2019-2020年高一化學(xué) 晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)學(xué)案 新人教版.doc
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2019-2020年高一化學(xué) 晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)學(xué)案 新人教版 考點(diǎn)聚焦 1．了解晶體與非晶體的區(qū)別 2．了解常見晶體類型及不同類型晶體的主要性質(zhì) 3．掌握關(guān)于晶胞的簡單計(jì)算 知識(shí)梳理 一、晶體特征及分類： (1)晶體是內(nèi)部微粒(原子、離子、分子)在空間按一定規(guī)則做 構(gòu)成的 物質(zhì)，晶體區(qū)別于非晶體的三個(gè)特征是：具有 的幾何外形，各向 和具有固定的 。 (2)根據(jù)晶體內(nèi)部微粒的 的微粒間 的不同可以將晶體分為通過離子鍵形成的 晶體，以金屬鍵基本作用形成的 晶體，通過價(jià)鍵形成的 晶體和通過分子間相互作用形成的 晶體。 (3)常見晶體類型比較： 晶體類型 類型 比較 分子晶體 原子晶體 離子晶體 金屬晶體 構(gòu)成晶體 微粒 形成晶體微粒間作用力 作用力大小決定因素 物理性質(zhì) 熔沸點(diǎn) 硬度 導(dǎo)電性 傳熱性 延展性 溶解性 典型實(shí)例 P4、干冰、硫 金剛石、SiO2 NaCl、KOH、NH4Cl 金屬單質(zhì) 二、晶體的堆積模型 分子晶體中分子間盡可能采用緊密排列方式，分子的排列方式與其形狀的關(guān)；離子晶體可視為不等徑圓球的密堆積，離子晶體中正負(fù)離子的配位數(shù)主要由正負(fù)電荷的 (幾何因素)、正負(fù)電荷的 (電荷因素)以及離子鍵的純粹程度(鍵性因素)決定；金屬晶體的結(jié)構(gòu)可以歸結(jié)為等徑圓球的堆積，可分為Po的簡單立方堆積、 型、 型和 型。 三、晶胞 1.概念：描述 叫做晶胞；整塊晶體由晶胞“無隙并置”而成；晶胞①中Ti、O、Ca原子數(shù)分別為 、 、 ；晶胞②中A、B、C、D原子數(shù)分別為 、 、 、 。 ② ① 2.常見晶體的結(jié)構(gòu) 在金剛石的晶體結(jié)構(gòu)中每個(gè)碳原子與周圍的4個(gè)碳原子形成四個(gè)碳碳單鍵，這5個(gè)碳原子形成的是 結(jié)構(gòu)，兩個(gè)碳碳單鍵的鍵角為 ，其中的碳原子采取 雜化，金剛石晶體中C原子數(shù)與C-C鍵數(shù)之比為 ，晶體中最小的環(huán)上上的碳原子數(shù)為 ；石墨晶體中C原子數(shù)與C-C鍵數(shù)之比為 ；NaCl晶體中Na+的配位數(shù)為 ，Cl-的配位數(shù)為 ，每個(gè)Na+的周圍距離最近且相等的Na+的個(gè)數(shù)為 ，CsCl晶體中Cs+的配位數(shù)為 ，Cl-的配位數(shù)為 ，每個(gè)Cs+的周圍距離最近且相等的Cs+的個(gè)數(shù)為 ；二氧化硅晶體中每個(gè)硅原子與 個(gè)氧原子相連，在二氧化硅晶體中最小的環(huán)中有 個(gè)原子，1mol二氧化硅晶體中，Si-O的數(shù)目為 。 思考：右圖是二氧化硅晶體的一部分，立方體體心的黑點(diǎn)表示一個(gè)硅原子， 在圖中畫出與硅原子相連的氧原子所在的位置。 三、晶體熔、沸點(diǎn)高低比較 (1)不同類型的晶體：一般而言，熔、沸點(diǎn)高低順序?yàn)樵泳w>離子晶體和金屬晶體>分子晶體 (2)同類晶體： ①原子晶體的熔、沸點(diǎn)取決于共價(jià)鍵的鍵長和鍵能，鍵長越短、鍵越大，熔、沸點(diǎn)越高，如金剛石>金剛砂>晶體硅 ②離子晶體的熔、沸點(diǎn)取決于離子鍵的強(qiáng)弱，通常離子半徑越小、離子所帶電荷數(shù)大，離子鍵越強(qiáng)，熔、沸點(diǎn)高，如KF>KCl>KBr、NaCl>KCl； 晶格能是指 形成1摩離子晶體釋放的能量，通常取正值，晶格能越大，形成的離子晶體越 ，且熔沸點(diǎn) ②離子晶體的熔、沸點(diǎn)取決于離子鍵的強(qiáng)弱，通常離子半徑越小、離子所帶電荷數(shù)大，離子鍵越強(qiáng)，熔、沸點(diǎn)高，如KF>KCl>KBr、NaCl>KCl；④同類金屬晶體中，金屬離子半徑越小，陽離子帶電荷數(shù)越高，金屬鍵越強(qiáng)，熔、沸點(diǎn)越高，如Li>Na>K， Na下載提示(請(qǐng)認(rèn)真閱讀)
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