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1、 霍爾式傳感器是基于霍爾效應(yīng)而將被測(cè)量轉(zhuǎn)換成電動(dòng)勢(shì)輸出的 一種傳感器?；魻柶骷且环N磁敏傳感器,利用半導(dǎo)體元件對(duì)磁 場(chǎng)敏感的特性來(lái)實(shí)現(xiàn)磁電轉(zhuǎn)換,它們可以檢測(cè)磁場(chǎng)及其變化,可 在各種與磁場(chǎng)有關(guān)的場(chǎng)合中使用。 霍爾器件具有許多優(yōu)點(diǎn),它們的結(jié)構(gòu)牢固，體積小，重量輕， 壽命長(zhǎng),安裝方便，功耗小，頻率高（可達(dá)1 MHz）,耐振動(dòng),不 怕灰塵、油污、水汽及鹽霧等的污染或腐蝕。 按照霍爾器件的功能可將它們分為：霍爾線(xiàn)性器件和霍爾開(kāi)關(guān) 器件,前者輸出模擬量,后者輸出數(shù)字量。 霍爾線(xiàn)性器件的精度高、線(xiàn)性度好；霍爾開(kāi)關(guān)器件無(wú)觸點(diǎn)、無(wú) 噸）o采用了各種補(bǔ)償和保護(hù)措施的霍爾器件的工作溫度范圍寬 可達(dá)?55

2、~+150C。 磨損、輸出波形清晰、無(wú)抖動(dòng)、無(wú) 跳、位置重復(fù)精度高冋達(dá)  霍爾傳感器的工作原理 1-霍爾效應(yīng) 半導(dǎo)體薄片置于磁感應(yīng)強(qiáng)度為3的磁場(chǎng)中,磁場(chǎng)方向垂直于薄 片z當(dāng)有電流/流過(guò)薄片時(shí)，在垂直于電流和磁場(chǎng)的方向上將 產(chǎn)生電動(dòng)勢(shì)呂,這種現(xiàn)象稱(chēng)為霍爾效應(yīng)。 B=0 磁感應(yīng)強(qiáng)度沏零時(shí)的情況 卩％0  當(dāng)有圖示方向磁場(chǎng)B作用時(shí) 作用在半導(dǎo)體薄片上的磁場(chǎng)強(qiáng)度馳強(qiáng)f霍爾電勢(shì)也就越高。 霍爾電勢(shì)-y可用下式表示： Uh=Kh IB 霍爾效應(yīng)演示 當(dāng)磁場(chǎng)垂直于薄片時(shí),電子受到

3、洛侖茲力的作用,向內(nèi) 側(cè)偏移f在半導(dǎo)體薄片4. B方向的端面之間建立起霍爾電 勢(shì)。 可以推出f霍爾電動(dòng)勢(shì)Uh的大小為: C/H =kHIBcos a 式中：知為靈敏度系數(shù),2 t表示在單位磁感應(yīng)強(qiáng)度和單 位控制電流時(shí)的霍爾電動(dòng)勢(shì)的大小，與材料的物理特性（霍爾系數(shù) 和幾何尺寸d有關(guān)； 霍爾系數(shù)，由材料物理性質(zhì)所決定z ?為電子電荷量 n為材料中的電子濃度。 為磁場(chǎng)和薄片法線(xiàn)夾角。 結(jié)論:霍爾電勢(shì)與輸入電流A磁感應(yīng)強(qiáng)度堿正比, 且當(dāng)躺方

