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1、 憶阻器的發(fā)展與應用憶阻器的發(fā)展與應用 Contents概念產生與發(fā)展概念產生與發(fā)展1憶阻器元件的實現憶阻器元件的實現2憶阻器的應用前景憶阻器的應用前景3總結總結4概念產生與發(fā)展概念產生與發(fā)展v什么是憶阻器？什么是憶阻器？ 憶阻器（憶阻器（Memristor）的概念由加州大學）的概念由加州大學伯克利分校的蔡少棠伯克利分校的蔡少棠（Chua）在在1971年年提出提出。憶阻器是一類具有電阻記憶行為。憶阻器是一類具有電阻記憶行為的非線性電路元件，被認為是除電阻、的非線性電路元件，被認為是除電阻、電容、電感外的電容、電感外的第四個基本電路元件第四個基本電路元件。概念產生與發(fā)展概念產生與發(fā)展v憶阻器的定

2、義憶阻器的定義 由電路理論可知，三個傳統的二端口電由電路理論可知，三個傳統的二端口電路元件電阻（路元件電阻（R）、電容（）、電容（C）、電感）、電感（L）建立了四個電路變量電壓（）建立了四個電路變量電壓（V）、）、電流（電流（I）、磁通量（）、磁通量（）和電荷量（）和電荷量（Q）間的聯系。上述四個電路變量兩兩之間間的聯系。上述四個電路變量兩兩之間可以建立六個數學關系式，其中五對關可以建立六個數學關系式，其中五對關系式已經為大家所熟知系式已經為大家所熟知分別來自分別來自R、C、L、Q 的定義和法拉第電磁感應定律的定義和法拉第電磁感應定律（如圖（如圖1所示），但所示），但、Q 間的關系卻一間的關系

3、卻一直沒被揭示。直沒被揭示。概念產生與發(fā)展概念產生與發(fā)展v憶阻器的定義憶阻器的定義 圖圖1概念產生與發(fā)展概念產生與發(fā)展v憶阻器的定義憶阻器的定義Chua從電路變量關系完整性角度，定義了從電路變量關系完整性角度，定義了增量憶阻增量憶阻M（Q）來描述）來描述、Q 間的這一間的這一關系：關系： M（Q）=d（Q）/dQ （1）滿足公式（滿足公式（1）所定義關系的電路元件被稱為憶阻器。）所定義關系的電路元件被稱為憶阻器。同時，由同時，由d=Vdt，dQ=Idt 可得：可得： M（Q）=V/I （2）因此，增量憶阻具有與電阻相同的量綱。因此，增量憶阻具有與電阻相同的量綱。憶阻器元件的實現憶阻器元件的實現

4、v實現憶阻器的模型和機理實現憶阻器的模型和機理 隨著人們對于憶阻概念理解的深入，實隨著人們對于憶阻概念理解的深入，實現憶阻性能的多種物理模型與機理在各現憶阻性能的多種物理模型與機理在各研究領域被相繼提出，真正意義上的憶研究領域被相繼提出，真正意義上的憶阻器件成為現實。阻器件成為現實。LOGO絲電導絲電導機制機制邊界遷移模型邊界遷移模型電子自旋電子自旋阻塞模型阻塞模型氧化還氧化還原反應原反應v主要的憶阻器實現模型和機理主要的憶阻器實現模型和機理憶阻器元件的實現憶阻器元件的實現 模型和機理模型和機理邊界遷移模型邊界遷移模型邊界遷移模型最初用于實現憶阻器具有的電路特性，如邊界遷移模型最初用于實現憶阻

