《2019年高考化學(xué)一輪復(fù)習(xí)《物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)》第1單元 原子結(jié)構(gòu)與性質(zhì)課時(shí)訓(xùn)練 蘇教版選修3.doc》由會(huì)員分享，可在線閱讀，更多相關(guān)《2019年高考化學(xué)一輪復(fù)習(xí)《物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)》第1單元 原子結(jié)構(gòu)與性質(zhì)課時(shí)訓(xùn)練 蘇教版選修3.doc（5頁(yè)珍藏版）》請(qǐng)?jiān)谘b配圖網(wǎng)上搜索。

2019年高考化學(xué)一輪復(fù)習(xí)《物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)》第1單元 原子結(jié)構(gòu)與性質(zhì)課時(shí)訓(xùn)練 蘇教版選修3 測(cè)控導(dǎo)航表 考點(diǎn) 易 中 核外電子的排布 1,2,3 元素的性質(zhì) 4,7 綜合應(yīng)用 5,6,8 9,10 基礎(chǔ)過(guò)關(guān) 1.(xx年上?；瘜W(xué)改編)元素周期表中鉍元素的數(shù)據(jù)如圖,下列說(shuō)法正確的是(　B　) A.Bi元素的質(zhì)量數(shù)是209 B.Bi元素的相對(duì)原子質(zhì)量是209.0 C.Bi原子6p能級(jí)有一個(gè)未成對(duì)電子 D.Bi原子最外層有5個(gè)能量相同的電子 解析:209.0表示的是Bi元素的相對(duì)原子質(zhì)量,A錯(cuò)誤,B正確;根據(jù)洪特規(guī)則,Bi原子6p原子軌道中的3個(gè)電子分別占據(jù)3個(gè)軌道,故有三個(gè)未成對(duì)電子,C項(xiàng)錯(cuò);Bi原子最外層6p原子軌道中的3個(gè)電子的能量略高于6s原子軌道中的2個(gè)電子的能量,D項(xiàng)錯(cuò)。 2.下列表達(dá)式中不正確的是(　C　) A.S2-的電子排布式為1s22s22p63s23p6 B.47號(hào)元素的電子排布式為[Kr]4d105s1 C.基態(tài)C原子的軌道表示式為 D.基態(tài)N原子的軌道表示式為 解析:根據(jù)洪特規(guī)則,當(dāng)電子排布在能量相同的不同軌道時(shí),總是優(yōu)先單獨(dú)占據(jù)1個(gè)軌道,而且自旋方向相同,基態(tài)C原子的軌道表示式應(yīng)為,C不正確。 3.在基態(tài)多電子原子中,關(guān)于核外電子能量的敘述錯(cuò)誤的是(　C　) A.最易失去的電子能量最高 B.電離能最小的電子能量最高 C.p軌道電子能量一定高于s軌道電子能量 D.在離核最近區(qū)域內(nèi)運(yùn)動(dòng)的電子能量最低 解析:能量越高的電子在離核越遠(yuǎn)的區(qū)域內(nèi)運(yùn)動(dòng),也就越容易失去,A項(xiàng)正確;電離能是失去電子時(shí)所要吸收的能量,能量越高的電子在失去時(shí)消耗的能量也就越少,因而電離能也就越低,B項(xiàng)正確;同一層即同一能級(jí)中的p軌道電子的能量一定比s軌道電子能量高,但外層s軌道電子能量則比內(nèi)層p軌道電子能量高,C項(xiàng)錯(cuò)誤;電子首先進(jìn)入能量最低、離核最近的軌道,D項(xiàng)正確。 4.(xx龍巖質(zhì)檢)在第二周期中,B、C、N、O四種元素的第一電離能由大到小的排列順序正確的是(　C　) A.I1(N)>I1(C)>I1(O)>I1(B) B.I1(N)>I1(O)>I1(B)>I1(C) C.I1(N)>I1(O)>I1(C)>I1(B) D.I1(O)>I1(N)>I1(C)>I1(B) 解析:同周期元素,從左到右第一電離能呈現(xiàn)增大的趨勢(shì),但由于氮原子的p原子軌道中的電子處于半充滿狀態(tài),所以第一電離能N>O。 5.(xx年浙江自選模塊)(1)可正確表示原子軌道的是　　　。 A.2s B.2d C.3pz D.3f (2)寫出基態(tài)鎵(Ga)原子的電子排布式:　　　　　　　。 (3)下列物質(zhì)變化,只與范德華力有關(guān)的是　　　。 A.干冰熔化 B.乙酸汽化 C.乙醇與丙酮混溶 D.溶于水 E.碘溶于四氯化碳 F.石英熔融 (4)下列物質(zhì)中,只含有極性鍵的分子是　　　,既含離子鍵又含共價(jià)鍵的化合物是　　　;只存在σ鍵的分子是　　　,同時(shí)存在σ鍵和π鍵的分子是　　　。 A.N2 B.CO2 C.CH2Cl2 D.C2H4 E.C2H6 F.CaCl2 G.NH4Cl (5)用“>”、“<”或“=”填空: 第一電離能的大小:Mg　　　Al; 熔點(diǎn)的高低:KCl　　　MgO。 解析:(1)第2電子層上只有s和p軌道,故B錯(cuò)誤;第3電子層上有s、p、d軌道,沒(méi)有f軌道,故D錯(cuò)誤。(2)鎵(Ga)在元素周期表中位于Al的下面,即第四周期第ⅢA族,其原子的核外電子排布為:1s22s22p63s23p63d104s24p1。(3)B項(xiàng),乙酸汽化破壞范德華力和氫鍵;C項(xiàng),乙醇與丙酮因分子間產(chǎn)生氫鍵而混溶;D項(xiàng),因能與H2O分子間產(chǎn)生氫鍵而溶于水;F項(xiàng),石英熔融破壞的是共價(jià)鍵。(4)N2的結(jié)構(gòu)式為N≡N,三鍵中有一個(gè)σ鍵、兩個(gè)π鍵;OCO中的每個(gè)CO中有一個(gè)σ鍵、一個(gè)π鍵;CH2Cl2的結(jié)構(gòu)式為:,四個(gè)鍵均為σ鍵:中的CC中有一個(gè)σ鍵、一個(gè)π鍵;中的C—H和C—C 均為σ鍵;CaCl2為離子化合物,含有離子鍵;NH4Cl中[]+的四個(gè)N—H 均為σ鍵,但N與Cl-之間是離子鍵。(5)Mg的最外層電子排布為3s2,為全充滿,Al的最外層排布為3s23p1,因而Al易失去1個(gè)電子變成較穩(wěn)定結(jié)構(gòu),故第一電離能:Mg>Al。離子鍵的強(qiáng)弱與離子半徑和離子所帶的電荷數(shù)有關(guān),離子半徑越小,離子所帶電荷數(shù)越多,離子鍵越強(qiáng)。在KCl和MgO中,離子半徑:K+>Mg2+,Cl->O2-;離子所帶電荷數(shù):Mg2+>K+,O2->Cl-,所以MgO中的離子鍵強(qiáng),熔點(diǎn)高。 答案:(1)AC (2)1s22s22p63s23p63d104s24p1 (3)AE (4)BC　G　CE　ABD (5)>　< 6.(xx泉州五中模擬)納米技術(shù)制成的金屬燃料、非金屬固體燃料、氫氣等已應(yīng)用到社會(huì)生活和高科技領(lǐng)域。 (1)A和B的單質(zhì)單位質(zhì)量的燃燒熱大,可用作燃料。已知A和B為短周期元素,其原子的第一至第四電離能如表所示: 電離能 (kJmol-1) I1 I2 I3 I4 A 932 1 821 15 390 21 771 B 738 1 451 7 733 10 540 　 A元素的名稱是　　　　。某同學(xué)推斷A、B兩元素中有一種元素原子的核外電子排布如圖所示,則該同學(xué)所畫的核外電子軌道表示式違背了　　　　原理。 (2)氫氣作為一種清潔能源,必須解決它的儲(chǔ)存問(wèn)題,C60可用作儲(chǔ)氫材料。 ①已知金剛石中的C—C的鍵長(zhǎng)為154.45 pm,C60中的 C—C 的鍵長(zhǎng)為140～145 pm,有同學(xué)據(jù)此認(rèn)為C60的熔點(diǎn)高于金剛石,你認(rèn)為是否正確?　　　　(填“是”或“否”);闡述其理由:　 。 ②繼C60后,科學(xué)家又合成了Si60、N60,則C、Si、N原子電負(fù)性由大到小的順序是　　　　　　　　　　。 (3)氯化鉻酰(CrO2Cl2)在有機(jī)合成中可作氧化劑或氯化劑,能與許多有機(jī)物反應(yīng)。請(qǐng)回答下列問(wèn)題: ①寫出基態(tài)鉻原子的核外電子排布式:　　　　　　　,與鉻同周期的所有元素的基態(tài)原子中,最外層電子數(shù)與鉻原子相同的元素有　　　　(填元素符號(hào))。 ②CrO2Cl2常溫下為深紅色液體,能與CCl4、CS2等互溶,據(jù)此可判斷CrO2Cl2是　　　　(填“極性”或“非極性”)分子。 ③鉻的同周期元素形成的化合物中,AsH3分子的空間構(gòu)型為　　　　;已知(CH3)3Ga為非極性分子,則其中鎵原子的雜化方式為　　　　。 