《數(shù)字邏輯(第六版白中英)課后習(xí)題答案》由會(huì)員分享，可在線閱讀，更多相關(guān)《數(shù)字邏輯(第六版白中英)課后習(xí)題答案（11頁珍藏版）》請(qǐng)?jiān)谘b配圖網(wǎng)上搜索。

1、第四章習(xí)題答案 1 .設(shè)計(jì)4個(gè)寄存器堆。 解： WR 寄存器組 2 .設(shè)計(jì)具有4個(gè)寄存器的隊(duì)列 解： 3 .設(shè)計(jì)具有4個(gè)寄存器的堆棧 解：可用具有左移、右移的移位寄存器構(gòu)成堆棧 輸入數(shù)據(jù) 輸出數(shù)據(jù) 棧頂 壓入 彈出 SR1 SR2 SR3 4 .SRAM、DRAM的區(qū)另 解：DRAM表示動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，其基本存儲(chǔ)單元是一個(gè)晶體管和一個(gè)電 容器，是一種以電荷形式進(jìn)行存儲(chǔ)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，充滿電荷的電容器代表邏輯“1「空”的電容器代表邏輯”

2、0'數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在電容器中，電容存儲(chǔ)的電荷一般是 會(huì)慢慢泄漏的，因此內(nèi)存需要不時(shí)地刷新。電容需要電流進(jìn)行充電，而電流充電的過程也是需要一定時(shí)間的，一般是0.2-0.18微秒（由于內(nèi)存工作環(huán)境所限制，不可能無限制的提高電流的強(qiáng)度），在這個(gè)充電的過程中內(nèi)存是不能被訪問的。 DRAM擁有更高的密度，常常用于PC中的主存儲(chǔ)器。 SRAM是靜態(tài)的，存儲(chǔ)單元由4個(gè)晶體管和兩個(gè)電阻器構(gòu)成，只要供電它就會(huì)保持一個(gè)值，沒有刷新周期，因此SRAM比DRAM要快。SRAM常常用于局速緩沖存儲(chǔ)器，因?yàn)樗懈鼒D的速率； 5 .為什么DRAM采用行選通和列選通 解：DRAM存儲(chǔ)器讀/寫周期時(shí)，在行選通信號(hào)RAS有效

3、下輸入行地址，在列選通信號(hào)CAS有效下輸入列地址。如果是讀周期，此位組內(nèi)容被讀出；如果是寫周期，將總線上數(shù)據(jù)寫入此位組。由于DRAM需要不斷刷新，最常用的是“只有行地址有效”的方法，按照這種方法，刷新時(shí)，是在RAS有效下輸入刷新地址，存儲(chǔ)體的列地址無效，一次選中存儲(chǔ)體中的一行進(jìn)行刷新。每當(dāng)一個(gè)行地址信號(hào)RAS^T效選中某一行時(shí)，該行的所有存儲(chǔ)體單元進(jìn)行刷新。 6 .用ROM實(shí)現(xiàn)二進(jìn)制碼到余3碼轉(zhuǎn)換 解：真值表如下： 8421碼余三碼 B3B2Bi G3G2G B0 0 0 0 1 0 0 0 1 0 0 0 1 0 0 0 1 1 0 1

4、 1 1G0 00001 1 00010 0 01010 1 01011 0 10011 1 10100 0 11100 1 11101 0 00101 1 00110 0 最小項(xiàng)表達(dá)式為： G3=(5,6,7,8,9) G2= (1,2,3,4,9) G1=(0,3,4,7,8)G0=(0,2,4,6,8) 陣列圖為： G3 G2G1G0 7.用ROM實(shí)現(xiàn)8位二進(jìn)制碼到8421碼轉(zhuǎn)換 解：輸入為8位二進(jìn)制數(shù)

5、，輸出為3位BCD碼，12位二進(jìn)制數(shù)，所以，所需 ROM的容量為：28*12=3072 8 .ROM、EPROM和EEPROM的區(qū)別 解：ROM指的是“只讀存儲(chǔ)器”，即Read-OnlyMemory。這是一種線路最簡(jiǎn)單 半導(dǎo)體電路，通過掩模工藝，一次性制造，其中的代碼與數(shù)據(jù)將永久保存（除非 壞掉），不能進(jìn)行修改。 EPROM指的是“可擦寫可編程只讀存儲(chǔ)器”，即ErasableProgrammable Read-OnlyMemory。是采用浮柵技術(shù)生產(chǎn)的可編程存儲(chǔ)器，它的存儲(chǔ)單元多采用N溝道疊柵MOS管，信息的存儲(chǔ)是通過MOS管浮柵上的電荷分布來決定的， 編程過程就是一個(gè)電荷注入