4、向改變時(shí),霍爾電勢(shì)的方向也隨之改變。如 果所施加的磁場(chǎng)為交變磁場(chǎng),則霍爾電勢(shì)為同頻率的 交變電勢(shì)。 金屬材料中的自由電子濃度II很高,因此很小 > 不 宜作霍爾元件?；魻栐嘤幂d流子遷移率大的N型 半導(dǎo)體材料制作。另外,霍爾元件越?。āㄔ叫。?就 越大,所以通常霍爾元件都較薄。薄膜霍爾元件的厚 度只有1  2 ?霍爾元件 霍爾片是一塊矩形半導(dǎo)體單晶薄片(一般為 4 mmx2 mmxO.l mm) f經(jīng)研磨拋光f然后用蒸發(fā)合金讀或其 他方法制作歐姆接觸電極,最后焊上引線(xiàn)并封裝。而薄膜霍爾元 件則是在一片極薄的基片上用蒸發(fā)或外延的方法做成霍爾片,然 后再制作歐姆接觸電極,焊上引

5、線(xiàn)最后封裝。一般控制端引線(xiàn)采 用紅色引線(xiàn),而霍爾輸出端引線(xiàn)則采用綠色引線(xiàn)?；魻栐臍?體用非導(dǎo)磁金屬■陶瓷或環(huán)氧樹(shù)脂封廣 /口 = (a)霍爾元件外形 (b)電路符號(hào)(c)基本應(yīng)用電路 3?霍爾元件的主要特性及材料 1) 霍爾元件的主要特性參數(shù) (1)靈敏度知:表示元件在單位磁感應(yīng)強(qiáng)度和單位控制電流下所 得到的開(kāi)路(Rl=oo )霍爾電動(dòng)勢(shì),單位為V/(A?T)。 ⑵霍爾輸入電阻盡:霍爾控制電流電極間的電阻值。 (3)霍爾輸出電阻飩:霍爾輸出電極間的電阻值。 (4)霍爾電阻的溫度系數(shù)(X :表示在一定的磁感應(yīng)強(qiáng)度和控 制電流的條件下”環(huán)境溫度每變化1C時(shí)霍爾元件材料的電

6、阻變化率，單位為％/C。 1)霍爾元件的主要特性參數(shù) (5) 霍爾電動(dòng)勢(shì)的溫度系數(shù)P :表示在一定的磁感應(yīng)強(qiáng)度和控制 電流的條件下,環(huán)境溫度每變化1C時(shí)霍爾電勢(shì)的相對(duì)變化率單 位為％/弋。 (6) 額定控制電流4,:空氣中的霍爾元件產(chǎn)生允許溫升 AT=10C時(shí)的控制電流,一般為幾毫安到幾百毫安。 心=w^2asdAT/p (7) 不等位電勢(shì)U :夕卜加磁場(chǎng)為0 ,霍爾元件在額定控制電流下, 兩霍爾電極之間的開(kāi)路電動(dòng)勢(shì)。U。趣小趣好,一般地,U。小于 lmVo (8) 不等位電阻心：r0=Uo/Icm0 3.霍爾元件的主要特性及材料 1)霍爾元件的主要特性參數(shù) (9)霍爾最大允

7、許激勵(lì)電流厶那：以霍爾元件允許最大 溫升為限制所對(duì)應(yīng)的激勵(lì)電流稱(chēng)為最大允許激勵(lì)電流。 (10)霍爾寄生直流電勢(shì)/d：在外加磁場(chǎng)為零■霍爾元 件用交流激勵(lì)時(shí),霍爾電極輸出除了交流不等位電動(dòng)勢(shì) 外,還有一■直流電勢(shì),稱(chēng)為寄生直流電勢(shì)。 2) 霍爾元件的材料 錯(cuò)(Ge).硅(Si).錦化錮(InSb).碑化錮(InAs)和碑化稼 (GaAs)是常見(jiàn)的制作霍爾元件的幾種半導(dǎo)體材料。表6?2所列 為制作霍爾元件的幾種半導(dǎo)體材料主要參數(shù)。 材料(單晶) 禁帶寬度 Hg/(eV) 電阻率 p/(Q?cm) 電子遷移率 ///(cm2/V-s) 霍爾系數(shù) 陽(yáng)帥3?5) 1/2 PP N

