《《結(jié)構(gòu)化學(xué)》期末考試試卷(B)》由會(huì)員分享,可在線閱讀,更多相關(guān)《《結(jié)構(gòu)化學(xué)》期末考試試卷(B)(6頁珍藏版)》請(qǐng)?jiān)谘b配圖網(wǎng)上搜索。
1、精選優(yōu)質(zhì)文檔-----傾情為你奉上
學(xué)院: 年級(jí)/班級(jí): 姓名: 學(xué)號(hào):
裝 訂 線 內(nèi) 不 要 答 題
化學(xué)本科《結(jié)構(gòu)化學(xué)》期末考試試卷(B)(時(shí)間120分鐘)
題號(hào)
一
二
三
四
五
六
七
八
九
十
得分
得分
得分
評(píng)卷人
復(fù)核人
一、填空題(每小題2分,共20分)
1、一維無限深勢(shì)阱中的粒子,已知處于基態(tài)時(shí),在——————處幾率密
2、度最大。
2、原子軌道是原子中單電子波函數(shù),每個(gè)軌道最多只能容納——————個(gè)電子。
3、O2的鍵能比O2+的鍵能——————。
4、在極性分子AB中的一個(gè)分子軌道上運(yùn)動(dòng)的電子,在A原子的原子軌道上出現(xiàn)幾率為36%,在B原子的原子軌道上出現(xiàn)幾率為64%, 寫出該分子軌道波函數(shù)———————————————。
5、分裂能:—————————————————————————————。
6、晶體按對(duì)稱性分共有—————晶系。晶體的空間點(diǎn)陣型式有多少種:———。
7、從CsCl晶體中能抽出—————點(diǎn)陣。結(jié)構(gòu)基元是:———。
8、對(duì)氫原子 1s 態(tài): 在 r 為________
3、_______處有最高值;
9、諧振子模型下,雙原子分子振動(dòng)光譜選律為:_____________________________。
10、晶體場(chǎng)穩(wěn)定化能:__________________________________________________。
二、選擇題(每小題2分,共30分)
得分
評(píng)卷人
復(fù)核人
1、微觀粒子的不確定關(guān)系,如下哪種表述正確? ( )
(A)坐標(biāo)和能量無確定值
(B)坐標(biāo)和能量不可能同時(shí)有確定值
(C)若坐標(biāo)準(zhǔn)確量很小,則動(dòng)量有確定值,
(D)動(dòng)量值越不準(zhǔn)確,坐標(biāo)值也越不準(zhǔn)確。
4、
2、決定多電子原子軌道的能量的因素是: ( )
(A)n (B)n,l,Z (C)n+0.7l (D)n,m
3、氫原子3d狀態(tài)軌道角動(dòng)量沿磁場(chǎng)方向的分量最大值是
(A) (B) (C) (D)
4、雜化軌道是: ( )
(A)兩個(gè)原子的原子軌道線性組合形成的一組新的原子軌道。
(B)兩個(gè)分子的分子軌道線性組合形成的一組新的分子軌道。
(A)一個(gè)原子的
5、不同類型的原子軌道線性組合形成的一組新的原子軌道。
(A)兩個(gè)原子的原子軌道線性組合形成的一組新的分子軌道。
5、八面體配合物中哪能個(gè)電子結(jié)構(gòu)不發(fā)生畸變?
(A) (B) (C) (D)
6、對(duì)于"分子軌道"的定義,下列敘述中正確的是:----- ------------ ( )
(A) 分子中電子在空間運(yùn)動(dòng)的波函數(shù)
(B) 分子中單個(gè)電子空間運(yùn)動(dòng)的波函數(shù)
(C) 分子中單電子完全波函數(shù)(包括空間運(yùn)動(dòng)和自旋運(yùn)動(dòng))
(D) 原子軌道線性組合成的新軌道
7、下列分子鍵長次
6、序正確的是 ( )
(A) (B)
(C) (D)
8、按晶體場(chǎng)理論,在Oh 場(chǎng)中沒有高低自旋配合物之分的組態(tài)是 ( )
(A) (B) (C) (D)
9、CO與過渡金屬形成羰基配合物時(shí),CO鍵會(huì) ( )
(A)不變 (B)加強(qiáng) (C)削弱 (D)斷裂
10、配合物的光譜(d-d躍遷)一般發(fā)生在什么區(qū)域?
