模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 知識(shí)點(diǎn)總結(jié).doc
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模擬電子技術(shù)復(fù)習(xí)資料總結(jié) 第一章 半導(dǎo)體二極管 一.半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識(shí) 1.半導(dǎo)體---導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)(如硅Si、鍺Ge)。 2.特性---光敏、熱敏和摻雜特性。 3.本征半導(dǎo)體----純凈的具有單晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體。 4. 兩種載流子 ----帶有正、負(fù)電荷的可移動(dòng)的空穴和電子統(tǒng)稱(chēng)為載流子。 5.雜質(zhì)半導(dǎo)體----在本征半導(dǎo)體中摻入微量雜質(zhì)形成的半導(dǎo)體。體現(xiàn)的是半導(dǎo)體的摻雜特性。 *P型半導(dǎo)體: 在本征半導(dǎo)體中摻入微量的三價(jià)元素（多子是空穴，少子是電子）。 *N型半導(dǎo)體: 在本征半導(dǎo)體中摻入微量的五價(jià)元素（多子是電子，少子是空穴）。 6. 雜質(zhì)半導(dǎo)體的特性 *載流子的濃度---多子濃度決定于雜質(zhì)濃度，少子濃度與溫度有關(guān)。 *體電阻---通常把雜質(zhì)半導(dǎo)體自身的電阻稱(chēng)為體電阻。 *轉(zhuǎn)型---通過(guò)改變摻雜濃度，一種雜質(zhì)半導(dǎo)體可以改型為另外一種雜質(zhì)半導(dǎo)體。 7. PN結(jié) * PN結(jié)的接觸電位差---硅材料約為0.6~0.8V，鍺材料約為0.2~0.3V。 * PN結(jié)的單向?qū)щ娦?--正偏導(dǎo)通，反偏截止。 8. PN結(jié)的伏安特性 二. 半導(dǎo)體二極管 *單向?qū)щ娦?-----正向?qū)?，反向截止? *二極管伏安特性----同ＰＮ結(jié)。 *正向?qū)▔航?-----硅管0.6~0.7V，鍺管0.2~0.3V。 *死區(qū)電壓------硅管0.5V，鍺管0.1V。 3.分析方法------將二極管斷開(kāi)，分析二極管兩端電位的高低: 若 V陽(yáng) >V陰( 正偏 )，二極管導(dǎo)通(短路); 若 V陽(yáng)下載提示(請(qǐng)認(rèn)真閱讀)
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