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測試規(guī)范 1. 適用范圍 1.1 本規(guī)范為導(dǎo)入DDR芯片的測試方法和標(biāo)準(zhǔn)，，以驗證和確認(rèn)新物料是否適合批量生產(chǎn)；. 2. 目的 2.1使開發(fā)部門導(dǎo)入新的關(guān)鍵器件過程中有章可循，有據(jù)可依。 3. 可靠性測試 6.1：如果替代料是FLASH的話，我們一般需要做10個循環(huán)的拷貝校驗（我們測試工具APK設(shè)置：500M/拷貝次數(shù)/重啟10次） 6.2：如果替代料是DDR的話，我們也需要驗證DDR的運行穩(wěn)定性，那么也需要做循環(huán)拷貝校驗（測試工具APK設(shè)置：500M/拷貝次數(shù)/重啟5次） PS：1.拷貝次數(shù)=（FLASH可用容量*1024M/500M）-1 2.DDR驗證只需要驗證運行穩(wěn)定性，所以一般做3-5個循環(huán)就OK了，F(xiàn)LASH要求比較嚴(yán)格，一般需要做10個循環(huán)以上； 3.考慮到FLASH壓力測試超過20次以上可能會對MLC造成影響，故對于驗證次數(shù)太多的機器出貨前需要更換。 7.常溫老化：PND我們一般跑模擬導(dǎo)航持續(xù)運行12H，安卓我們一般運行MP4-1080P持續(xù)老化12H，老化后需要評估休眠喚醒是否正常； 8.高低溫老化：環(huán)境（60度，-10度） 基于高低溫下DDR運行穩(wěn)定性或存在一定的影響，DDR替代需要進行高低溫老化，我們PND一般運行模擬導(dǎo)航、安卓因為運行模導(dǎo)不太方便，就運行MP4各持續(xù)老化12H。 從多年的經(jīng)驗來看，F(xiàn)LASH對于溫度要求沒有這么敏感。 9.自動重啟測試：一般做50次/PCS，需要每次啟動系統(tǒng)都能正常啟動；--一般是前面恢復(fù)出廠設(shè)置有問題，異常的機器排查才會用到； 10.復(fù)位、通斷電測試：這個測試屬于系統(tǒng)破壞性測試，測試非正常操作是否存在掉程序的現(xiàn)象，一般做20次/PCS，要求系統(tǒng)能夠正常啟動。 1.焊接效果，如果是內(nèi)部焊接的話，需要采用X-RAY評估，LGA封裝的話就需要SMT制程工藝規(guī)避空洞率； 2.功能測試； 3.休眠電流、休眠喚醒測試：DDR必測項目，反復(fù)休眠喚醒最好3-5次/PCS，休眠電流大小自行定義；FLASH測不測影響不大； 4.容量檢查，容量標(biāo)準(zhǔn)你們根據(jù)客戶需求自行定義，當(dāng)然是越大越好；--大貨時這一點最好提供工具給到阿杜隨線篩選； 5.恢復(fù)出廠設(shè)置：我們一般做50次/PCS，運行正常的話界面會顯示50次測試完成，如果出現(xiàn)中途不進主界面、死機等異常現(xiàn)象就需要分析問題根源； 6.FLASH壓力測試：這部分需要分開來說明 4. 測試環(huán)境 u 溫度：252℃ u 濕度：60%~70%； u 大氣壓強：86kPa ~106kPa。 5. 測試工具 u 可調(diào)電源（最好能顯示對應(yīng)輸出電流） u 可調(diào)電子負載 u 示波器 u 萬用表 6. 測試參數(shù) 表1 電源芯片測試參數(shù) 待測參數(shù) 必測項 選測項 測試方法簡要說明 輸入電壓范圍 √ 1） 調(diào)節(jié)電子負載，保證電源芯片滿載工作； 2） 調(diào)節(jié)可調(diào)電源輸出為下限值VIN_MIN，記錄此時對應(yīng)輸出電壓，記為V1 3） 調(diào)節(jié)可調(diào)電源輸出為下限值VIN_MAX，記錄此時輸出電壓，記為V2 4） 電源芯片額定輸出為V0 5） 分別計算{|V1-V0|/V0}100％，{|V2-V0|/V0}100％，判斷此時的輸出是否滿足精度要求 輸出精度 √ 記錄電源芯片所有可能的輸出電壓最大值、最小值，進行計算 紋波及噪聲 √ 如圖2所示，測試時，在輸入端磁片電容兩側(cè)焊接兩“牛角”引線，示波器探頭去掉負端夾子，將示波器探針和負端金屬環(huán)直接貼在磁片電容的兩“牛角”上。 