6、過程。編程結(jié)束后，由于絕緣層的包圍，注入到浮柵上的電荷無法泄漏，因此電荷分布維持不變，EPROM也就成為非易失性存儲(chǔ)器件了。當(dāng)外部能源（如紫外線光源）加到EPROM上時(shí)，EPROM內(nèi)部的電荷分布才會(huì)被破壞，此時(shí)聚集在MOS管浮柵上的電荷在紫外線照射下形成光電流被 泄漏掉，使電路恢復(fù)到初始狀態(tài)，從而擦除了所有寫入的信息。這樣EPROM又 可以寫入新的信息。 EEPROM指的是“電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器”，即ElectricallyErasable ProgrammableRead-OnlyMemory。也是采用浮柵技術(shù)生產(chǎn)的可編程ROM，但 是構(gòu)成其存儲(chǔ)單元的是隧道MOS管，隧道MOS

7、管也是利用浮柵是否存有電荷 來存儲(chǔ)二值數(shù)據(jù)的，不同的是隧道MOS管是用電擦除的，并且擦除的速度要快 的多（一般為毫秒數(shù)量級(jí)）。它的最大優(yōu)點(diǎn)是可直接用電信號(hào)擦除，也可用電信號(hào)寫入。E2PROM的電擦除過程就是改寫過程，它具有ROM的非易失性，又具 備類似RAM的功能，可以隨時(shí)改寫（可重復(fù)擦寫1萬次以上）。目前，大多數(shù)E2PROM芯片內(nèi)部都備有升壓電路。因此，只需提供單電源供電，便可進(jìn)行讀、擦除/寫操作，這為數(shù)字系統(tǒng)的設(shè)計(jì)和在線調(diào)試提供了極大方便。 9 .flash存儲(chǔ)器的特點(diǎn) 解：Flash也是一種非易失性的內(nèi)存，屬于EEPROM改進(jìn)產(chǎn)品。FLASH是結(jié)合EPROM和EEPROM技術(shù)達(dá)

8、到的，F(xiàn)LASH使用雪崩熱電子注入方式來編程。 主要特點(diǎn)是，F(xiàn)LASH對(duì)芯片提供大塊或整塊的擦除，而EEPROMJ可以一次只擦 除一個(gè)字節(jié)（Byte）。這就降低了設(shè)計(jì)的復(fù)雜性，它可以不要EEPROM單元里多 余的晶體管，所以可以做到高集成度，大容量，另FLASH的浮柵工藝上也不同， 寫入速度更快。 10 .用256Kx8芯片實(shí)現(xiàn)256Kx32的ROM 解：需要4片256Kx8的存儲(chǔ)器，進(jìn)行位擴(kuò)展 11 .用1MX4芯片實(shí)現(xiàn)1MX16的SRAM 解：需要4片1MX4的存儲(chǔ)器，進(jìn)行位擴(kuò)展。 A0 CE 4

9、 A0 CE 1 A0 1MX4 A7 I/O I/O D0 D15 12用256Kx4芯片實(shí)現(xiàn)1MX8的DRAM 解：需8片1MX4的存儲(chǔ)器，進(jìn)行字位同時(shí)擴(kuò)展 A1J A19T A0 2:4 譯碼器 CE A0 2 E 1 256Kx4 A7 I/O I/O CE A0 4 ACE 3 256K X4 A A7 I/O I/O ■ C 十A0 CE A0 5 256Kx 4 A7 I/O I/O CE A A0 8 t CE A A0 7 256KX4 * A7 I/O I/O D0 D7 13

10、.用1MX8芯片實(shí)現(xiàn)4MX8的DRAM 解：需4片1MX8的存儲(chǔ)器，進(jìn)行字?jǐn)U展。 14 .用64Kx4芯片實(shí)現(xiàn)64Kx16的ROM 解：需4片64Kx4的存儲(chǔ)器，進(jìn)行位擴(kuò)展。 A0CE4 A0CE1 A0 I/O A15一? D0 D15 地址線 64Kx4 A7I/O 15 .用1MX8芯片實(shí)現(xiàn)4MX16的ROM 解：需8片1MX8的存儲(chǔ)器，進(jìn)行字位同時(shí)擴(kuò)展 CE ―IT iO 4 ~ L- 加 3 II xs # A7 I加… 譯碼器 X8 I/O CE I/O 219―k A7 I/'： AO 7 IM X8 A? I/O 關(guān)閉 （資料素材和資料部分來自網(wǎng)絡(luò)，供參考?？蓮?fù)制、編制，期待你的好評(píng)與關(guān)注）