8、型錯(cuò)(Ge) 0.66 1.0 3500 4250 4000 N型硅(Si) 1.107 1.5 1500 2250 1840 銖化 ffl(InSb) 0.17 0.005 60000 350 4200 不申化鋼(InAs) 0.36 0.0035 25000 100 1530 磷碑鋼(InAsP) 0.63 0.08 10500 850 3000 哪種材料制作的霍爾元件靈敏度高0 它主要表現(xiàn)為以 4霍爾元件的誤差及補(bǔ)償 1.霍爾元件的零位誤差與補(bǔ)償 霍爾元件的零位誤差是指在無(wú)外加磁場(chǎng)或無(wú)控制電

9、流的情況下， 霍爾元件產(chǎn)生輸出電壓并由此而產(chǎn)生的誤差。 下幾種具體形式。 1）不等位電動(dòng)勢(shì) 不等位電動(dòng)勢(shì)是零位誤差中最主要的一種, 它是當(dāng)霍爾元件在額定控制電流（元件在空氣 中溫升10丈所對(duì)應(yīng)的電流）作用下，不加外磁 場(chǎng)時(shí),霍爾輸出端之間的空載電動(dòng)勢(shì)。 不等位電動(dòng)勢(shì)產(chǎn)生的原因是由于制造工藝 不可能保證將兩個(gè)霍爾電極對(duì)稱(chēng)地焊在霍// 爾片的兩側(cè)，致使兩電極點(diǎn)不能完全位于/ 同一等位面上。 此外,霍爾片電阻率不均勻,或片厚薄不均 勻,或控制電流極接觸不良都將使等位面 歪斜，如圖所示,致使兩霍爾電極不在同 一等位面上而產(chǎn)生不等位電動(dòng)勢(shì)。 2）寄生直流電勢(shì) 在無(wú)磁場(chǎng)的情況下元件通

10、入交流電流,輸出端除交流不等位 電壓以外的直流分量稱(chēng)為寄生直流電勢(shì)。產(chǎn)生寄生直流電勢(shì)的 原因有兩個(gè)方面：（1）由于控制電極焊接處接觸不良而造成一種 整流效應(yīng)，使控制電流因正.反向電流大小不等而具有一定的 直流分量。（2）輸出電極焊點(diǎn)熱容量不相等產(chǎn)生溫差電動(dòng)勢(shì)。對(duì) 于錯(cuò)霍爾元件,當(dāng)交流控制電流為20 mA時(shí),輸出電極的寄生 直流電壓小于觀 O 3）感應(yīng)零電動(dòng)勢(shì) 感應(yīng)零電動(dòng)勢(shì)是在未通電流的情況下,由于 脈動(dòng)或交變磁場(chǎng)的作用，在輸出端產(chǎn)生的電o 動(dòng)勢(shì)。根據(jù)電磁感應(yīng)定律,感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)的大 小與霍爾元件輸出電極引線(xiàn)構(gòu)成的感應(yīng)面積 成正比,如圖所示。 4）自激場(chǎng)零電動(dòng)勢(shì) 霍爾元件控制電流產(chǎn)生自激場(chǎng),

11、如圖所示。 由于元件的左右兩半場(chǎng)相等，故產(chǎn)生的電動(dòng) 勢(shì)方向相反而抵消。實(shí)際應(yīng)用時(shí)由于控制電 流引線(xiàn)也產(chǎn)生磁場(chǎng),使元件左右兩半場(chǎng)強(qiáng)不 等,因而有霍爾電動(dòng)勢(shì)輸出，這一輸出電動(dòng) 勢(shì)即是自激場(chǎng)零電動(dòng)勢(shì)。 在上述的4種零位誤差中,寄生直流電動(dòng)勢(shì)、感應(yīng)零電動(dòng)勢(shì)以及 自激場(chǎng)零電動(dòng)勢(shì)，是由于制作工藝上的原因而造成的誤差,可以 通過(guò)工藝水平的提高加以解決。而不等位電動(dòng)勢(shì)所造成的零位誤 差,則必須通過(guò)補(bǔ)償電路給予克服。 在理想情況下% = R2 =時(shí)氐.即可取得零位電動(dòng)勢(shì)為零（或零位 電阻為零）,從而消除不等位電動(dòng)勢(shì)。實(shí)際上,若存在零位電動(dòng)勢(shì), 則說(shuō)明此4個(gè)電阻不完全相等,即電橋不平衡。為使其達(dá)到平衡