開關(guān)頻率 √ 測試紋波的同時，記錄相應(yīng)的紋波頻率，即為開關(guān)頻率 電壓調(diào)整率 √ 1）設(shè)置可調(diào)電子負載，使電源滿載輸出； 2）調(diào)節(jié)電源芯片輸入端可調(diào)電源的電壓，使輸入電壓為下限值，記錄對應(yīng)的輸出電壓U1； 3）增大輸入電壓到額定值，記錄對應(yīng)的輸出電壓U0； 4）調(diào)節(jié)輸入電壓為上限值，記錄對應(yīng)的輸出電壓U2； 5〕按下式計算： 電壓調(diào)整率={(U- U0)/U0}100％ 式中：U為U1 和U2中相對U0變化較大的值； 負載調(diào)整率 √ 1）輸入電壓為額定值，輸出電流取最小值，記錄最小負載量的輸出電壓U1； 2）調(diào)節(jié)負載為50%滿載，記錄對應(yīng)的輸出電壓U0； 3）調(diào)節(jié)負載為滿載，記錄對應(yīng)的輸出電壓U2； 4）負載調(diào)整率按以下公式計算： 負載調(diào)整率={(U- U0)/U0}100％ 式中：U為U1 和U2中相對U0變化較大的值； 電源效率 √ 電源效率隨負載大小變化，如圖3所示。 25℃、80%負載情況下電源效率測試方法如下： 1） 調(diào)節(jié)電子負載，保證輸出電流為80%滿載情況；此時對應(yīng)的輸出電壓記為U0，電流記為I0； 2） 調(diào)節(jié)輸入端可調(diào)電源，保證給電源芯片提供額定輸入電壓U1，并記錄此時可調(diào)電源的輸出電流，記為I1； 3） 電源效率按以下公式計算： 電源效率={(U0I0)/(U1I1)}100％ 輸出最大功率 √ 該參數(shù)與環(huán)境溫度有關(guān)，如圖4所示。 該測試可借助高溫環(huán)境實驗進行 空載對應(yīng)芯片功耗 √ 電源輸出端為空載時，記錄此時對應(yīng)可調(diào)電源對應(yīng)的電壓、對應(yīng)電流，分別記為U、I，則： 空載功耗=UI； 隔離電壓 √ 只針對隔離DC/DC 隔離電阻 √ 只針對隔離DC/DC 芯片最大溫升 （結(jié)溫） √ 如果手冊給出芯片結(jié)-殼之間熱阻系數(shù)θJC： 1） 將溫度傳感器或點溫計貼于待測電源芯片殼體表面； 2） 調(diào)節(jié)電子負載，保證滿載輸出，假定此時對應(yīng)的輸出功率為P0； 3） 待電源芯片工作穩(wěn)定后，讀出對應(yīng)芯片殼體表面溫度，記為T0； 4） 則芯片結(jié)溫=T0+ P0θJC; 如果手冊給出的是芯片結(jié)-環(huán)境之間的熱阻系數(shù)θJA： 1） 調(diào)節(jié)電子負載，保證滿載輸出，假定此時對應(yīng)的輸出功率為P0； 2） 記錄測試現(xiàn)場對應(yīng)環(huán)境溫度，記為T0; 3） 則芯片結(jié)溫= T0+ P0θJA 比較計算所得芯片結(jié)溫（T1）與該電源芯片所允許最大結(jié)溫（T2），設(shè)公司要求的此類電源溫度降額為T3，則驗證T2-T1>T3? 工作環(huán)境溫度 √ 借助高、低溫實驗進行，觀察在高溫、低溫環(huán)境下，電源對應(yīng)的輸出是否滿足相應(yīng)精度要求 存儲環(huán)境溫度 √ 借助環(huán)境實驗進行，在進行存儲之后，電源對應(yīng)的輸出是否滿足相應(yīng)精度要求 圖2 電源紋波測試 圖3 電源效率曲線 圖4 輸出功率曲線 ——以下無正文