5、器具有的電路特性，如圖所示該模型由位于兩端的金屬電極和電極間的摻雜半導圖所示該模型由位于兩端的金屬電極和電極間的摻雜半導體薄膜組成。體薄膜組成。 電極間的半導體薄膜由于基體中載流子濃度不同而分為電極間的半導體薄膜由于基體中載流子濃度不同而分為低電阻的高摻雜濃度區(qū)和高電阻的低摻雜濃度區(qū)，結構兩低電阻的高摻雜濃度區(qū)和高電阻的低摻雜濃度區(qū)，結構兩端加載的偏電壓驅使高、低摻雜濃度區(qū)間的邊界發(fā)生遷移，端加載的偏電壓驅使高、低摻雜濃度區(qū)間的邊界發(fā)生遷移，致使結構對外呈現隨外加電壓時間作用而變化的電阻致使結構對外呈現隨外加電壓時間作用而變化的電阻。該該結構呈現憶阻現象的物理機制是電場作用下氧空位缺陷的結構呈

6、現憶阻現象的物理機制是電場作用下氧空位缺陷的遷移遷移。憶阻器元件的實現憶阻器元件的實現 模型和機理模型和機理電子自旋阻塞模型電子自旋阻塞模型利用半導體利用半導體/半金屬（或鐵磁材料）接觸界面附半金屬（或鐵磁材料）接觸界面附近與自旋自由度相關的電子遷移受限現象，設計了近與自旋自由度相關的電子遷移受限現象，設計了基于自旋阻塞（基于自旋阻塞（Spin blockade）效應的憶阻器，）效應的憶阻器，其結構如下圖所示。其結構如下圖所示。憶阻器元件的實現憶阻器元件的實現 模型和機理模型和機理絲導電機制絲導電機制下列圖所示十字交叉桿結構由相互垂直的兩層導電納米線下列圖所示十字交叉桿結構由相互垂直的兩層導電

7、納米線和中間的電解質層構成。外界施加的激勵誘發(fā)電解質中導電和中間的電解質層構成。外界施加的激勵誘發(fā)電解質中導電絲的形成，此結構中，導電絲的增長等效于金屬粒子在微觀絲的形成，此結構中，導電絲的增長等效于金屬粒子在微觀距離上的跳躍，可以引起結構電阻的指數衰減，使器件發(fā)生距離上的跳躍，可以引起結構電阻的指數衰減，使器件發(fā)生從高電阻狀態(tài)向低電阻狀態(tài)的轉變，促使憶阻現象發(fā)生。從高電阻狀態(tài)向低電阻狀態(tài)的轉變，促使憶阻現象發(fā)生。I-V 曲線體現出的電阻滯后轉換 具有憶阻現象的十字交叉陣憶阻器元件的實現憶阻器元件的實現 模型和機理模型和機理氧化還原反應氧化還原反應氧化還原反應的發(fā)生，往往伴隨著反應物質化學狀態(tài)

8、的改氧化還原反應的發(fā)生，往往伴隨著反應物質化學狀態(tài)的改變。因為物質在不同化學狀態(tài)時對外界呈現的電阻往往又有變。因為物質在不同化學狀態(tài)時對外界呈現的電阻往往又有差異，因此氧化還原反應引起的這種變化可以用來實現器件差異，因此氧化還原反應引起的這種變化可以用來實現器件的憶阻效應。的憶阻效應。Berzina等通過設計下圖所示的結構實現了基等通過設計下圖所示的結構實現了基于有機材料（于有機材料（PANI）氧化還原反應的憶阻效應。）氧化還原反應的憶阻效應。憶阻器元件的實現憶阻器元件的實現 模型和機理模型和機理其他相關機理其他相關機理由憶阻器和憶阻系統的理論可知，外加激勵能夠由憶阻器和憶阻系統的理論可知，外

9、加激勵能夠引起導電狀態(tài)發(fā)生變化的系統和器件都有被用來實引起導電狀態(tài)發(fā)生變化的系統和器件都有被用來實現憶阻效應的可能。從這種角度講，憶阻器的實現現憶阻效應的可能。從這種角度講，憶阻器的實現機理與模型有更廣闊的研究范圍，如電子隧穿效應、機理與模型有更廣闊的研究范圍，如電子隧穿效應、滲流理論、材料內陷阱的碰撞電離與重填等。關于滲流理論、材料內陷阱的碰撞電離與重填等。關于阻值轉換行為和模型的討論也已在各種材料體系中阻值轉換行為和模型的討論也已在各種材料體系中被廣泛涉及，并將引起更廣泛的影響。被廣泛涉及，并將引起更廣泛的影響。憶阻器元件的實現憶阻器元件的實現 模型和機理模型和機理憶阻器元件的實現憶阻器元