解析:(1)由電離能可知:A最外層有2個(gè)電子,B最外層也有2個(gè)電子,且A金屬性較強(qiáng),所以A是Be,B是Mg;核外電子排布時(shí),先排能量低的軌道再排能量高的軌道。(2)①C60是分子晶體,熔化時(shí)破壞分子間作用力,金剛石是原子晶體,熔化時(shí)破壞共價(jià)鍵,所以熔點(diǎn):金剛石>C60。②電負(fù)性,同周期:N>C,同主族:C>Si,綜合可得:N>C>Si。(3)①Cr是24號(hào)元素,3d和4s均處于半充滿狀態(tài),其最外層電子數(shù)為1,同周期還有K(4s1)和Cu(3d104s1)的最外層也是1個(gè)電子。②CCl4、CS2都屬于非極性分子,根據(jù)相似相溶的原理知CrO2Cl2也屬于非極性分子。③AsH3分子中As的雜化數(shù)是=4,由于As還有一對(duì)孤電子對(duì),所以AsH3是三角錐形;Ga最外層有3個(gè)電子,而(CH3)3Ga分子屬于非極性分子,具有對(duì)稱結(jié)構(gòu),所以Ga采取sp2雜化。 答案:(1)鈹　能量最低 (2)①否　C60是分子晶體,熔化時(shí)不需破壞化學(xué)鍵 ②N>C>Si (3)①1s22s22p63s23p63d54s1　K、Cu?、诜菢O性?、廴清F形　sp2 能力提升 7.(xx安徽阜陽(yáng)一中第二次模擬)X、Y、Z是3種短周期元素,其中X、Y位于同一族,Y、Z處于同一周期。X原子的外圍電子排布式為nsnnpn+2。Z原子的核電荷數(shù)是最外層電子數(shù)的三倍。下列說(shuō)法正確的是(　D　) A.原子序數(shù)由大到小的順序?yàn)閄>Y>Z B.Y元素最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)水化物的化學(xué)式可表示為H3YO4 C.3種元素的氣態(tài)氫化物中Z的氣態(tài)氫化物最穩(wěn)定 D.原子半徑由大到小的順序?yàn)閆>Y>X 解析:根據(jù)X外圍電子排布式可知X為:1s22s22p4即為O,Y與O同族且在短周期,則Y為S,Z核電荷數(shù)是最外層電子數(shù)的三倍,且Z與S同周期可知Z為P,原子序數(shù):S>P>O,A錯(cuò);S的最高價(jià)含氧酸為H2SO4,B錯(cuò);H2O最穩(wěn)定,C錯(cuò);原子半徑:P>S>O,D對(duì)。 8.以下有關(guān)元素性質(zhì)的說(shuō)法不正確的是(　C　) A.具有下列電子排布式的原子中,①1s22s22p63s23p2　②1s22s22p3?、?s22s22p2?、?s22s22p63s23p4原子半徑最大的是① B.具有下列外圍電子排布式的原子中,①3s23p1　②3s23p2 ③3s23p3?、?s23p4第一電離能最大的是③ C.Na、K、Rb元素的電負(fù)性隨原子序數(shù)的增大而遞增 D.某主族元素氣態(tài)基態(tài)原子的逐級(jí)電離能分別是738、1 451、7 733、10 540、13 630、17 995、21 703(kJmol-1)……,當(dāng)它與氯氣反應(yīng)時(shí)生成的陽(yáng)離子是X2+ 解析:A項(xiàng)中各元素分別是①Si?、贜?、跜　④S,原子半徑最大的是①Si,A正確;B項(xiàng)中各元素分別為①Al?、赟i?、跴?、躍,其中P第一電離能最大,B正確;C項(xiàng)中隨原子序數(shù)增大,電負(fù)性遞減,C不正確;D項(xiàng)中可看出第三電離能遠(yuǎn)大于第二電離能,所以顯+2價(jià),D正確。 9.(xx年安徽理綜)X、Y、Z、W是元素周期表中原子序數(shù)依次增大的四種短周期元素,其相關(guān)信息如下表: 元素 相關(guān)信息 X X的最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)的水化物化學(xué)式為H2XO3 Y Y是地殼中含量最高的元素 Z Z的基態(tài)原子最外層電子排布式為3s23p1 W W的一種核素的質(zhì)量數(shù)為28,中子數(shù)為14 (1)W位于元素周期表第　　　周期第　　　族;W的原子半徑比X的　　　(填“大”或“小”)。 (2)Z的第一電離能比W的　　　(填“大”或“小”); XY2由固態(tài)變?yōu)闅鈶B(tài)所需克服的微粒間作用力是　 ; 氫元素、X、Y的原子可共同形成多種分子,寫出其中一種能形成同種分子間氫鍵的物質(zhì)名稱　　　。 (3)振蕩下,向Z單質(zhì)與鹽酸反應(yīng)后的無(wú)色溶液中滴加NaOH溶液直至過(guò)量,能觀察到的現(xiàn)象是 　; W的單質(zhì)與氫氟酸反應(yīng)生成兩種無(wú)色氣體,該反應(yīng)的化學(xué)方程式是　 。 (4)在25 ℃、101 kPa下,已知13.5 g的Z固體單質(zhì)在Y2氣體中完全燃燒后恢復(fù)至原狀態(tài),放熱419 kJ,該反應(yīng)的熱化學(xué)方程式是　。 解析:根據(jù)短周期元素X的最高化合價(jià)為+4,可知X為碳或硅,又因Y為O,結(jié)合原子序數(shù)Y>X,則可確定X為C,根據(jù)Z的最外層電子排布式可寫出其核外電子排布式為:1s22s22p63s23p1,即Z為鋁元素;再結(jié)合W的質(zhì)量數(shù)與中子數(shù)關(guān)系可確定W的質(zhì)子數(shù)為14,即W為Si。 (1)Si位于元素周期表第三周期、ⅣA族,同主族元素原子半徑從上到下依次增大,則W(Si)的原子半徑比X(C)的要大。 (2)因同周期元素從左到右,元素的第一電離能呈逐漸增大趨勢(shì),故Z(Al)的第一電離能比W(Si)的要小。XY2(CO2)為分子晶體,由固態(tài)變?yōu)闅鈶B(tài),克服的是分子間作用力。由C、H、O組成的分子中,存在分子間氫鍵的物質(zhì)很多,如:CH3CH2OH、CH3COOH等。 (3)Z單質(zhì)即為鋁,鋁和鹽酸反應(yīng)生成氯化鋁,向氯化鋁溶液中滴加氫氧化鈉溶液,先生成氫氧化鋁沉淀,氫氧化鈉過(guò)量時(shí),氫氧化鋁沉淀溶解。W單質(zhì)為硅,硅和氫氟酸反應(yīng)生成SiF4和H2兩種氣體。 (4)13.5 g鋁的物質(zhì)的量為0.5 mol,所以該反應(yīng)的熱化學(xué)方程式為4Al(s)+3O2(g)2Al2O3(s) ΔH=-3 352 kJmol-1。 答案:(1)三?、鬉　大 (2)小　分子間作用力　乙酸(其他合理答案均可) (3)先生成白色沉淀,后沉淀逐漸溶解,最后變成無(wú)色溶液 Si+4HFSiF4↑+2H2↑ (4)4Al(s)+3O2(g)2Al2O3(s) ΔH=-3 352 kJmol-1(其他合理答案均可) 10.(xx福建畢業(yè)班質(zhì)檢)開發(fā)新型儲(chǔ)氫材料是氫能利用的重要研究方向。 (1)Ti(BH4)3是一種儲(chǔ)氫材料,可由TiCl4和LiBH4反應(yīng)制得。 ①基態(tài)Ti3+的未成對(duì)電子數(shù)有　　　　個(gè)。 ②LiBH4由Li+和B構(gòu)成,B呈正四面體構(gòu)型。LiBH4中不存在的作用力有　　　　。 A.離子鍵 B.共價(jià)鍵 C.金屬鍵 D.配位鍵 ③Li、B、H元素的電負(fù)性由大到小排列順序?yàn)椤　　　　? (2)金屬氫化物是具有良好發(fā)展前景的儲(chǔ)氫材料。 ①LiH中,離子半徑:Li+　　　　H-(填“>”、“=”或“<”)。 ②某儲(chǔ)氫材料是短周期金屬元素M的氫化物。M的部分電離能如表所示: I1/ (kJ/mol) I2/ (kJ/mol) I3/ (kJ/mol) I4/ (kJ/mol) I5/ (kJ/mol) 738 1 451 7 733 10 540 13 630 M是　　　　(填元素符號(hào))。 (3)某種新型儲(chǔ)氫材料的理論結(jié)構(gòu)模型如圖所示,圖中虛線框內(nèi)碳原子的雜化軌道類型有　　　　種。 (4)分子X(jué)可以通過(guò)氫鍵形成“籠狀結(jié)構(gòu)”而成為潛在的儲(chǔ)氫材料。X一定不是　　　　。 A.H2O B.CH4 C.HF D.CO(NH2)2 解析:(1)①基態(tài)Ti3+的電子排布式為 1s22s22p63s23p64s1,未成對(duì)電子數(shù)為1。②LiBH4中Li+和B之間為離子鍵,B中B和H之間有4個(gè)共價(jià)鍵,其中有1個(gè)是配位鍵。(2)①Li+和H-具有相同的電子層結(jié)構(gòu),核電荷數(shù)越小,離子半徑越大,故離子半徑:Li+B>Li (2)①<　②Mg　 (3)3　(4)BC