12、, 可在阻值較大的橋臂上并聯(lián)可調(diào)電阻鳥(niǎo)或在兩個(gè)臂上同時(shí)并聯(lián)電 霍爾元件零位誤差補(bǔ)償電路 尺2 -心魚(yú) — fl Ao7 oB oC 丄 & I R2 A~y~| I & 冷 丁 B L -T7t- - J 丿 Rp I D 7? QC R\ B 2?霍爾元件的溫度誤差及補(bǔ)償 與一般半導(dǎo)體一樣，由于電阻率、遷移率以及載流子濃度隨溫 度變化,所以霍爾元件的性能參數(shù)如輸入.輸出電阻，霍爾常數(shù) 等也隨溫度而變化 ＜致使霍爾電動(dòng)勢(shì)變化 ＜產(chǎn)生溫度誤差。 將溫度每變化1C時(shí)，霍爾元 件輸入電阻或輸出電阻的相對(duì) 變化率盡/幾稱(chēng)為內(nèi)阻溫度系 數(shù)

13、,甬原示。 將溫度每變化1C時(shí),霍爾電 壓的相對(duì)變化率St/So稱(chēng)為 霍爾電壓溫度系數(shù)，用 表示。 哪種材料制作的霍爾元件溫度誤差時(shí)？ 幾種溫度誤差的補(bǔ)償方法 1）采用恒壓源和輸入回路串聯(lián)電阻 補(bǔ)償基本電路及等效電路如圖 霍爾電壓隨溫度變化的關(guān)系式為： 4=嚴(yán)F 生 + Rlt cl 對(duì)上式求溫度的導(dǎo)數(shù)得,要使溫度變化時(shí)霍爾電壓不變,必須 使外接電阻： a 2）合理選擇負(fù)載電阻倫的阻值 正溫度系數(shù)）,當(dāng)霍爾元件接有負(fù)載應(yīng)時(shí) < 在坨上的電壓為: 霍爾元件的輸出電阻心和霍爾電動(dòng)勢(shì)4都是溫度的函數(shù)（設(shè)為 U —坨閃0［1 + *_（0）］ （_坨+心［1

14、+ 0（一0）］ 為了負(fù)載上的電壓不隨溫度變化,Bffid/7L/da-ro）=o ,即 ^L=^oO（--l） a 式中：凡0為溫度心時(shí)的霍爾元件輸出電阻。 可采用串、并連電阻的方法使上式成立來(lái)補(bǔ)償溫度誤差,但 霍爾元件的靈敏度將會(huì)降低。 3）采用溫度補(bǔ)償元件（如熱敏電阻、電阻絲） 這是一種常用的溫度誤差補(bǔ)償方法。由于熱敏電阻具有負(fù)溫度 系數(shù),電阻絲具有正溫度系數(shù),可采用輸入回路串接熱敏電阻, 輸入回路并接電阻絲,或輸出端串接熱敏電阻對(duì)具有負(fù)溫度系數(shù) 的鏢化錮材料霍爾元件進(jìn)行溫度補(bǔ)償?？刹捎幂斎攵瞬⒔訜崦綦?阻方式對(duì)輸岀具有正溫度系數(shù)的霍爾元件進(jìn)行溫度補(bǔ)償。一般來(lái) 說(shuō),溫度補(bǔ)償