10、件的實現v憶阻器的存在憶阻器的存在 借助于現代納借助于現代納米技術中突破性米技術中突破性的成果，惠普實的成果，惠普實驗室于驗室于2008年證年證明了憶阻器的存明了憶阻器的存在。在。憶阻器元件的實現憶阻器元件的實現憶阻器的存在憶阻器的存在HP 的的 Crossbar Latch研究研究Crossbar Latch技術的原理是由一排橫向和一排縱向的技術的原理是由一排橫向和一排縱向的電線組成的網格，在每一個交叉點上，要放一個開關連電線組成的網格，在每一個交叉點上，要放一個開關連結一條橫向和縱向的電線。如果能讓這兩條電線控制這個開結一條橫向和縱向的電線。如果能讓這兩條電線控制這個開關的狀態(tài)的話，那網格

11、上的每一個交叉點都能儲存一個位的關的狀態(tài)的話，那網格上的每一個交叉點都能儲存一個位的數據。這種系統下數據密度和存取速度都是前所未聞的，數據。這種系統下數據密度和存取速度都是前所未聞的，但但是是什么樣的材料能當這個開關？什么樣的材料能當這個開關？HP 的工程師當時并不知道的工程師當時并不知道要尋找的這種材料正是憶阻器。要尋找的這種材料正是憶阻器。 Crossbar Latch 的試作品結果的試作品結果憶阻器元件的實現憶阻器元件的實現憶阻器的存在憶阻器的存在HP 的的 Crossbar Latch研究研究 二氧化鈦的憶阻器作用二氧化鈦的憶阻器作用HP從二氧化鈦研究中發(fā)現憶阻器：一塊極薄的二氧化鈦被

12、夾在從二氧化鈦研究中發(fā)現憶阻器：一塊極薄的二氧化鈦被夾在兩個電極（上圖是鉑）中間，這塊鈦又被分成兩個部份，一半是正兩個電極（上圖是鉑）中間，這塊鈦又被分成兩個部份，一半是正常的二氧化鈦，另一半稍微缺氧，少了幾個氧原子。缺氧的那一半常的二氧化鈦，另一半稍微缺氧，少了幾個氧原子。缺氧的那一半帶正電，因此電流通過時電阻比較小，而且當電流從缺氧的一邊通帶正電，因此電流通過時電阻比較小，而且當電流從缺氧的一邊通向正常的一邊時，在電場的影響之下缺氧的洞會逐漸往正常的一側向正常的一邊時，在電場的影響之下缺氧的洞會逐漸往正常的一側游移，使得以整塊材料來言，缺氣的部份會占比較高的比重，整體游移，使得以整塊材料來

13、言，缺氣的部份會占比較高的比重，整體的電阻也就會降低。反之，當電流從正常的一側流向缺氧的一側時，的電阻也就會降低。反之，當電流從正常的一側流向缺氧的一側時，電場會把缺氧的洞從回推，電阻就會跟著增加。電場會把缺氧的洞從回推，電阻就會跟著增加。憶阻器元件的應用憶阻器元件的應用模型分析模型分析 作為基本電路元件之一，憶阻器在電路模型分作為基本電路元件之一，憶阻器在電路模型分析中析中 有著廣泛的應用。在憶阻器和憶阻系統的概有著廣泛的應用。在憶阻器和憶阻系統的概念提出之前，多種系統已被觀察到存在憶阻行為，念提出之前，多種系統已被觀察到存在憶阻行為，如閾值開關、電熱調節(jié)器、神經突觸的離子傳遞系如閾值開關、

