東南大學(xué)信息學(xué)院模電答案作業(yè)題第三章.ppt
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習(xí) 題,第三章,3-2 在圖P3-2所示電路中，假設(shè)兩管?n、Cox相同，VGS(th)=0.75V，ID2=1mA，若忽略溝道長度調(diào)制效應(yīng)，并設(shè)T1管的溝道寬長比(W/l) 是T2管的5倍。試問流過電阻R的電流IR值。,解:,3-6 在圖P3-6所示電路中，已知增強(qiáng)型MOSFET的,，,，溝道長度調(diào)制效應(yīng)忽略不計，試求IDQ、VGSQ、VDSQ、gm 、rds值 。,解:,,,,,IDQ、VGSQ,,,雙電源供電的N溝道增強(qiáng)型MOSFET電路如圖P3-7所示，已知VGS(th)=2V，?nCox=200?A/V2，W=40?m ，l=10?m。設(shè)?=0，要求ID= 0.4mA，VD=1V，試確定RD，RS值。,3-7,,,解:,,,,3-13,各種類型場效應(yīng)管的輸出特性曲線如圖P3-13所示，試分別指出各場效應(yīng)管的類型、符號和VGS(th)值，并畫出|VDS| =5V 時相應(yīng)的轉(zhuǎn)移特性。,解: (a): N溝道, JFET (b): N溝道, DMOS FET (c): P溝道, DMOS FET,3-15,由有源電阻構(gòu)成的分壓器如圖P3-15所示，設(shè)各管,相同，|VGS(th)|=1V、,=0，試指出各管工作區(qū)及其VO值。,解: (a): VO=8 V,MOS管都工作在飽和區(qū); (b): VO1=10/3 V, VO1=20/3 V, MOS管都工作在飽和區(qū); (c): VO=5 V,MOS管都工作在飽和區(qū).,3-16,圖P3-16所示為分壓式衰減電路，已知EMOS場效應(yīng)管工作在非飽和區(qū)，VI=200mV，,,VGS(th)=1.5V，試分別求出VGS=2.5V、3V時的VO值，并進(jìn)行分析.,解:,,,,,VGS越大,MOS管電阻越小,,下載提示(請認(rèn)真閱讀)
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