220kV地區(qū)變電所電氣一次系統(tǒng)設計01,kv,地區(qū),變電所,電氣,一次,系統(tǒng),設計,01 積極為MVLV配電變壓器的變電站屏蔽設計 電機工程學系，意大利拉奎拉大學，67040拉奎拉，波焦迪Roio 電話：+39-0862434437，傳真：39-0862-434403 電子郵件：c.buccella@ieee.org, felizian@ing.univaq.it, prudenzi@ing.univaq.it 摘要：低頻磁場屏蔽是通過使用美聯(lián)儲積極的線圈產(chǎn)生磁場相反的事件之一，降低總的磁場系統(tǒng)。本文提出一個真正的主動防御系統(tǒng)的設計，以減輕位于拉奎拉大學的工程建設中的MVLV配電變壓器的變電站的磁場。主動防御系統(tǒng)的設計開發(fā)，從開始的MVLV變電站內(nèi)的磁場測量獲得的實驗數(shù)據(jù)。 引言 最近暴露限值對人體的低頻電場和磁場的極低頻（ELF），減少需求領(lǐng)域[I] - [9]。已成為廣大市民日益意識到從暴露到極低頻磁場可能產(chǎn)生的影響。最近，極低頻磁場在WHOOARC研究已被列為2B組“可能致癌”兒童白血病[我]的流行病學研究的基礎(chǔ)上。 傳統(tǒng)的被動屏蔽技術(shù)并不總是方便，以減輕因為一些實際應用中往往需要大量的材料，可以建立足以減輕低頻磁場屏蔽的ELF磁場領(lǐng)域。一個更好的解決方案是設計一個系統(tǒng)低頻電流線圈，即主動屏蔽，從而產(chǎn)生令人不安的一個磁場相反，以減少總的磁場[6] - [7]。通過這種方式，它是有可能獲得良好的屏蔽性能，往往在較低的成本在比較被動的屏蔽技術(shù)[8] - [9]。 本文提出了發(fā)展一個活躍的屏蔽配置為中等電壓（MV）/低電壓（LV）配電變壓器位于變電站在大學CAquila的工程大樓。 MEDIUMV OLTAGELOW電壓分布變電站 年審MVLV變電站配置為代表的電力電纜和酒吧的布局與圖。 1。在變電站，它是可能的，以確定在中等電壓20千伏，變壓器20 kVl0.4酒吧千伏和一個開關(guān)板的低電壓0.4千伏母線分配4 LV的上升主面板。 如圖一個變電站的計劃。 2，MV和LV面板和變壓器隔間代表。 圖1素描的MVLV配電變壓器變電站內(nèi)的工程建筑位于拉奎拉大學。 圖2地圖與測量MVLV變電站變電站內(nèi)的點（+）。 利用已測磁場萬德爾和Goltermann的3場分析儀系統(tǒng)在xy點（由圖2中的“+”符號表示）飛機在兩個高度：1。 M2和-1.7米，根據(jù)意大利的技標準[6]。相鄰的距離betweentwo測量點已經(jīng)確定為25厘米沿X軸和Y軸。的空間分布在xy平面的磁通密度B，測量Z =1.2 M和F1.7米，在圖所示。 3和4為一個LV對9M負載）A.表明，這些測量值沒有一個主要組成部分的磁變電站內(nèi)場，但所有的字段組件沿x，y和z軸。其百分比取決于在該領(lǐng)域的測量點。為了設計一個合適的活動線圈系統(tǒng)的每個組件磁通密度由BJ（乙，必須檢查分別由獨立的活性線圈和屏蔽。 圖3的測量r.m.s.的的地圖磁通密度B在X-Y平面在z = L.2米的PT。 數(shù)值當日＆ 在內(nèi)MViLV分布的磁通密度變電站取決于流動的電流為導體。一個直接的電流在我生產(chǎn)周圍的空間磁通密度B： AR = RR'的立場之間的差異觀察點P的位置矢量矢量rR'的元素DL“，方程（一）被認為是有效的也計算在低頻磁場同質(zhì)區(qū)域。