14、電熱調節(jié)器、神經突觸的離子傳遞系統、放電管等統、放電管等基礎電路設計基礎電路設計 憶阻器的出現不僅豐富了現有的電路元件類型，憶阻器的出現不僅豐富了現有的電路元件類型， 而且補充了目前的而且補充了目前的RC、RL、LC、RLC電路設計方電路設計方案，將其擴展到所有可能由電路的四個基本元件與案，將其擴展到所有可能由電路的四個基本元件與電壓源組成的電路范圍。電壓源組成的電路范圍。 憶阻器元件的應用憶阻器元件的應用電路器件設計電路器件設計 憶阻器以其獨特的記憶性能和電路特性，在電路憶阻器以其獨特的記憶性能和電路特性，在電路器件設計方面給人們提供了新的思路。如依賴其記器件設計方面給人們提供了新的思路。如

15、依賴其記憶性能的高密度非易失性存儲器，基于憶阻器電學憶性能的高密度非易失性存儲器，基于憶阻器電學性能的參考接收機、調幅器。性能的參考接收機、調幅器。生物記憶行為仿真生物記憶行為仿真 對生物記憶行為的電路仿真，是憶阻器另一個極對生物記憶行為的電路仿真，是憶阻器另一個極具吸引力的用途。憶阻器參與組成的電路已被具吸引力的用途。憶阻器參與組成的電路已被Pershin 等用于對多頭絨泡菌對環(huán)境刺激學習行為等用于對多頭絨泡菌對環(huán)境刺激學習行為的電路仿真，他們成功地用電路對外加激勵的電學的電路仿真，他們成功地用電路對外加激勵的電學響應模仿了生物對外界環(huán)境刺激的響應行為。響應模仿了生物對外界環(huán)境刺激的響應行為

16、。憶阻器元件的應用憶阻器元件的應用 總結總結 作為一種新型的無源電子元件，憶阻器的出作為一種新型的無源電子元件，憶阻器的出現為電子電路行為提供了新的調制手段和新的功現為電子電路行為提供了新的調制手段和新的功能。隨著研究的不深入，實現憶阻行為的模型與能。隨著研究的不深入，實現憶阻行為的模型與機理正在被不斷提出。迄今，這一元件已在模型機理正在被不斷提出。迄今，這一元件已在模型分析、基礎電路設計、電子器件和集成電路設計分析、基礎電路設計、電子器件和集成電路設計以及生物神經系統仿真等領域嶄露頭角。可以預以及生物神經系統仿真等領域嶄露頭角?？梢灶A期，憶阻器件將可望在電子電路系統中獲得應用，期，憶阻器件將

17、可望在電子電路系統中獲得應用，并成為電子信息技術的進一步發(fā)展的新契機。并成為電子信息技術的進一步發(fā)展的新契機。 參考文獻參考文獻v 1蔡坤鵬，王睿，第四種無源電子元件憶阻器的研究及應用進展，蔡坤鵬，王睿，第四種無源電子元件憶阻器的研究及應用進展，電子元件與材料，電子元件與材料，2010 .4，第，第29 卷卷 第第4 期期v 2 Ralph Raiola,憶阻器的應用憶阻器的應用,今日電子無源器件特刊，今日電子無源器件特刊，2008.11，總第，總第183期期v 3向輝向輝,存儲芯片設計實現新突破，世界科學，存儲芯片設計實現新突破，世界科學，2008.7v 4于京生于京生, 劉振永，關于憶阻器的一些思考，石家莊師范專科學校劉振永，關于憶阻器的一些思考，石家莊師范?？茖W校學報，學報，2003.5，第，第5卷第卷第3期期v 5 CHUA L O. Memristor - the missing circuit element J. IEEE Trans Circuit Theory, 1971, 18(5): 507-519v 6 Andy Yang,憶阻器憶阻器,癮科學癮科學,2010.3