15、電路、霍爾元件和放大電路應(yīng)集成在一起制成集成 霍爾傳感器。 5霍爾傳感器的應(yīng)用 霍爾元件具有結(jié)構(gòu)牢固.工藝成熟.體積小■壽命長(zhǎng).線(xiàn)性度 好.頻率高■耐振動(dòng).不怕灰塵.油污.水汽及鹽霧等的污染 或腐蝕的優(yōu)點(diǎn) > 目前 >霍爾傳感器是全球使用量排名第三的傳 感器產(chǎn)品,它被廣泛應(yīng)用到工業(yè)■汽車(chē)業(yè).計(jì)算機(jī)■手機(jī)以及 新興消費(fèi)電子領(lǐng)域中。 5霍爾傳感器的應(yīng)用 1霍爾轉(zhuǎn)速傳感器 在被測(cè)轉(zhuǎn)速的轉(zhuǎn)軸上安裝一個(gè)齒盤(pán),也可選取機(jī)械系統(tǒng)中的 _個(gè)齒輪z將線(xiàn)性型霍爾器件及磁路系統(tǒng)靠近齒盤(pán)。齒盤(pán)的轉(zhuǎn)動(dòng) 使磁路的磁阻隨氣隙的改變而周期性地變化,霍爾器件輸出的微 小脈沖信號(hào)經(jīng)隔直.放大.整形后可以確定被測(cè)物的轉(zhuǎn)速

16、。 霍爾轉(zhuǎn)速表原理 當(dāng)齒對(duì)準(zhǔn)霍爾元件時(shí),磁力線(xiàn)集中穿過(guò)霍爾元件,可產(chǎn) 生較大的霍爾電動(dòng)勢(shì),放大、整形后輸出高電平；反之, 當(dāng)齒輪的空扌當(dāng)對(duì)準(zhǔn)霍爾元件時(shí),輸出為低電平。 霍爾轉(zhuǎn)速表的其他安裝方法 霍爾元件 磁鐵 O 檢測(cè)凸出 檢測(cè)缺口 只要金屬旋轉(zhuǎn)體的表面存在缺口或突起,就可產(chǎn)生磁場(chǎng)強(qiáng) 度的脈動(dòng) ＜從而引起霍爾電勢(shì)的變化,產(chǎn)生轉(zhuǎn)速信號(hào)。 2?位移測(cè)量 霍爾元件 B 霍爾式童移傳感曙原理圖 保持霍爾兀件的控制電流恒定，而使霍爾兀件在一個(gè)絢勻的梯度磁場(chǎng)屮沿」

17、方問(wèn)移動(dòng)，如 上圖所小。由上述可知，霍爾電勢(shì)與磁感應(yīng)強(qiáng)度B成正比，由于備場(chǎng)在一定范國(guó)內(nèi)沿工方 向的變化dB/dj為常數(shù),因此元件沿工方向移動(dòng)時(shí).雷爾電勢(shì)的變化為 2.位移測(cè)量 壯就冷，刪 Ufl=kx 棚豺側(cè)戦樹(shù)正匕電馴雛割了元件M肘航 丸靈鞭舗aftWM^L粧刪醸九燈闕犧械躺股 Mffll 1戕桶赫探 ?酬朋酬測(cè)用皿+0.5師側(cè)遛秋 棚釀肝覿執(zhí)財(cái)鞫隸気勰幅悴附鵰脾亦則皚與酬s\m 鹹妣冊(cè)酥電民毗肌燃就｛淋 3.霍爾機(jī)械振動(dòng)傳感器 1—霍爾元件；2T板（非磁性材料）； 3—頂桿；4—觸點(diǎn)；5_外殼；6—磁系 觸點(diǎn)4與被測(cè)對(duì)象接觸，整個(gè)組件隨被測(cè) 體做機(jī)械振動(dòng)?；魻栐敵龅幕魻栯妱?dòng) 勢(shì)可反映出被測(cè)振動(dòng)的頻率和幅度。 3?電流測(cè)量 霍爾鉗形電流表 測(cè)量原理 4 vt2 U-