為實現(xiàn)這一目標的導體棒和離散線部分電纜已已知電流流。通過一個簡單的數(shù)值計算程序，已計算的磁感應強度矢量B疊加。圖5顯示的計算和測量沿x軸的磁通密度分布?0。 25米，?1。平方米?？紤]困難確定確切位置的來源，因此近似??的值假定'的距離導體之間，一個很好的協(xié)議之間的測量可以觀察和計算值。 圖4測量r.m.s.地圖磁通密度B在X-Y平面在z =1，PT ACTM盾構(gòu)設計 通過檢查實測地圖，有可能設計一個積極的線圈產(chǎn)生磁場B，相反在這樣的事件二總場BT= B的+ B可以降低。 從（一）有可能獲得磁場生產(chǎn)方形回路電流假設平方米的一環(huán)的尺寸2×26AN d的平行xy平面距離為d，磁通密度的組件主動屏蔽，乙，乙，和B，在通用的點P（X，Y，Z）： 其中，xi，易分別為沿x軸的預測和Y軸的通用點之間的距離P（X，Y，Z）和線圈i個后起之秀，5 = dxi2+一2+（Z - D）？是第i之間的距離后起之秀的線圈和P點，如圖所示。 6。為幾個積極線圈磁場的組件應用疊加可以得到。 測量圖5（a）和計算機（二）r.m.s.磁通量沿平方米D R A N0?1 thex軸。密度。 2 5米。 一個20平方米的線圈系統(tǒng)，放置在y =-1.5米內(nèi)perimeterof xz平面，如圖所示。7，absorbinga2 A的電流相等，為了減輕已建成在三個cubiclesinside的MVLV變電站附近的磁場。無花果。 8日和9顯示X和Y-組件事件和總磁通量圖寶密度為900 A的LV負載和21.1.2米。10日和11日在同一個相同的組件條件，但在1?。 M7。在這些數(shù)字的行確定由符號'A'代表實測事件磁通密度元件和線路確定由符號'B'的總的計算磁磁通密度的組成部分。最大衰減在獲得入射場是最大的區(qū)域，但在鄰近的放大磁場活動線圈產(chǎn)生。 圖6在他們z平面方形環(huán)路。 圖7主動屏蔽配置。 圖12（行'A'）顯示測量的X組件事件磁通密度沿Y軸?4。 7 5米和~~1。平方米。一個100平方米的線圈系統(tǒng)，放在XZ變電站墻，在y =-1.5米，由電流饋送15，已被用來屏蔽磁場密度?4 Z-?墻外側(cè)。 7 M5。磁通密度，這個主動防御系統(tǒng)的存在，已測所提出的數(shù)值方法和計算。 “符號“B”所確定的行顯示測量億元符號“C”計算確定的行在相同的時間點的總磁通密度。 圖8實測入射場：（一）和y分量計算總場積極布賴與y分量屏蔽（B），T?0。 25米，1。平方米。 圖9測量入射場z分量B（a）和計算總場與活躍的z分量億元屏蔽（B），在y= O M?1。平方米。 圖10測量事件fieldy：（一）和組件計算總場積極BTY與y分量屏蔽（B），在y= 0 m和?1。M7 圖11測量入射場z分量B（a）和計算總場與活躍的z分量億元屏蔽（B），T P0米?1。M7。 圖12測量入射場X-B組分（A），測得的總場x分量BN（b）和計算BN（c）與主動屏蔽在A。 75米?1。平方米。 結(jié)論 在本文的主動屏蔽技術(shù)已被用來減少低頻磁場。一個設計主動防御系統(tǒng)的中壓/低壓配電變電站位于工程建設拉奎拉大學已經(jīng)提出。 BAS方形線圈系統(tǒng)已經(jīng)能夠生產(chǎn)對面的事件的磁場分量。由于事件領(lǐng)域提出了一個空間的行為非常縮進，減少磁場強度困難。 為了減輕在接近磁場三間房方形線圈系統(tǒng)已被使用。獲得最大限度的降低磁通量密度為60％左右。 參考