)力不變,選項(xiàng)D錯(cuò)誤.] 真題演練 1.A 2.A 3.C 4.D 5.D- 1.請(qǐng)仔細(xì)閱讀文檔,確保文檔完整性,對(duì)于不預(yù)覽、不比對(duì)內(nèi)容而直接下載帶來的問題本站不予受理。
- 2.下載的文檔,不會(huì)出現(xiàn)我們的網(wǎng)址水印。
- 3、該文檔所得收入(下載+內(nèi)容+預(yù)覽)歸上傳者、原創(chuàng)作者;如果您是本文檔原作者,請(qǐng)點(diǎn)此認(rèn)領(lǐng)!既往收益都?xì)w您。
下載文檔到電腦,查找使用更方便
9.9 積分
下載 |
- 配套講稿:
如PPT文件的首頁(yè)顯示word圖標(biāo),表示該P(yáng)PT已包含配套word講稿。雙擊word圖標(biāo)可打開word文檔。
- 特殊限制:
部分文檔作品中含有的國(guó)旗、國(guó)徽等圖片,僅作為作品整體效果示例展示,禁止商用。設(shè)計(jì)者僅對(duì)作品中獨(dú)創(chuàng)性部分享有著作權(quán)。
- 關(guān) 鍵 詞:
- 江蘇省2019版高中物理學(xué)業(yè)水平測(cè)試復(fù)習(xí) 第九章 磁場(chǎng) 第24講 安培力和洛倫茲力學(xué)案 選修1 -1 江蘇省 2019 高中物理 學(xué)業(yè) 水平 測(cè)試 復(fù)習(xí) 第九 24 安培力 洛倫茲 力學(xué) 選修
鏈接地址:http://www.820124.com/p-3937951.html