7、( )
(A)遠(yuǎn)紫外 (B)紅外 (C)可見-近紫外 (D)微波
11、配合物中心離子的d軌道在Oh場(chǎng)下,分裂為幾個(gè)能級(jí)? ( )
(A)2 (B)3 (C)4 (D)5
12、A1型密堆積的空間點(diǎn)有率為。 ( )
A)34.01% B)68.02% C)71.05% D)100%
13、估計(jì)下列化合物的熔點(diǎn)和硬度的變化次序正確的為 ( )
A)KCl
8、iC
B)SiC
9、卷人
復(fù)核人
三、簡答題(1,2題各3分,3小題4分共10分)
1、分子軌道理論要點(diǎn):
2、用晶體場(chǎng)理論說明穩(wěn)定,而不穩(wěn)定的原因。
3、什么是晶體衍射兩要素?什么是晶胞兩要素?兩者有什么內(nèi)在關(guān)系?
…
專心---專注---專業(yè)
得分
評(píng)卷人
復(fù)核人
四、計(jì)算題(每小題8分,共40分)
1、試計(jì)算氫原子的。計(jì)算:
(1)原子軌道能
(2)軌道角動(dòng)量的絕對(duì)值
(3)軌道角動(dòng)量在Z軸的分量
2、計(jì)算
10、A2堆積的空間利用率和消光規(guī)律.
3、已知H35Cl的純轉(zhuǎn)動(dòng)光譜每二譜線間的間隔為20.8cm-1,試求其鍵長。
4、用HMO法解 [H2C=CH-CH2]+ 的π鍵能級(jí)和離域能。
5、計(jì)算d6構(gòu)型在正八面體場(chǎng)中的晶體場(chǎng)穩(wěn)定化能
標(biāo)準(zhǔn)答案及評(píng)分細(xì)則
一、填空題:(20分,每小題2分)
1、 L/2
2、 2
3、 小
4、
5、 一個(gè)電子由低能的d軌道進(jìn)入高能的d軌道所需的能量。
6、 7,230
7、 簡單立方,CsCl
8、 核
11、附近。
9、 極性分子,
10、 將d電子從未分裂的d軌道Es能級(jí)進(jìn)入分裂的d軌道時(shí),所產(chǎn)生的總能量下降值。
二、選擇題(30分,每小題2分)
1、 A 2 B 3、D 4、C 5、D 6、B 7、A 8、A 9、C 10、C
11、A 12、C 13、A 14、B 15、D
三、簡答題(10分,1,2小題各3分,3小題 4分)
1、(1)單電子近似,分子軌道。
(2)分子軌道由原子軌道線性組合而成(1分)
(3)原子軌道有效構(gòu)成分子軌道,滿足成鍵三原則:能量相近,最大重迭,對(duì)稱性一致。(1分)
(4)電子在分子軌道上排布滿足
12、:能量最低,洪特規(guī)則,保里原理。(1分)
2、
中d 電子排布為,中d 電子排布為,因?yàn)闉榈湍芗?jí)。而為高能級(jí),所以它上面的電子易失去。說明穩(wěn)定,而不穩(wěn)定
3、 什么是晶體衍射兩要素?什么是晶胞兩要素?兩者有什么內(nèi)在關(guān)系?
衍射兩要素:衍射方向和衍射強(qiáng)度。(1分)
晶胞兩要素:晶胞型式和晶胞內(nèi)容。(1分)
衍射方向與晶胞型式由Laue方程關(guān)聯(lián)。(1分)
衍射強(qiáng)度與和晶胞內(nèi)容由結(jié)構(gòu)因子公式關(guān)聯(lián)。(1分)
四、計(jì)算題(40分,每小題 8分)
1、解
因?yàn)閚=2,l=1,m=0 (2分)
(1)E=-13.6/4(Ev) (2分)
(2)=
13、(2分)
(3)=0 (2分)
2、解
(1) 空間利用率:
(1分)
(1分)
(2分)
(2) 消光規(guī)律:
分?jǐn)?shù)坐標(biāo):(0,0,0)(1/2,1/2,1/2)(1分)
(1分)
=
h+k+l 奇數(shù)時(shí)F=0,h+k+l 偶數(shù)時(shí)F=2f,
即消光規(guī)律為h+k+l=奇數(shù)。(2分)
3、解
(2分)
(2分)
(2分)
(2分)
4、解
(2分)
(2分)
(2分)
(2分)
5、 解
強(qiáng)配體:CFSE=0-(6(-4Dq)+2P) (2分)
=24Dq-2P (2分)
弱配體:CFSE=0-(4(-4Dq)+2(6Dq)) (2分)
=4Dq (2分)